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TI：氮化??电源管理设计将被加速采用 (2022.09.15)
随着全球技术不断升级，电源设计人员对功率密度和系统级效率的关注也随之提高，从而带动更高效的宽能隙功率半导体应用由以往的资料中心扩展至测试和测量、储能系统 (ESS) 及消费性电子等应用领域 |
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??基半导体获力智、中美矽晶、罗姆和台达电共新台币4.56 亿元投资 (2022.09.14)
台达子公司??基半导体，持续专注於第三代半导体氮化??（GaN）技术用於开发功率半导体。该公司宣布已完成新一轮4.56亿新台币的增资合约签订，且在这次增资的同时，获得了与力智电子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商罗姆半导体（Rohm），以及母公司台达等夥伴建立策略合作关系，共同加速GaN功率半导体技术的发展 |
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Transphorm获得美国能源部合约 提供新型四象限氮化??开关管 (2022.09.05)
Transphorm宣布赢得一份美国能源部先进能源研究计画署(ARPA-E)的合约。该专案是ARPA-E CIRCUITS计画的一部分，透过与伊利诺理工学院的转包合约展开，包括提供采用氮化??的四象限双向开关管(FQS) |
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GaN将在资料伺服器中挑起效率大梁 (2022.08.26)
GaN具有独特的优势，提供卓越的性能和效率，并彻底改变数据中心的配电和转换、节能、减少对冷却系统的需求，并最终使数据中心更具成本效益和可扩展性。 |
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EPC推出ePower功率级积体电路 实现更高功率密度和简化设计 (2022.08.11)
宜普电源转换公司（EPC）推出ePower功率级积体电路，它整合了整个半桥功率级，可在1 MHz工作时实现高达35 A的输出电流，为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案，包括DC/DC转换、马达控制和D类音频放大器等应用 |
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飞宏新款65W配接器采用Transphorm氮化??技术 (2022.08.02)
全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏（Phihong）新推出65W 2C1A USB PD配接器，其中采用Transphorm公司的氮化??（GaN）技术。这款配接器采用Transphorm的SuperGaN第四代技术，这是一种氮化??场效应管（FET）平台，具有系统设计简单，元件数量少，高性能，高可靠等优点 |
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EPC推出高功率密度100V抗辐射电晶体 满足严格航太应用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其总剂量等级大於1 Mrad，线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装，这与其他商用的氮化??场效应电晶体（eGaN FET）和IC相同 |
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ST与MACOM射频矽基氮化??原型晶片达成技术和性能里程碑 (2022.06.14)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。
射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力 |
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[COMPUTEX] 德仪：充分运用GaN技术可提升资料中心的能源效率 (2022.05.26)
德州仪器(TI)??总裁暨台湾、韩国与南亚总裁李原荣，今（26）日於2022 COMPUTEX Taipei论坛中表示，TI将协助客户充分发挥氮化??（GaN）技术的潜力，以实现更高的功率密度和效率 |
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EPC积极发展光达应用的车规认证积体电路 (2022.04.29)
EPC公司宣布推出 额定电压?100 V、58 mΩ 和脉冲电流为20 A 的共源双路氮化??场效应电晶体EPC2221，可用於机器人、监控系统、无人机、自动驾驶车辆和吸尘器的光达系统。
EPC2221采用低电感、低电容设计，允许快速开关 (100 MHz) 和窄脉冲宽度 (2 ns)，从而实现高解析度和高效率 |
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罗姆集团旗下SiCrystal纪念成立25周年 (2022.04.28)
半导体制造商罗姆集团旗下的 SiCrystal GmbH（以下简称SiCrystal）迎来了成立25周年纪念日。SiCrystal是一家总部位於德国纽伦堡的SiC（碳化矽）晶圆制造商，经过了25年的发展，目前已将业务范围扩展到全世界，并拥有200多名员工 |
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EPC新350V氮化??功率电晶体 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普电源转换公司（EPC）推出 EPC2050，这是一款 350 V GaN 电晶体，最大 RDS(on) 为 80 mΩ，?冲输出电流? 26 A。 EPC2050 的尺寸仅为 1.95 mm x 1.95 mm。与采用等效矽元件的解决方案相比，基於EPC2050的解决方案的占板面积小十倍 |
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宏光半导体以GaN核心力全方位建构实现策略性转型 (2022.04.01)
宏光半导体专注经营发光二极管（LED）灯珠业务，持续追寻多元化发展，於年内正式投身第三代半导体氮化??（「GaN」）行业。集团凭藉其在LED制造方面的行业专业知识，将业务扩展至第三代半导体晶片设计制造及系统应用解决方案 |
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ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制 (2022.03.29)
半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用於基地台、资料中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路 |
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ST：发展碳化矽技术 关键在掌控整套产业链 (2022.03.14)
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散元件产品部（ADG）执行??总裁暨功率电晶体事业部总经理Edoardo MERLI指出，由於全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1 |
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ST第三代碳化矽技术问世 瞄准汽车与工业市场应用 (2022.03.14)
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要，由於全球能源需求正在不断成长，因此必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标 |
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下半年8寸基板将量产 第三类功率半导体2025年CAGR达48% (2022.03.10)
据TrendForce研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。
SiC适合高功率应用，如储能、风电、太阳能、电动车、新能源车等对电池系统具高度要求的产业 |
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Ampleon发布增强效能的第3代碳化矽基氮化??电晶体 (2022.02.23)
埃赋隆半导体（Ampleon）推出两款新型宽频碳化矽基氮化??（GaN-on-SiC）高电子迁移率电晶体（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度元件是最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT制程的首发产品 |
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Wise-integration与益登合作 拓展GaN IC电源半导体产品通路 (2022.02.10)
GaN晶片和GaN电源数位控制商Wise-integration(怀智整合)，携手益登科技，共同宣布针对GaN电源半导体进行通路合作，携手拓展Wise-integration在亚洲市场的业务。
益登科技与Wise-integration的策略合作将着重於利用Wise-integration的GaN功率电晶体和数位控制能力，并与益登科技在亚洲地区广泛的半导体元件销售通路和顾客服务能力做结合 |
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意法半导体推出高效节能且更纤薄的首款PowerGaN产品 (2022.01.12)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出了属於STPOWER产品组合的新系列GaN功率半导体产品，能大幅降低各种电子产品的能量消耗并缩小尺寸。主要应用於消费性电子产品，例如，充电器、PC外接电源适配器、LED照明驱动器、电视机等家电内部电源 |
IEEE的创立，是在于主导电子学的地位、促进电子学的创新，与提供会员实质上的协助。
