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MIC提醒：韩系半导体业者动态 须密切注意 (2014.09.19)
尽管资策会MIC对于全球乃至于台湾的半导体产业在2014年的表现抱持十分乐观的态度，但是资策会MIC产业顾问兼主任洪春晖也提醒，韩系内存大厂乃至于三星的动态，必须密切关注 |
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TrendForce：供过于求情况不再 DRAM获利回稳 (2014.05.06)
随着先前内存市场的整并潮已告一段落，目前全球内存市场的供需状况，已经相对健康许多，所谓的供过于求的情形已不复见。根据TrendForce表示，DRAM市场今年起呈现交投清淡的走势，无论现货商或模块厂多维持较低的库存水位，大厂逐步将产能从标准型内存转向行动式内存，供货吃紧让现货市场底部价格确立 |
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LSI 推全新Nytro系列PCIe闪存加速卡 (2013.12.03)
LSI公司宣布为其Nytro系列的PCIe快闪记忆卡产品阵容增加Nytro XP6200系列。全新的Nytro XP6200系列可为超大型云端数据中心的各种密集型读取应用提供加速效能、优化功耗和散热功能，也能够为每GB的PCIe快闪记忆解决方案带来更低的整体成本 |
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英飞凌与格罗方德共同开发 40nm嵌入式Flash制程 (2013.04.30)
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣布共同开发并合作生产 40 奈米 (nm) 嵌入式闪存 (eFlash) 制程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 芯片设计为基础的技术开发，以及采用 40nm 制程的车用微控制器及安全芯片的制造 |
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Spansion量产高密度单芯片512Mb串行式闪存 (2012.04.03)
Spansion(美商飞索国际)日前宣布其512Mb Spansion FL-S Serial(SPI)NOR型闪存已进入量产阶段，此产品特色为最高密度单芯片串行式闪存。
业者宣称，Spansion FL-S 产品家族涵盖128Mb 到1Gb，为业界最领先的程序指令周期，其速度较竞争产品快三倍以上，且读取速度在双倍数据速率(DDR)上超过其他产品20% |
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瑞萨开发汽车实时应用之嵌入式闪存IP (2011.12.22)
瑞萨电子（Renesas）日前宣布已开发出一款适用于汽车实时应用领域之40奈米（nm）内存知识产权（IP）。瑞萨亦使用上述40奈米闪存技术，针对汽车应用领域推出40奈米嵌入式闪存微控制器（MCU），其样品将于2012年秋季开始供应 |
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LSI已与SandForce签订最终收购协议 (2011.11.01)
LSI 公司于今（1）日宣布，已与SandForce签订最终收购协议，SandForce为闪存储存处理器供货商，提供企业端和消费端闪存解决方案和固态硬盘。根据此收购协议，LSI 将以现金支付约3.22亿美金，并且将承担价值约4800万美元之尚未取得所有权的股票选择权，以及员工所持有的限制性股票 |
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Spansion推出串行式闪存 可扩充至8位 (2011.10.03)
Spansion推出采用65奈米的Spansion FL-S NOR Flash内存系列产品，为高速串行式闪存，此系列产品具备双倍数据率（Double Data Rate, DDR）读取速度以及更快的编程速度。
Spansion表示，FL-S提供车用等级的温度运作范围，甚至在某些产品中无需使用DRAM |
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Spansion 4Gb NOR Flash 带来互动实时的全新体验 (2011.08.26)
Spansion近日推出65奈米制程的单芯片4Gb NOR Flash产品。4Gb的Spansion GL-S具备高质量与高速读取性能，为游戏与车用电子中的交互式图片、动画及影片应用带来更佳的用户体验。
此款Spansion旗舰级GL-S产品线中的新品本月将进入送样阶段 |
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美光推出创新闪存装置 延长内存寿命 (2010.12.26)
美光科技 (Micron) 于日前宣布，推出新型高容量闪存产品组合，将可延长未来 NAND 内存的产品寿命。该新款 ClearNAND 装置将错误管理技术整合在同一个 NAND 封装内，解决了 NAND 传统上面临制程微缩的问题 |
