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瑞萨与台积电合作开发车用28奈米MCU (2016.09.01)
瑞萨电子与台积公司合作开发28奈米嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程技术，以生产支援新世代环保汽车与自动驾驶车的微控制器(MCU)。采用此全新28奈米制程技术生产的车用MCU预计于2017年提供样品，2020年开始量产 |
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希捷：软体与SSD无缝接轨 协助企业加速营运动能 (2016.08.16)
希捷科技(Seagate)日前于快闪记忆体高峰会 (Flash Memory Summit) 宣布推出两款创新快闪储存产品，一举推升企业资料中心的储存运算效能。新品包括历来参展产品中容量最高的固态硬碟(SSD) — 60TB SAS SSD |
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SST推出已验证GLOBALFOUNDRIES BCDLite制程嵌入式SuperFlash产品 (2016.07.13)
Microchip公司日前透过其子公司Silicon Storage Technology（SST）推出已通过验证的、基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite技术平台的、SST低光罩数嵌入式SuperFlash非挥发性记忆体（NVM）产品 |
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PLD克服高常用系统的设计挑战 (2016.05.11)
高常用性系统如伺服器、通讯闸道和基站等需要持续作业。一旦安装后，即需透过软体升级来增强系统功能和修复错误。 PLD常用于支援系统内的设计更新。 |
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意法半导体推出新款STM32 Nucleo开发板 (2016.03.03)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出尺寸精巧的STM32 Nucleo-144系列开发板，加强其对STM32系列32位元快闪记忆体微控制器的支援。新款144针脚开发板进一步扩大现有STM32开发生态系统范围，透过提升板上连接通讯功能，让客户能够使用任何一款STM32微控制器快速开发应用 |
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瑞萨电子开发90奈米单电晶体MONOS快闪记忆体技术 (2016.02.26)
瑞萨电子（Renesas）宣布开发90奈米（nm）单电晶体MONOS (1T-MONOS)快闪记忆体技术，可结合各种制程如CMOS与双极CMOS DMOS（BiCDMOS），并提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重写耗电量 |
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Atmel全新8位tinyAVR拥有1kB快闪记忆体 (2016.02.24)
Atmel公司在2016年德国嵌入式系统展（Embedded World 2016）上宣布，推出带有1kB快闪记忆体的低功耗8位MCU。全新ATtiny102/104 MCU的运行速度最高可达12 MIPS（每秒百万条指令），并整合了此前仅在大型MCU上拥有的特性，使它们成为小型应用的理想之选，这些应用包括逻辑置换以及消费、工业和家庭自动化市场的最新成本优化应用 |
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东芝购地兴建半导体生产新工厂 (2016.02.04)
东芝公司(Toshiba)收购一个面积为15万平方公尺的土地，来为其专有3D快闪记忆体BiCS FLASH未来的扩大生产做准备，该地毗邻公司位于三重县四日市的记忆体生产基地。该地与这一记忆体生产基地的东部和北部毗连，将耗资大约30亿日圆 |
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东芝推出全新蓝牙低功耗晶片搭载内建快闪记忆体 (2015.11.24)
东芝半导体(Toshiba)推出两款全新蓝牙晶片TC35675XBG和TC35676FTG/FSG，均支援低功耗（LE）4.1版通讯。其中，TC35676FTG/FSG搭载快闪记忆体，而TC35675XBG同时支援快闪记忆体和点对点通讯的NFC Forum Type 3 Tag |
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群联电子采用Cadence Voltus-Fi客制电源完整性方案加速产品上市时程 (2015.10.22)
益华电脑（Cadence）宣布，群联电子（Phison）采用Cadence Voltus-Fi客制电源完整性解决方案（Custom Power Integrity Solution）为其先进的快闪记忆体控制器晶片进行电子迁移与电阻电位降（EMIR）检查，实现了矽晶验证（silicon-proven）的准确度 |
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Maxim小型低功率MAX3262x微控制器登陆Mouser (2015.10.20)
