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Google的诞生与成功秘诀

Google 凭借的是效能而非花俏的服务,以高水平的搜寻质量,及在用户间获得的高可信赖度,成为网络业的模范。而搜寻方法就是Google成功的秘密所在。
富士通推出能於摄氏零下55度运作的64-Kbit FRAM (2018.06.13)
富士通亚太电子有限公司台湾分公司宣布研发出型号为MB85RS64TU的64-Kbit FRAM,此款记忆体能在摄氏零下55度中运行,为富士通电子旗下首款能耐受如此低温的FRAM非挥发性记忆体
关注次世代嵌入式记忆体技术的时候到了 (2018.01.25)
次世代记忆体的产品,如FRAM,MRAM和RRAM,在物联网与智慧应用的推动下,开始找到利基市场。
物联网与AI将推升次世代记忆体需求 (2017.12.25)
经过十多年的沉潜,次世代记忆体的产品,包含FRAM(铁电记忆体),MRAM(磁阻式随机存取记忆体)和RRAM(可变电阻式记忆体),在物联网与智慧应用的推动下,开始找到利基市场
富士通针对汽车及工业控制应用推出全新FRAM解决方案 (2017.06.05)
富士通针对汽车及工业控制应用推出全新FRAM解决方案... 香港商富士通亚太电子有限公司台湾分公司推出全新FRAM (铁电随机存取记忆体) 解决方案MB85RS128TY 与MB85RS256TY,此为全新产品系列元件,可在高达摄氏125度高温环境下运作,且符合北美汽车产业AEC Q100验证规范,专为汽车产业及安装有电机的工业控制机械等设计
富士通推出运作低功耗的64 Kbit FRAM (2016.04.15)
富士通亚太电子台湾分公司推出具最低运作功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T样品。此FRAM产品采用I2C介面,能以最高3.4 MHz的频率及1.8V至3.6V广泛的电源电压运作。此外,其平均电流极低,以3.4 MHz运作时为170 μA;以1 MHz运作时则为80 μA
富士通开发全新FRAM具有4 Mbit记忆容量 (2016.03.01)
香港商富士通亚太电子有限公司台湾分公司宣布,富士通成功开发具有4 Mbit记忆容量的全新FRAM(铁电随机存取记忆体)产品─MB85RQ4ML,此产品是以高速运算改善网路装置效能的非挥发性记忆体,于四线SPI介面非挥发性RAM市场中拥有高密度,并开始以样本量供货
为1Mb序列FRAM开发超小型封装 (2015.07.14)
1 Mb FRAM(铁电随机存取记忆体)的MB85RS1MT元件,采用8针脚晶圆级晶片尺寸封装(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可让封装面积仅有目前8针脚SOP(small-outline package)封装的23%,而厚度也约其五分之一,实现将拥有序列周边介面SPI的1 Mb FRAM变成业界最小尺寸的FRAM元件
TI推出高整合度NFC感测器转发器 (2014.12.12)
符合ISO 15693标准的完全可编程设计13.56 MHz感测器转发器整合超低功耗微控制器和非挥发性铁电记忆体(FRAM) 德州仪器(TI)推出高灵活高频13.56 MHz感测器转发器系列。
Mouser供应TI LaunchPad 评估套件 启动设计项目新利器 (2014.10.27)
Mouser Electronics即日起开始供应德州仪器(TI)的MSP-EXP430FR5969 LaunchPad评估套件。新款TI LaunchPad是易使用且快速的原型设计套件,适用于具备64KB FRAM(铁电随机存取内存)的TI MSP430FR5969微控制器
智能工厂效益全面提升 就看FRAM (2014.10.21)
物联网的话题相当火热,除了MCU与网通芯片等业者纷纷大举进军的当下,其储存组件也是相当重要的环结,其中富士通半导体以FRAM(铁电随机存取内存)投入物联网应用,有着不少的着墨
德州仪器整合非挥发性FRAM内存和LCD控制器至更多应用 (2014.10.21)
德州仪器(TI)推出全新系列超低功耗MSP430 微控制器(MCU)中功耗最低的MSP430 MCU,其中具备芯片内建LCD控制器,以及一款新型低成本LaunchPad原型快速生成套件,可提供内存占用空间很小的非挥发性FRAM的全部优势
能源采集大不易 突破点就在静态电流 (2013.11.28)
能源采集这个议题在产业界的讨论并不算是相当热络,广泛来看,像是太阳能发电亦可以算是能源采集的一种。若将能源采集作一个简单的定义,将不同的能量转化为电能,就可等同视之
[Tech Spot]四大闪存替代技术 (2012.12.06)
闪存仍如日中天,智能手机消费型设备,例如平板计算机和智能手机,强劲地推动了闪存及整个半导体市场。未来几年,平板计算机的市占率将不断增加,目前最常见的闪存类型是 NAND,一位市场分析师预测:2011 至 2015 年之间, NAND的市场复合年增长率将达到 7%
TI 新款 Wolverine 微控制器平台MSP430 功耗仅竞品50% (2012.03.05)
德州仪器 (TI) 推出功耗最低的微控制器平台,使更智能、更环保、免电池的世界能快速成爲现实。该款代号 Wolverine 的超低功耗 MSP430 微控制器平台,正因其强势节能技术而以超级英雄金钢狼为名,功耗至少较业界其他微控制器降低 50% (360 nA 实时频率模式和低于 100 μA/MHz 的运行耗电量)
ST针对低成本黑盒子记录器 推出快速写入内存 (2011.07.13)
意法半导体(ST)于日前推出新款内存产品,其在紧急情况发生时能快速将重要数据记录的功能。新産品主要用于突然断电的系统数据恢复以及发现设备故障或事故原因的黑盒子记录器等应用
Ramtron推出FRAM无线内存的商用样品 (2010.08.12)
Ramtron于前日(8/10)宣布,开始提供其具有F-RAM特性之MaxArias无线内存之商用样品。Ramtron的MaxArias系列无线内存,将非挥发性F-RAM内存技术的低功耗、高速度和高耐久性等特性
Ramtron在V系列增添串行512Kb FRAM (2008.11.20)
Ramtron International推出F-RAM系列产品中的第二款串行组件FM25V05,提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行周边接口(SPI)的非挥发性RAM,采用8脚SOIC封装,特点包括快速访问、无延迟(NoDelay)写入、1E14读/写次数和低功耗
Ramtron推出1Mb并行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新并行和串行FRAM系列中的首款并行产品,提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选组件的特性。Ramtron的V系列FRAM产品中的最新组件FM28V100,是100万位、2.0至3.6V的并行非挥发性RAM,采用32脚TSOP-I封装,具备快速访问、无延迟(NoDelay)写入、无乎无限的读写次数和低功耗特性
新一代NVM内存之争 MRAM赢面大 (2008.11.12)
全球先进半导体设备及制程技术供货商Aviza今日(11/13)在台表示,MRAM有希望从多家新一代非挥发性内存(Non-Volatile Memory;NVM)技术中脱颖而出,并取代目前主流的SRAM,成为终极的通用型内存解决方案
Ramtron兆位串行FRAM内存 (2008.09.18)
Ramtron宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品,具有高速读/写性能、低电压工作和可选组件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款组件FM25V10,是100万位(Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口(SPI)的非挥发性RAM,采用8脚SOIC封装,其特点是快速存取、无延迟(NoDelay技术)写入、1E14读/写次数和低功耗

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