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Spansion与尔必达宣布共同拓展闪存事业 (2010.07.30)
尔必达与闪存方案领导厂商Spansion于日前宣布，共同研发NAND制程技术与产品，包含纳入一项NAND Flash的晶圆代工服务协议。尔必达也取得Spansion NAND IP技术的非独家授权，该项技术乃是以其MirrorBit的电荷捕获技术 （charging-trapping technology）作为基础 |
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Spansion推出90奈米256Mb MirrorBit SPI多重I/O产品 (2010.04.01)
Spansion周三（3/31）宣布，该公司为机顶盒、数字电视、工业设计，以及芯片组的制造商等客户，推出90奈米256Mb的MirrorBit多重I/O序列式外围接口（SPI）闪存装置最新样品。
新的消费与工业应用需要密度更高的序列式内存 |
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ST推出内嵌90nm制程闪存的微控制器 (2010.03.22)
意法半导体（ST）于日前宣布，推出内嵌90nm制程闪存的微控制器，其整合针对工业标准的ARM Cortex-M3，内核优化的自适应实时（ART）内存加速器，进一歨提升STM32微控制器系列的性能和功耗 |
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意法半导体推出配备1MB闪存的微控制器 (2010.03.21)
意法半导体（ST）于日前宣布，已扩大STM32 微控制器産品阵容，增加更多特性和最高1MB的片上闪存。
ST表示，随着STM32 XL高密度産品的发布，意法半导体现有的STM32微控制器产品系列已达99款 |
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恒忆推出新款串行式闪存解决方案 (2010.03.09)
恒忆（Numonyx）近日宣布，推出首款65奈米多路输入输出串行式闪存（serial flash memory）系列产品，满足嵌入式市场严格编码和数据储存的可靠性要求。新的Numonyx Forté N25Q系列串行式闪存可为当今计算机、机顶盒和通讯设备的主流嵌入式应用提供最高的读写效能、设计灵活性和应用可靠性 |
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ST退出闪存业务 恒忆并入美光科技 (2010.02.11)
意法半导体（ST）今（11）日宣布，意法半导体、英特尔（Intel）及Francisco Partners三方，与美光科技（Micron Technology Inc.）签署正式并购协议。根据协议，美光将以全额股票形式收购恒忆控股公司（Numonyx Holding B.V.） |
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三星量产新30nm内存芯片 读写达133Mbps (2009.12.02)
外电消息报导，三星电子日前宣布，将开始量产两款30奈米制程的NAND闪存芯片。其中一款将采类似DDR内存的双信道传输技术，其读取带宽将是传统闪存芯片的3倍左右，最高可达133Mbps |
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旺宏电子推出全新256Mbit序列闪存 (2009.11.01)
旺宏电子于日前宣布推出256Mbit序列闪存产品─MX25L25635E。此产品采用32位寻址技术，利用简单的切换方式，即可让128Mbit内存容量提高至256Mbit或更高，并且还提供了能往后兼容于既有24位寻址的模式，使得系统工程师及制造商不需重大改动即可大幅地提高原有产品的功能及效能 |
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Gartner发布2010年十大技术与趋势 (2009.10.30)
市场研究与顾问公司Gartner，于周五（10/30）发表了2010年十大技术与趋势。其中云端运算、虚拟化、绿色IT及社交网络已连续两年被列为十大重要技术，至于闪存、安全活动监控与无线应用，则是来年非常值得关注的市场趋势 |
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Spansion Q2财讯 披露公司重整进度 (2009.08.03)
Spansion Inc.近日公布了截至2009年6月28日的第二季财务讯息摘要，披露该公司的重整进度。Spansion之子公司，Spansion日本有限公司，已于2009年3月3日在日本展开公司重整。此财务讯息是依照美国一般公认会计原则（GAAP），Spansion之财报不得与Spansion日本有限公司财报合并 |
ACPI规格让操作系统、中央处理单元与接口设备三方面整合起来，互相交换电源使用讯息，更加简便而有效益地共同管理电源。
