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英飞凌新Power MOSFET实现体积更轻巧耐用的电器产品 (2015.09.01) 【德国慕尼黑讯】DIY工具,如无线电钻与电锯应同时具备便利与耐用性。因此,这类应用所采用的电子元件必须具备省空间及坚固耐用的特性。英飞凌科技(Infineon)扩增StrongIRFETPower MOSFET系列产品,提供符合上述需求的解决方案 |
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罗姆量产沟槽式SiC 导通电阻降低再下一城 (2015.08.14) 在全球功率半导体市场,SiC(碳化矽)元件的发展,一直是主要业者所十分在意的重点,理由在于它与传统的MOSFET或是IGBT元件相较,SiC可以同时兼顾高开关频率或高操作电压,反观MOSFET与IGBT只能各自顾及开关频率与操作电压,显然地SiC元件相对地较有技术优势 |
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英飞凌新款MOSFET实现能源高效适用于电动工具及电动脚踏车等应用 (2015.08.05) (德国慕尼黑讯) 英飞凌科技(Infineon)推出全新StrongIRFET MOSFET系列产品,适用于电池供电电路、直流有刷与无刷(BLDC) 马达等直流供电电路应用。新款MOSFET采用精巧的中型Can DirectFET封装与全新配置,为电动工具、园艺工具、轻型电动车、无人机及电动脚踏车等有空间限制但又需求高度能源效率的终端应用带来最高的能源效率 |
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Diodes双向开关提供单电芯及双电芯锂电池充电保护 (2015.07.20) Diodes公司推出一对双N通道增强型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX,为电池充电电路提供精密的双向低损耗开关。新产品的目标终端市场包括智慧型手机、平板电脑、相机和媒体播放器等可携式产品使用的单电芯及双电芯锂电池充电器 |
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因应伺服器设计性价比平衡为解决之道 (2015.07.09) 电源设计一直存在着数位设计与类比设计两种作法,当然作法各有优劣,端看系统的实际需求而定。 TI(德州仪器)在过去在电源管理领域也投入相当多的时间与资源,只是因应不同的应用市场,TI在市占率的表现也有所不同 |
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凌力尔特发表精准设定及回读 PMBus 兼容微型模块稳压器 (2015.06.16) 凌力尔特(Linear)日前发表双组9A或单一18A uModule(微型模块)降压DC / DC稳压器LTM4675,组件在小型11.9mm x 16mm x 3.51mm BGA封装内包含了PMBus串行数字接口。 I2C-based接口使系统设计者和远程作业人员可指挥和监督系统的电源状况和功耗 |
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英飞凌参加德国纽伦堡PCIM 2015展会 (2015.05.21) (德国慕尼黑讯)英飞凌科技(Infineon)于欧洲PCIM 2015展会首度展出英飞凌与国际整流器公司(IR)整合后的功率产品组合,此外也将展出GaN(氮化镓)产品,以及许多源自英飞凌「从产品思维到系统洞察」策略的创新解决方案 |
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安森美半导体推出全新中压N型信道MOSFET阵容 (2015.05.19) 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),针对信息网络、电信和工业应用推出新的高能效单N型信道功率MOSFET系列,进一步扩大其广泛的产品阵容。
这些器件能提供低得令人难以置信的传导电阻RDS(on)值,从而将传导损耗降至最低并提升整体工作效能 |
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取代机电继电器:英飞凌HITFET+开关产品系列首款BTF3050TE已量产 (2015.05.05) (德国慕尼黑讯)因应从继电器转移到更耐用的半导体解决方案的趋势,英飞凌科技(Infineon)推出最新 HITFET+ 保护型低侧开关系列产品,HITFET+ 系列(高整合度过热保护 MOSFET)搭载多功能组合,并内建诊断功能、短路耐用性、数字状态回馈,以及转换速率调整控制,可轻松平衡切换耗损,符合EMC标准 |
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挑战广泛电源应用 TI推DC/DC升降压控制器 (2015.04.09) DC/DC升降压芯片在电源管理市场中一直是技术层次较高的领域,所以能涵盖的应用范围相当的广,但相对的,能够驾驭这种高技术难度领域的,大多也是国际一线电源芯片业者为主 |
