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Microchip扩大氮化镓（GaN）射频功率元件产品组合 (2021.12.02)
Microchip今日宣布扩大其氮化镓（GaN）射频（RF）功率元件产品组合，推出频率最高可达20 GHz的新款单晶微波积体电路（MMIC）和分离电晶体。这些元件同时具备高功率附加效率（PAE）和高线性度，为5G、电子作战、卫星通讯、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的效能水准 |
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ST隔离式SiC闸极驱动器问世 采用窄型SO-8封装节省空间 (2021.11.04)
意法半导体（STMicroelectronics）新推出之STGAP2SiCSN是为控制碳化矽MOSFET而优化的单通道闸极驱动器，其采用了节省空间的窄体SO-8封装，具备稳定的效能和精准的PWM控制。
SiC功率技术被广泛使用于提升功率转换效率，而STGAP2SiCSN SiC驱动器可简化节能型电源系统、驱动和控制电路设计以节省空间，并加强稳定性和可靠性 |
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「2021电源管理与电力设计研讨会」特别报导 (2021.10.27)
爱德克斯：高整合电驱系统当道 电机与电池模拟测试是关键
电动车产业正如火如荼的发展，包含台湾在内，各国政府也透过法令与补贴政策，全力推动电动车市场的成形 |
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ROHM荣获UAES SiC功率解决方案优先供应商殊荣 (2021.10.27)
半导体制造商ROHM荣获中国车界Tier1供应商—联合汽车电子有限公司（UAES）的SiC功率解决方案优先供应商殊荣。
UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来，双方在采用SiC功率元件的车电应用产品开发方面建立了合作伙伴关系 |
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2021年全球GaN功率厂出货排名预测 纳微半导体以29%居冠 (2021.09.30)
根据TrendForce研究显示，受惠于消费性快充产品需求快速上升，如手机品牌小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充电头，凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐，截至目前笔电厂商也有意跟进，使GaN功率市场成为第三代半导体产业中产值上升最快速的类别，预估2021年营收将达8,300万美元，年增率高达73% |
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中央大学携手是德 建立第三代半导体研发暨测试开放实验室 (2021.09.28)
是德科技（Keysight）携手国立中央大学光电科学研究中心（National Central University Optical Sciences Center），共同合作提高了GaN、SiC应用研发及测试验证之效率，并加速5G基建及电动车创新之步伐 |
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TI推出最新GaN技术 携手台达打造高效能伺服器电源供应器 (2021.09.26)
德州仪器（TI）宣布，其氮化镓（GaN）技术和 C2000 即时微控制器（MCU），辅以台达的电力电子核心技术，为资料中心开发设计高效、高功率的企业用伺服器电源供应器（PSU） |
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意法半导体推出单晶片 GaN 闸极驱动器 (2021.09.10)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出STDRIVEG600半桥闸极驱动器输出电流大，上下桥输出讯号传播延迟为45ns，能够驱动GaN加强型 FET 高频开关。
STDRIVEG600的驱动电源电压最高20V，还适用于驱动N沟道矽基MOSFET，在驱动GaN元件时，可以灵活地施加最高6V闸极－源极电压（Gate-Source Voltage；VGS），确保导通电阻Rds(on)保持在较低水准 |
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英飞凌携手Panasonic 共同加速650 V GaN功率装置技术发展 (2021.09.06)
英飞凌科技和 Panasonic 公司，已针对共同开发及生产第二代 (Gen2) 氮化镓 (GaN) 技术签订合约，基于已获认可接受的GaN技术，Gen2技术将提供更高效率和功率密度水准。
为了因应市场需求，Gen2 将会开发为 650 V GaN HEMT |
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联华电子与颀邦科技 经股份交换建立策略合作关系 (2021.09.06)
联华电子、宏诚创投(联电持股100%子公司)及颀邦科技董事会今日分别通过股份交换案，联华电子及颀邦科技两家公司将建立长期策略合作关系。
联电以先进制程技术提供晶圆制造服务，为IC产业各项应用产品生产晶片，并且持续推出尖端制程技术及完整的解决方案，以符合客户的晶片设计需求，所提供方案横跨14奈米到0 |
