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CTIMES / 電阻
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管理美国网络广告的组织 - IAB

IAB是Internet Activities Board的简称,意即美国网络广告组织,是一个专门管理与观察美国网络广告活动的一个机构。
解决7奈米以上CMOS的接触电阻挑战 (2019.06.11)
随着新型??矽化技术的发展,来自爱美科(imec)的博士生Hao Yu,介绍了改进源/汲极接触方案,这将能解决先进CMOS技术接触电阻带来的挑战。
儒卓力和国巨宣布签署陶瓷电容和电阻的长期供应协议 (2018.10.11)
儒卓力被动元件产品行销总监Stefan Sutalo表示:「为现有客户保证供应无虞是我们的首要任务,这就是为甚麽我们要与可靠的合作夥伴国巨公司达成协议,从而可协助客户规划未来
Nexperia推出尺寸减小80%的汽车用功率MOSFET封装 (2017.03.17)
Nexperia前身为恩智浦(NXP)的标准产品部门,该公司推出采用新型LFPAK33热增强型无损耗封装的汽车用功率MOSFET,与业界标准元件相比,尺寸减小80%以上。如今的汽车产业要求在减小汽车内模组尺寸的同时,持续提高能源效率和可靠性,而LFPAK33元件具备显著降低的电阻,可有效因应这一日益增加的产业压力
东芝推出新款600V/650V超接面N沟道功率MOSFET (2017.02.06)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出EMI性能更佳化的600V/650V超接面N沟道功率MOSFET,该产品适用于工业和办公设备。 该新系列拥有与东芝当前的「DTMOS IV系列」相同水准的低导通电阻、高速开关性能,同时,其最佳化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB
Mouser走入Maker生活圈 (2016.10.07)
为了提供Maker更好的学习、创新环境,Mouser在该公司网站中增加了应用与技术网页,提供Maker更好的学习成长环境。
利用碳纤维奈米管强化PEEK运输盒解决方案 (2016.09.30)
STAT-PRO 9000 新一代运输承载盒可严格控制表面电阻的波动,提供出色的静电放电保护,并改善了抗磨损性及吸湿性...
第九届盛群杯HOLTEK MCU创意大赛─畅所欲言 (2015.08.18)
由于聋哑人士大多以手语作为沟通之管道,因此所使用之手语翻译系统如何能精准地判别手势并即时的翻译发声便显得重要。本文希望打破既有的研究基础上发展出一套具备准确判别手势与即时翻译发声之手语翻译系统
ROHM全新推出5W功率的电阻产品 (2014.04.21)
半导体制造商ROHM株式会社在车用电子与工业装置等需要大功率设备的电流检测用途上,研发了最佳大功率、超低阻值的电阻「PSR系列」。PSR400保证额定功率4W、PSR500则为5W,,全新推出PSR系列功率电阻产品线
IR全新20-30V StrongIRFET系列 (2014.04.08)
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩充StrongIRFET系列,为高效能运算及通讯等应用推出20到30V的组件。其中的IRL6283M 20V DirectFET为该系列的重点组件,备有极低的导通电阻 (RDS(on))
电阻微缩不遗余力 ROHM采开放心态 (2014.01.24)
观察目前日系的半导体大厂,ROHM是少数同时拥有主被动组件的半导体业者,除了模拟与功率组件等产品线外,ROHM也拥有电阻、钽质电容与萧特基二极管等。而一般来说,产业界大多都会关注主动组件业者的动向,却鲜少注意被动组件业者,最为主要的原因就在于被动组件本身就是扮演配角的角色
前进未来生活 非「触」不可 (2010.07.08)
触控,其实不是太新颖的科技,但以触控为基础马步功的崭新人机接口,宛若Chanel女士打破旧时代赋予女性的束缚,彻底击碎了传统的计算机框架。不出十年,我们的日常生活,将因为触控而有了彻底改变,走到哪都是数字信息,随处皆屏幕;手指碰得到的地方,都是键盘
Vishay推出改良式高精度箔卷绕表面贴装电阻 (2009.03.03)
Vishay日前推出经改良的VSMP0603高精度BMZF箔卷绕表面贴装电阻,该器件额定功率增至0.1 W且电阻值高达5kΩ。该组件为采用0603芯片尺寸的产品,当温度范围在-55°C至+125°C(参考温度为+25°C)时,可提供±0.2 ppm/°C的军用级绝对TCR、±0.01%的容差以及1纳秒的快速响应时间,且无振铃
Vishay推出新型Bulk Metal Z箔电阻 (2009.02.05)
Vishay日前推出新型超高精度Bulk Metal Z箔电阻E102Z。该款电阻可在-55°C到+125°C的温度范围内提供达军品级标准的绝对TCR值(±0.2 ppm/°C),容差为±0.005%(50 ppm),在+70ºC下工作2000小时的负载寿命稳定性达到±0.005%(50 ppm)
Vishay推出新型表面贴装Power Metal Strip电阻 (2009.01.19)
Vishay日前推出新型高温1-W表面贴装Power Metal Strip电阻,该产品是首款可在–65°C到+275°C温度范围内工作的2010封装尺寸电流感测电阻。WSLT2010-18电阻具有极低的电阻值范围(10-m Ω到500-mΩ)、较低的误差(低至±0.5%)和低TCR值(低至±75 ppm/°C)
Vishay推出Bulk Metal Z箔卷型表面贴装电阻 (2008.08.14)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型VSMP0603超高精度Bulk MetalZ箔(BMZF)卷型表面贴装电阻。该器件采用0603芯片尺寸的产品,当温度范围在−55°C至+125°C(参考温度为+25°C)时,可提供±0.2 ppm/°C的军用级绝对TCR、±0.01%的容差以及1纳秒的快速响应时间(几乎不可测量),且无振铃
ST推出250A功率MOSFET结合先进封装和制程 (2008.07.20)
以降低如电动汽车等电动设备的营运成本和减少对环境的影响为目标,电源应用厂商意法半导体(ST)推出一款250A表面贴装的功率MOSFET,新产品STV250N55F3低导通电阻,可将功率转换的损耗降至最低,并且能够提升系统的性能
Vishay推出新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻 (2008.07.17)
为满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求,Vishay推出新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻。这款新型器件在0°C~+60°C以及−55°C~+125°C(+25°C参考温度)的温度范围内分别具有±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C的低绝对TCR、额定功率时±5 ppm 的出色PCR(“R,由于自加热”)、±0.005%的容差,以及±0.005%的负载寿命稳定性
Vishay推出Bulk Metal表贴装Power Metal Strip电阻 (2008.06.30)
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面贴装Power Metal Strip电阻,该电阻可在限定功率及+70ºC的条件下保持2,000小时的±0.05%负载寿命稳定性,在–55ºC至+125ºC及25ºC参考温度条件下实现±15 PPM/ºC的绝对TCR,以及具有±0.1%的容差
Vishay推出新型D2TO35 35W浓膜功率电阻 (2008.06.26)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型35W浓膜功率电阻,该器件采用易于安装的小型TO-263封装(D2PAK),并且具有广泛的电阻值范围。 该新型D2TO35浓膜电阻为无电感器件,具有0.01Ω~550kΩ的宽泛电阻范围
Linear发表高整合性的uModule DC/DC稳压器 (2008.03.26)
凌力尔特(Linear)发表一款完整及高整合性的12A开关uModule(微型模块)DC/DC稳压器系统LTM4601AHVMPV,其具备锁相回路及输出追踪功能,特别针对严苛的军事和航空电子应用而设计

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