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Diodes低功率单信道比较器提升低压便携设备电池效能 (2015.04.08) Diodes公司为需要在低压环境下操作的电池供电设备推出下一代单信道比较器AZV3001。新产品仅消耗6uA 的电流,并确保在1.6V到高达5.5V的电压范围内,因此适合标称电源为1.8V、3.0V或5.0V的系统使用,例如手机、平板计算机及笔记本电脑,并提供高效能及延长电池寿命 |
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挟多重优势罗姆再推英特尔Atom平板电脑专用PMIC (2015.04.02) 我们都知道英特尔过往在嵌入式、平板计算机与Ultrabook等应用都投入了相当多的心力,而英特尔在IT与笔记本电脑应用都是主要的处理器供货商,所以相关的主板乃至于外围芯片业者,大多都会跟进英特尔所订定的规范,以形成完整的生态体系,其中罗姆半导体与英特尔在电源管理芯片上的合作,更是行之有年 |
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Fairchild全新SuperFET II MOSFET与高压整流器加速电动汽车设计 (2015.04.02) 快捷半导体(Fairchild)推出全新符合汽车认证的SuperFET II MOSFET与高压整流器产品系列,致力于解决汽车制造商及其零件供应商的更高阶需求,这两款新产品整体均符合更清洁、更智慧的汽车设计要求,也是提高混合动力、插电式混合动力与纯电动汽车中所使用的车载充电器与DC-to-DC 转换器之额定功率的 |
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安森美半导体获微星颁发2014年最佳合作伙伴奖 (2015.03.18) 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)在微星科技(MSI)最近的年度供货商大会上获其颁发「2014年最佳合作伙伴奖」。安森美半导体是从全球超过120家供货商中获选授此荣誉 |
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并购Enpirion有成 Altera让电源设计有更多想象 (2015.03.12) FPGA大厂Altera在两年前并购了电源芯片供货商Enpirion后,便致力于FPGA系统整体电源设计的优化,尽管过去FPGA本身的发展本就在降低功耗与提升效能上有相当多的努力,但Altera此举,无疑是希望在功耗表现上能更加出色 |
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Fairchild新型SuperFET II MOSFET系列提供最低通导电阻与广泛封装范围 (2015.03.10) 高效能电源半导体解决方案供货商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列,具备广泛的封装选项以及最低的通导电阻(Rdson)与输出电容(Coss)。全新产品阵容协助设计人员针对需要600V / 650V以上的崩溃电压的高效能解决方案,改善效率、成本效益与可靠度,更减少了组件数量,精简机板空间,为设计人员带来更大的弹性 |
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凌力尔特新款切换涌浪抑制器可针对达200V以上的瞬变提供保护 (2015.03.05) 凌力尔特(Linear)日前发表一款高效率切换涌浪抑制器LTC7860,可针对高可用性系统提供过压和过电流保护。在正常操作下,LTC7860 可连续开启外部P信道MOSFET,以最小的导通损耗将输入电压传送至输出 |
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Diodes MOSFET H桥节省50%占位面积 (2015.02.26) Diodes公司推出一对MOSFET H桥,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品透过减少组件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积,简化马达驱动和电感无线充电电路。40V额定值H桥DMHC4035LSD旨在满足车用马达驱动应用的要求;30V额定值H桥DMHC3025LSD则适合12V单相位风扇应用 |
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Diodes微型场效晶体管节省40%空间 (2015.02.13) Diodes公司为提供空间要求严格的产品设计,扩充了旗下超小型分立组件产品系列。新推出的3款小讯号MOSFET包括20V和30V额定值的N信道晶体管,以及30V额定值的P信道组件,产品全都采用DFN0606微型封装 |
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英飞凌新一代功率MOSFET具备低导通电阻 (2015.02.10) 英飞凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5旗下80V和100V两款新产品。最新一代的功率MOSFET针对高切换频率所设计,适用于电信及伺服器电源供应器等同步整流,以及其他如太阳能、低压马达和变压器等工业应用 |