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最新平面型功率MOSFET系列UniFET II MOSFET问世 (2013.08.19)
高电压功率 MOSFET 一般分为两大类： 超接面（SJ : Super Juction）MOSFET 和平面型 MOSFET。由于其电荷平衡结构和更小的输入栅极电荷（Qg），SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的导通电阻（RDS(on)）和更快的开关性能 |
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意法半导体推出采用TO-247封装的650V车规MOSFET (2013.08.14)
意法半导体的STW78N65M5和STW62N65M5是业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650V AEC-Q101车规MOSFET。在高电压突波（high-voltage spikes）的环境中，650V额定电压能够?目标应用带来更高的安全系数，有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性 |
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凌力尔特打造高质量工业用桥式整流器 (2013.06.14)
传统采用二极管的桥式整流器，由于在运作过程会产生压降，导致系统厂商在选用组件方面会产生很大的不便。也因此，凌力尔特采用两组MOSFET来取代原有的二极管，有效提高了电源效率，并减少了稳压过程的二极管压降 |
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IR 全新300V功率MOSFET配备基准导通电阻 (2013.01.23)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出配备了IR最新功率MOSFET的300V组件阵营，藉以为各种高效率工业应用提供基准导通电阻 (RDS(on))，包括110-120交流电压线性调节器和110-120交流电压电源，以及太阳能逆变器与不间断电源 (UPS) 等直流-交流逆变器 |
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快捷半导体智能型高侧开关为设计人员提供可靠的解决方案 (2012.05.11)
快捷半导体公司(Fairchild)日前开发出一款专门为汽车车身电子提供先进电气负载控制的智能型高侧开关系列。该系列组件为离散式MOSFET设计提供替代方案，整合了保护和诊断功能，以减少组件数量，简化印刷线路板设计，同时提高系统的可靠性 |
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Diodes新型MOSFET芯片高度减少50% (2012.05.11)
Diodes 公司日前推出了一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N信道和P信道MOSFET。采用DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4mm，面积只有4mm2，是一款额定电压为 -25V的P信道组件，较同类型组件薄50% |
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Diodes MOSFET控制器有助提高PSU效率 (2012.01.11)
Diodes公司日前推出额定电压为25V的同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，适用于90W或以上的笔记本电脑和可携型计算机的电源设计。这款组件能取代返驰式转换器内效率欠佳的萧特基二极管，并能减少多达70%的整流器损耗，有效提高3.5%的电源效率 |
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TI推出4 A与5 A双信道输出MOSFET驱动器 (2012.01.11)
德州仪器（TI）日前宣布推出3款双信道输出闸极驱动器，可提升高密度隔离电源效率与可靠度，进一步扩大MOSFET驱动器产品阵营。
UCC27210与UCC27211是120 V启动高侧（high-side）与低侧（low-side）双信道输出MOSFET驱动器，提供达4 A的输出电流，且可消除驱动器输入-10 V直流电（VDC）干扰 |
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ST超结型MOSFET系列再添新成员 (2012.01.06)
意法半导体（ST）日前推出MDmesh V系列。MDmesh V系列是高性能MOSFET产品，拥有极低的每单位面积导通电组（on-resistance per area），在650V额定电压应用中可实现高能效和功率密度；对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路，如电子照明控制器、消费性电子电源和太阳能电力转换器可提升能效 |
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Fairchild推出锂离子电池组保护设计解决方案 (2011.12.22)
快捷半导体（Fairchild）近日开发出PowerTrench MOSFET组件FDMB2307NZ。该组件具有能够缩小设计的外形尺寸，并提供所需的高效率。FDMB2307NZ专门针对锂离子电池组保护电路和其它超可携式应用而设计，具有N信道共同漏极MOSFET特性，能够达成电流双向流动 |
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Diodes推出12V新型P信道MOSFET (2011.12.15)
Diodes日前推出12V微型P信道强化型MOSFET—DMP1245UFCL，有助于提升电池效率和减少电路板空间，并满足空间受限的可携式产品设计要求，如智能型手机和平板计算机等。
这款新MOSFET采用超精密和高热效率的DFN1616封装，并具有极低的导通电阻（RDS(on)），能把传导损耗降至最低，以延长电池寿命 |
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ROHM运用硅深掘蚀刻技术推出全新超接面MOSFET (2011.11.29)
ROHM于日前宣布，推出全新低导通电阻之高耐压型功率MOSFET－R5050DNZ0C9，适合太阳能发电系统的功率调节器使用。随着节能议题愈来愈受到关注，其中，太阳能发电可谓是最具代表性的可回收能源，因此使得该市场在近年来不断地成长扩张 |
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瑞萨推出适用消费性马达驱动应用之功率半导体 (2011.08.03)
瑞萨电子（Renesas）于日前宣布，开发出100安培大电流功率MOSFET，适用于消费性产品中的马达驱动器，例如无线电动工具及动力辅助自行车，并藉此强化该公司功率半导体装置的整体产品线 |
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ST扩大第六代功率MOSFET産品系列 (2011.06.26)
意法半导体（ST）于日前宣布，扩大采用第六代STripFET技术的高效功率晶体管産品系列，爲设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。
ST表示，最新的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET，可承受高达80V的电压，可用于太阳能发电应用（如微型逆变器）、电信设备、网络设备以及服务器电源 |
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ST全新功率MOSFET提升汽车电气系统能效 (2011.06.13)
意法半导体（ST）于日前推出9款全新汽车级功率MOSFET，进一步扩大STripFET VI DeepGATE功率MOSFET産品组合，为新一代汽车实现能效、尺寸及成本优势。
高能效电气系统对于汽车制造商日益重要 |
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CISSOID新款N型MOSFET高温可达225°C (2011.04.22)
高温半导体方案供货商CISSOID日前宣布，推出新款双信道高温40V N型金氧半场效晶体管（N-channel MOSFET）CHT-MOON。
CISSOID表示，该款采表贴、小型、密封式陶瓷SOIC16封装。此新组件可帮助设计者达到最高的系统密度，它可开关高达2安培电流及提供与其他CHT产品一样，是一个可于-55°C至+225°C连续操作的解决方案 |
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士兰微电子推出新一代高压MOSFET F-Cell系列 (2011.04.07)
士兰微电子近日宣布，推出新一代高压MOSFET产品——F-Cell系列高压MOSFET。这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品，工作电压可以覆盖400V—900V区间 |
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瑞萨电子推出小型封装之高性能车用功率MOSFET (2011.03.08)
瑞萨电子近日宣布，推出32款容许电压为40及55伏特（V）之新型N信道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效晶体管）。新款功率MOSFET包括采用小型HSON封装的NP75N04YUK产品，安装面积为现有TO-252封装的一半，可处理75安培（A）的电流 |
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Linear推出高速、高输入同步MOSFET闸极驱动器 (2011.02.28)
凌力尔特（Linear）于日前宣布，推出新款H 等级版本的LTC4444/-5，其为高速、高输入供应电压 (100V) 同步 MOSFET闸极驱动器，专为在同步整流之转换器架构中，驱动较高和较低侧N 信道MOSFET 而设计 |
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瑞萨电子新高压电源MOSFET 可减少52%导通损失 (2011.02.01)
瑞萨电子近日宣布，推出能为电源供应器提供超高效率的高压N-channel电源金属氧化半导体场效晶体管（MOSFET）产品--RJK60S5DPK。新的电源MOSFET能减少PC服务器、通讯基地台以及太阳能发电系统的耗电量 |
当传输技术进入数字时代之后，用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重，结合显示适配器硬件的数字显示接口标准，其发展进度因而更受到瞩目。