Mouser Electronics即日起开始供应Maxim的MAX32620/MAX32621 微控制器。 MAX3262x装置采用支援浮点单元(FPU)的32位元RISC ARM Cortex-M4F微控制器，适合新兴的医疗及健身应用市场。这两款装置均内含2MB快闪记忆体和256KB的SRAM，其架构整合了高效率的讯号处理功能，成本低且易于使用 |
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快闪记忆体的潮流：快闪储存的商业案例 (2015.09.08)
对现代企业能否维持的竞争优势，应用程式的效能扮演关键角色。为了能立即存取，即时处理、分析与剖析资料，企业客户会主动于储存设备基础架构加入快闪记忆体。
因应客户的需求及市场需求急遽成长，许多CIO发现快闪记忆体适用于效能密集型的应用，包括资料库、资料仓储和大数据分析等 |
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Microchip大中华区技术精英年会开始接受报名 (2015.09.07)
全球整合微处理控制器、混合讯号、类比元件和快闪记忆体矽智财解决方案供应商——Microchip公司举办的大中华区技术精英年会（Greater China MASTERs Conference），现已开始接受报名 |
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Xilinx推出LDPC错误校正IP基础 (2015.08.13)
美商赛灵思（Xilinx）推出低密度奇偶校验（Low-Density Parity-Check；LDPC）错误校正IP基础，为云端与资料中心储存市场实现各种新一代快闪型应用。由于各种3D NAND技术让NAND快闪记忆体不断精进，LDPC错误校正已然成为一项关键的核心功能以因应现今储存解决方案对可靠度和耐用度的严格要求 |
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东芝16颗粒堆叠式NAND快闪记忆体搭载TSV技术 (2015.08.07)
东芝公司（Toshiba）宣布研发出运用矽穿孔（TSV）技术的16颗粒（最大）堆叠式NAND快闪记忆体。东芝将于8月11~13日在美国圣克拉拉举行的2015年快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型 |
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Atmel | SMART SAM S/E系列MCU目标面向物联网和工业市场 (2015.07.20)
Atmel公司宣布，公司已开始批量生产基于ARM Cortex-M的微控制器（MCU）产品—Atmel | SMART SAM S70和E70系列。
这些MCU拥有更大的可配置SRAM、更大的嵌入式快闪记忆体和丰富的高频宽外设，并提供最佳的连接、记忆体和性能组合 |
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东芝为微控制器和无线通讯积体电路开发新制程技术 (2015.07.09)
（日本东京讯）东芝公司（Toshiba）宣布，该公司已根据使用小于当前主流技术功率的65奈米逻辑制程开发了快闪记忆体嵌入式制程，以及采用130奈米逻辑及类比电源制程开发了单层多晶矽非挥发性记忆体（NVM）制程 |
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Altera FPGA架构储存设计可延长NAND快闪记忆体使用寿命 (2015.07.03)
Altera公司开发采用其Arria 10 SoC架构的储存参考设计，与目前的NAND快闪记忆体相比，NAND快闪记忆体的使用寿命将加倍，程式擦除周期数增加了7倍。参考设计在经过最佳化的高性能价格比单晶片解决方案中，包括一颗Arria 10 SoC和整合双核心ARM Cortex A9处理器，同时采用了Mobiveil的固态硬碟（SSD）控制器，以及NVMdurance的NAND最佳化软体 |
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Computex 2015─宜鼎国际展示完整应用于车联网储存解决方案 (2015.05.26)
宜鼎国际（Innodisk）于6月2日展开的Computex 2015展示旗下产品，将结合闪存（Flash）与易失存储器（ DRAM ）两大事业部最新产品，分别以Supermicro 1018R-WC0R搭载SeverDOM-V / SATADOM SH 3ME3,DDR4 32GB RDIMM 2400Mhz展示服务器应用、 主流系统平台搭载CFast 3ME3 / mSATA mini 3ME3,DDR4 8G ECC UDIMM展示网通应用、主流系统平台搭载2 |
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宜鼎国际工控模块全新升级，推出高IOPS全系列产品 (2015.05.19)
工控储存厂商宜鼎国际（Innodisk）新一代3ME3模块产品系列升级自3ME系列，采用先进控制器，及针对工业计算机应用所设计的韧体，搭配A19奈米制程的原厂高质量同步闪存，可让微型模块效能大幅提升 |
为了整合电子位信息交换的共同标准，统一全球各国分歧殊异的文字符号，独霸全球字符编码标准，ASCII与Unicode的分分合合就此展开........
