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CTIMES / Sram
科技
典故
Intel的崛起-4004微处理器与8080处理器

Intel因为受日本Busicom公司的委托设计芯片,促成了4004微处理器的诞生,也开启了以单一芯片作成计算器核心的时代。1974年,Intel再接再厉研发出8080处理器,和4004微处理器同为CPU的始祖,也造就了Intel日后在中央处理器研发的主导地位。
厚翼科技提供检测与修复结合的SRAM解决方案 (2018.06.04)
厚翼科技 (HOY Technologies)内嵌式测试(BIST ,Built-In Self-Test)的解决方案可以确保记忆体储存功能是正确无误的;而内嵌式修复 (BISR, Built-In Self-Repair) 的解决方案可帮助客户提升良率减少生产成本的浪费
意法半导体推出新系列STM32微控制器 (2016.10.26)
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出运算性能创记录的新STM32H7系列微控制器(MCU)。新系列内建SRAM(1MB),其快闪记忆体高达2MB,还有种类丰富的通讯外部周边,来让更聪明的智慧装置无所不在之目标而铺路
Microchip推新记忆体系列 可在断电时保障储存安全 (2016.10.20)
Microchip宣布推出拥有无限耐久性、断电时保障资料储存安全的全新低成本、低风险储存解决方案。新的I2C EERAM记忆体系列是简易使用的非挥发性SRAM记忆体产品,适用于需要连续或即时记录、更新或监测资料的各种应用,比如电表计量、汽车和工业等领域的应用
来扬科技携手主力分团 进军次世代记忆体市场 (2016.05.16)
传统记忆体的制程技术已达物理极限,国际大厂无不全力布局,一场次世代记忆体大战已隐然成型。为抢占未来全球记忆体市场,来扬科技整合本身电路设计能力后,以开放宏观的精神,进军次世代记忆体市场
PLD克服高常用系统的设计挑战 (2016.05.11)
高常用性系统如伺服器、通讯闸道和基站等需要持续作业。一旦安装后,即需透过软体升级来增强系统功能和修复错误。 PLD常用于支援系统内的设计更新。
32位元策略有成 新唐MCU攻进日本市场 (2015.12.28)
尽管近期半导体产业的不断并购,但对于MCU(微控制器)市场而言,并没有太大的影响,身为国内的主要MCU供应业者,新唐科技的确也有相同的看法。新唐科技微控制器应用事业群副总经理林任烈表示,正因为MCU能够涵盖的应用相当广泛,所以大体上来说,对新唐不会有太多的影响
瑞萨退出16Mb与32Mb进阶低功率SRAM (2015.10.30)
瑞萨电子(Renesas)推出两款全新系列的进阶低功率SRAM (Advanced LP SRAM),为目前最主要的低功耗SRAM类型,其设计可提供更高的可靠性及更长的备份电池使用寿命,适用于工厂自动化(FA)、工业设备及智慧电网等应用
Maxim小型低功率MAX3262x微控制器登陆Mouser (2015.10.20)
Mouser Electronics即日起开始供应Maxim的MAX32620/MAX32621 微控制器。 MAX3262x装置采用支援浮点单元(FPU)的32位元RISC ARM Cortex-M4F微控制器,适合新兴的医疗及健身应用市场。这两款装置均内含2MB快闪记忆体和256KB的SRAM,其架构整合了高效率的讯号处理功能,成本低且易于使用
Atmel | SMART SAM S/E系列MCU目标面向物联网和工业市场 (2015.07.20)
Atmel公司宣布,公司已开始批量生产基于ARM Cortex-M的微控制器(MCU)产品—Atmel | SMART SAM S70和E70系列。 这些MCU拥有更大的可配置SRAM、更大的嵌入式快闪记忆体和丰富的高频宽外设,并提供最佳的连接、记忆体和性能组合
意法半导体新系列STM32微控制器突破超低功耗应用性能极限 (2015.05.22)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)整合其超低功耗微控制器技术与在ARM Cortex-M4内核领域累积的多年厚实经验,成功开发这款适合用于下一代节能型消费性电子产品、工业、医学及量测设备的STM32L4系列微控制器
