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意法半导体推出适合高启动电流应用的单通道负载开关 (2022.06.15)
意法半导体（STMicroelectronics：ST）推出了IPS1025H与IPS1025H-32单通道可程式高边开关。这两款开关内建欠压保护、过压保护、过载保护、过热保护功能，能智慧驱动高启动电流的电容性负载、电阻性负载或电感性负载 |
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东芝与Farnell合作加强供应链 扩大新品及创新范畴 (2022.06.15)
东芝电子欧洲销售和行销子公司东芝电子欧洲有限公司（Toshiba Electronics Europe GmbH）扩大与Farnell的全球合作夥伴关系，Farnell为全球电子元件、产品和解决方案经销商，在欧洲以Farnell、北美的纽瓦克和在亚太地区的e络盟（element14）进行交易 |
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东芝五款MOSFET闸极驱动器IC新品采用超小型封装 (2022.06.09)
东芝电子元件及储存装置株式会社（简称东芝）为其TCK42xG系列MOSFET闸极驱动器IC 产品系列增加适用於穿戴式装置等行动装置的五款新品。该系列的新产品配备过压锁定功能，并根据输入电压控制外部MOSFET的闸极电压 |
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ST发表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度与效能 (2022.06.08)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲极功率MOSFET电晶体适用於设计资料中心服务器、5G基础建设、平面电视的交换式电源供应器（Switched-Mode Power Supply，SMPS） |
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ROHM推出600V耐压SuperJunction MOSFET 实现超低导通电阻 (2022.04.13)
半导体制造商ROHM在600V耐压SuperJunction MOSFET“PrestoMOS”产品系列中，新增了「R60xxVNx系列」七款机型，非常适用於电动车充电桩、伺服器、基地台等大功率工控装置的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的大型生活家电的马达驱动 |
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英飞凌OptiMOS 6 100 V采用全新功率MOSFET技术 (2021.12.03)
因应电信与太阳能等高切换频率最佳化应用，当前切换式电源供应(SMPS)及电池供电的应用显著趋势是提高效率和可靠性。顺应这一发展趋势，英飞凌科技推出采用全新功率MOSFET技术的OptiMOS 6 100 V |
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Microchip首款碳化矽MOSFET 可降低50%开关损耗 (2021.09.22)
随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化矽的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步扩充其广泛的碳化矽MOSFET分离式和模组产品组合 |
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Microchip抗辐射MOSFET获得商业航太和国防太空应用认证 (2021.06.09)
太空应用电源必须可以承受极端的太空环境，并在抗辐射技术环境中运作无碍，防止遭受到极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响失效发生事端，导致降低太空系统的效能并干扰运行 |
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三星首款MOSFET冰箱变频器 采用英飞凌600V功率产品 (2021.05.27)
英飞凌科技向三星电子供应具有最高能源效率及最低噪音的功率产品。这些功率装置已整合在三星最新款的单门式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)与FDR(对开式：RF18A5101SR)变频式冰箱 |
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英飞凌改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组 采用新型AIN陶瓷基板 (2021.05.12)
英飞凌科技利用新型氮化铝(AIN)陶瓷基板，成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组。此半桥式装置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B两种封装型式，导通电阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V装置采用高性能陶瓷，因此适合高功率密度应用，如太阳能系统、不断电系统、辅助变频器、储能系统及电动车充电器等 |
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ST推出隔离式闸极驱动器 可安全控制碳化矽MOSFET (2021.03.30)