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新能源车需求助攻 2025年GaN功率元件年CAGR达78% (2021.09.05)
TrendForce表示，2021年随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升，驱使如基地台、能源转换器（Converter）及充电桩等应用需求大增，使得第三代半导体GaN及SiC元件及模组需求强劲 |
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盛美发布首台晶圆级封装和电镀应用电镀设备 (2021.08.31)
盛美半导体设备发布了新产品—Ultra ECP GIII电镀设备，以支援化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金（Au）镀到背面深孔制程中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率 |
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拓展碳化矽实力 安森美将收购GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生产商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 于美国时间8月25日宣布已达成最终协定，根据该协定，安森美将以4.15亿美元现金收购GTAT。
GTAT 成立于 1994 年，在包括 SiC 在内的晶体成长方面拥有丰富的经验 |
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边缘运算推升伺服器需求 英飞凌让电源供应器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的数据量正在加速爆走中，尤其是物联网和边缘运算应用被逐步导入市场之后，各种机器与设备的资料和数据，就日夜不停地被记录与传送到云端资料中心与伺服器之中，直接推升了各个领域对于伺服器的建置需求 |
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意法半导体制造首批8吋碳化矽晶圆 (2021.08.13)
意法半导体（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工厂制造出首批8吋（200mm）碳化矽（SiC）晶圆，这些晶圆将用于生产下一代功率电子晶片产品原型。将SiC晶圆升级到8吋代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计画获得重要阶段性的成功 |
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科锐携手迈凌科技 实现新型超宽频5G技术 (2021.07.14)
科锐 (Cree, Inc.,)宣布，与美商迈凌科技(MaxLinea)成功合作，结合科锐 Wolfspeed碳化矽基氮化镓(GaN-on-SiC)中频功率放大器，和美商迈凌科技超宽频线性化解决方案(MaxLin)，增加了 5G 基地台的无线容量，可支援更多人同时使用，并且提高了资料传输速度 |
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恩智浦将氮化镓应用于5G多晶片模组 (2021.07.07)
降低能源消耗（energy consumption）为电信基础设施的主要目标之一，其中每一点效率都至关重要。在多晶片模组中使用氮化镓可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高至 52%，比公司上一代模组高出8% |
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ST全新车规GaN产品系列 整合车载充电器、自驾LiDAR等智慧电路 (2021.05.26)
意法半导体（ST）推出了 STi2GaN系列智慧整合氮化??（GaN）解决方案。STi2GaN在高功率配置的高性能解决方案内整合功率级和智慧电路，满足汽车电动化趋势下的创新需求。
透过意法半导体於车用电子应用研发的丰富经验、在智慧功率技术、宽能隙半导体材料和封装技术的优势和创新成果 |
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PI推新款GaN返驰式切换开关IC 用於超小型行动充电器 (2021.05.25)
节能型电源转换高压IC大厂Power Integrations（PI）今日宣布推出InnoSwitch 4-CZ系列的高频率、零电压切换(ZVS)返驰式切换开关IC。InnoSwitch4-CZ装置结合了采用Power Integrations PowiGaN技术的750V主开关和高频主动箝位返驰式控制器，适用於手机、平板电脑和笔记型电脑的超小型充电器 |
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是德推出客制化GaN测试板 加速动态功率元件分析仪效率 (2021.05.11)
网路连接与安全创新技术商是德科技（Keysight Technologies Inc. ）宣布推出客制化氮化??（GaN）测试板，适用於是德科技旗下的动态功率元件分析仪/双脉冲测试仪（PD1500A），可协助供应商和OEM功率转换器设计人员，缩短原型开发周期，并加快让新产品问市 |
倘若供应计算机的电源发生不正常中断或是电流不稳定时，不断电系统UPS（Uninterruptible Power Supply）便担负起暂时紧急供应电源的功能，使计算机不会因停电而被迫流失数据，或者造成系统的毁损。