瑞萨电子推全新先进低功率SRAM产品 有助提升制造商系统可靠性 (2013.10.14)
瑞萨电子宣布将推出12款RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E系列先进低功率SRAM (Advanced Lower-Power(LP) SRAM)新产品,为瑞萨的旗舰SRAM (静态随机存取内存)。新款内存装置具有4 Mb密度,并采用电路线宽仅110 nm(奈米)的精密制程技术
MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!(下) (2013.07.08)
MRAM是一种磁性多层膜的堆栈结构,在这当中最为关键的三层,上下两层为磁性层(一为参考层,一为自由层),中间则为绝缘层。早前的MRAM的磁性层的磁化方向是水平排列,并可由电流来控制旋转方向
MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!(上) (2013.07.02)
在工研院即将进入欢庆40周年院庆之际,工研院电光所的研究团队所开发出来的「垂直式自旋磁性内存技术」荣获杰出研究金牌奖,此一技术乍看之下并不显眼,但该内存技术的背后,却也牵动了未来全球半导体大厂的势力布局
Cypress SRAM获Altera采用于FPGA开发工具包 (2011.11.14)
Cypress日前宣布Altera公司28奈米Stratix V GX FPGA开发工具包,选用Cypress Quad Data Rate II(QDRII)以及QDRII+ SRAM。Cypress表示,其SRAM让Stratix V FPGA开发工具包能实现100 Gbps的线路速率
Cypress推出32位总线低功耗异步SRAM (2011.08.09)
Cypress于日前宣布,推出128-Mbit、64-Mbit 、以及32-Mbit的MoBL (More Battery Life) 超长电池续航力 SRAM,并拥有32位总线宽度。新款组件为Cypress的SRAM产品之一,此系列产品包括高效能同步、异步以及微功耗组件
新款QDRII+SRAM 让Cypress 65奈米SRAM系列齐备 (2011.01.05)
Cypress近日发表Quad Data Rate(QDR)与Double Data Rate(DDR)SRAM,这些65奈米SRAM系列产品的最新成员提供36-Mbit与18-Mbit密度版本。新款内存让65奈米SRAM系列产品的成员更臻齐备,密度涵盖至144Mbit,速度更高达550MHz
独步全球!台湾进入16奈米组件新时代 (2009.12.16)
国科会国家实验研究院于周二(12/15)宣布,开发出全球第一款16奈米的SRAM(静态随机存取内存)的单位晶胞新组件,由于可容纳晶体管是现行主流45奈米的10倍,可使未来3C设备更轻薄短小,主板面积大幅缩小、储存量更大、运算效率更快
Cypress推出65奈米144-Mbit SRAM内存 (2009.10.27)
Cypress公司宣布推出单片式(monolithic)SRAM,密度可达144-Mbit,是65奈米 SRAM系列组件的最新成员。此新款144-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+内存,采用与晶圆代工伙伴联华电子连手开发的65奈米制程技术
瑞萨新款SRAM产品可提供533 MHz运作速度 (2009.07.19)
瑞萨科技发表72-Mbit Quad Data Rate II+(QDR II+)及Double Data Rate II+(DDRII+)高速SRAM系列产品,适用于次世代通讯网络中的高阶路由器及交换器,上述SRAM产品可达到业界最高运作速度,并符合QDR Consortium工业标准
Cypress推出首款65奈米制程SRAM (2009.05.05)
Cypress公司4日宣布推出业界首款采用65奈米线宽的Quad Data Rate(QDR)与Double Data Rate(DDR)SRAM组件。此新款72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+内存,采用与晶圆代工伙伴联华电子合作开发的制程技术

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