半导体供应商意法半导体（ST）宣布推出STGAP系列隔离式闸极驱动器的最新产品STGAP2SiCS，可安全控制碳化矽（SiC）MOSFET，且作业电源电压高达1200V。
STGAP2SiCS能够产生高达26V的闸极驱动电压，将欠压锁定（UVLO）??压提升到15.5V，满足SiC MOSFET开关二极体正常导电要求 |
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英飞凌新款650V EiceDRIVER整合靴带二极体 强化强固性及快速切换 (2021.03.26)
英飞凌科技宣布扩展旗下EiceDRIVER产品组合，推出全新650V半桥式与高低侧闸极驱动器，采用公司独特的绝缘层上矽(SOI)技术，提供市场最先进的负VS瞬态电压抗扰性与真正靴带二极体的单片整合，因此有助於降低BOM，并在精简的外型尺寸以MOSFET与IGBT打造更强固的设计 |
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英飞凌推出新一代80V与100V功率MOSFET 电源效率再升级 (2021.03.22)
英飞凌科技推出StrongIRFET 2新一代功率MOSFET技术的80V和100V产品。新产品拥有广泛的经销供货通路和出色的性价比，成为设计人员可以便利选购的理想产品。该产品系列针对高、低切换频率进行最隹化，可支援广泛的应用范围，提供高度的设计灵活性，可受益於StrongIRFET的应用包括SMPS、马达驱动、电池充电工具、电池管理、UPS及轻型电动车 |
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车辆中的小型电气驱动器：在发展自动驾驶过程中提升便利性 (2021.03.15)
未来，自动驾驶将会显著提高驾驶的便利性，到那时候，许多小型电气驱动器将使车辆的控制更加轻松与便捷。 |
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安森美推出全新650V碳化矽MOSFET系列 满足车规与工规应用需求 (2021.02.18)
安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET装置，适用於对功率密度、能效和可靠性要求极高的应用。设计人员用新的SiC装置取代现有的矽开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、伺服器电源(PSU)、电信和不断电供应系统(UPS)等应用中实现显着的更隹性能 |
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直接透过汽车电池输入进行DC-DC转换 (2021.01.19)
在严苛的汽车和工业环境中，通常会选择内建MOSFET功率切换开关的单晶片式降压稳压器，不仅可节省空间，同时更可实现低EMI和卓越的散热性能。 |
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ROHM推出第五代Pch MOSFET 超低导通电阻助装置节能与小型化 (2020.12.28)
半导体制造日商ROHM研发出共计24款Pch MOSFET产品，包括支援24V输入电压的耐压━40V和━60V单极型「RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列」和双极型「UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列」，适用於FA、机器人、空调装置等工控装置之风扇马达和电源管理开关，以及大型消费性电子装置用之风扇马达、空调和电源管理开关 |
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英飞凌全新CoolSiC MOSFET 实现无需冷却风扇的伺服驱动方案 (2020.11.16)
英飞凌科技支援机器人与自动化产业实作免维护的马达变频器，今日宣布推出采用最隹化D2PAK-7 SMD封装、搭载.XT互连技术的全新1200V CoolSiC MOSFET，可实现被动冷却。相较於矽基解决方案，其损耗可降低达80%，因此不再需要冷却风扇与相关服务 |
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英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET 新添PQFN封装40V装置 (2020.11.03)
当代的电源系统设计需要高功率密度和精巧的外型尺寸，进而得到最高的系统级效能。英飞凌科技专注於强化元件级的系统创新，来应对上述挑战。继2月份推出25V装置後，英飞凌再推出OptiMOS 40V低电压功率MOSFET，采用源极底置(Source-Down；SD)的PQFN封装，尺寸为3 |
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贸泽供货Microchip AgileSwitch相脚功率模组 整合MOSFET和二极体优点 (2020.10.16)
半导体与电子元件、授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布即日起供货Microchip Technology最新的AgileSwitch相脚SiC MOSFET模组。此模组体积轻巧且具高整合度，整合了碳化矽(SiC)MOSFET和SiC二极体，将两种装置的优点结合到同一个解决方案之中 |
IETF是Internet Engineering Task Force (国际网络工程研究团队)是一个开放性的国际组织，其作用在于汇集网络设计师、网络操作员、网络厂商，以及研究人员共同研发改进网络的工程架构与建立起一个平稳的网络环境。
