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安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣布将其碳化矽(SiC)系列命名为「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极体。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能 |
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ROHM第4代SiC MOSFET成功导入日立安斯泰莫电动车逆变器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和闸极驱动器IC已被日本知名汽车零件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称日立安斯泰莫）使用於电动车（以下简称EV）逆变器。
在全球实现减碳社会的过程中，汽车的电动化进程持续加速，在此背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路 |
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Transphorm按功率段发布氮化??功率管可靠性评估资料 (2022.12.16)
Transphorm发布了针对其氮化??功率管的最新可靠性评估资料。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止，基於超过850亿小时的现场应用资料，该公司全系列产品的平均失效率(FIT)小於0.1 |
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德州仪器与群光电能合作 将GaN解决方案导入节能笔电电源供应器 (2022.12.14)
德州仪器（TI）宣布与群光电能（群电）於其最新款 65W 笔电电源供应器「Le Petit」中导入 TI 高整合式氮化??（GaN、Gallium nitride）解决方案。搭载 TI 的整合式闸极驱动器 LMG2610 半桥 GaN FET，群电与 TI 成功缩小电源供应器体积达 1/2 ，并提升电源转换效率至高达 94% |
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意法半导体与Soitec携手开发SiC基板制造技术 (2022.12.08)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）与半导体材料设计制造公司Soitec宣布下一阶段的碳化矽（Silicon Carbide，SiC）基板合作计画，意法半导体准备於18个月内完成Soitec碳化矽基板技术产前认证测试 |
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工研院与康舒开发碳化矽马达驱控器 加速台湾电动车切入国际供应链 (2022.10.25)
经济部透过科技专案，支持工研院与电源大厂康舒科技合作，并在今（25）日於康舒科技淡水厂区宣布签约。双方除了共同开发「碳化矽动力马达驱控器」，也将利用A+淬链计画补助 |
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TI：提高功率密度 有效管理系统散热问题 (2022.10.21)
几??各种应用的半导体数量都在加倍增加，电子工程师面临的许多设计挑战都与更高功率密度的需求息息相关。
·超大规模资料中心：机架式伺服器使用大量的电力，这对於想要因应持续成长需求的公用事业公司和电力工程师构成一大挑战 |
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意法半导体将於义大利兴建整合式碳化矽基板制造厂 (2022.10.06)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）将於义大利兴建一座整合式碳化矽（Silicon Carbide；SiC）基板制造厂，以支援意法半导体客户对汽车及工业用碳化矽元件与日俱增的需求，协助其迈向电气化并追求更高效率 |
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循环低碳制程技术创新 筑波分享WBG半导体材料测试方案 (2022.09.23)
现今节能减碳理念及落实相关措施已成为众多产业的重要经营方针，由经济部工业局委托工业技术研究院，依行政院循环经济推动方案，建构循环技术暨材料创新研发专区，以延揽国际专家培育研发人才为目的 |
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安森美在捷克共和国扩建碳化矽工厂 (2022.09.22)
安森美(onsemi)，厌祝其在捷克共和国Roznov扩建的碳化矽「SiC」工厂的落成。以工业和贸易部科长Zbyn?k Pokorny、兹林州州长Radim Holi?和市长Ji?i Pavlica以及其他当地政要为首的多位嘉宾出席了剪彩仪式，突显此事件和半导体制造在捷克共和国的重要性 |
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碳化矽SiC良率提升不易 恐牵连电动车与绿能发展进度 (2022.09.15)
基於其耐高温与耐高压的特色，使得碳化矽（SiC）的功率元件，成为电动车与绿能相关应用的首选电源解决方案。但由於本身材料的特性难以驾驭，使得其晶圆与元件的产能和良率偏低，短期间内将难以满足持续高涨的市场需求，甚至有可能因此限制了相关应用的发展进度 |
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TI：氮化??电源管理设计将被加速采用 (2022.09.15)
随着全球技术不断升级，电源设计人员对功率密度和系统级效率的关注也随之提高，从而带动更高效的宽能隙功率半导体应用由以往的资料中心扩展至测试和测量、储能系统 (ESS) 及消费性电子等应用领域 |
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??基半导体获力智、中美矽晶、罗姆和台达电共新台币4.56 亿元投资 (2022.09.14)
台达子公司??基半导体，持续专注於第三代半导体氮化??（GaN）技术用於开发功率半导体。该公司宣布已完成新一轮4.56亿新台币的增资合约签订，且在这次增资的同时，获得了与力智电子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商罗姆半导体（Rohm），以及母公司台达等夥伴建立策略合作关系，共同加速GaN功率半导体技术的发展 |
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Transphorm获得美国能源部合约 提供新型四象限氮化??开关管 (2022.09.05)
Transphorm宣布赢得一份美国能源部先进能源研究计画署(ARPA-E)的合约。该专案是ARPA-E CIRCUITS计画的一部分，透过与伊利诺理工学院的转包合约展开，包括提供采用氮化??的四象限双向开关管(FQS) |
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SiC牵引逆变器降低功率损耗和热散逸 (2022.08.25)
本文说明如何在EV牵引逆变器中驱动碳化矽（SiC）MOSFET，透过降低电阻和开关损耗来提高效率，同时增加功率和电流密度。 |
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EPC推出ePower功率级积体电路 实现更高功率密度和简化设计 (2022.08.11)
宜普电源转换公司（EPC）推出ePower功率级积体电路，它整合了整个半桥功率级，可在1 MHz工作时实现高达35 A的输出电流，为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案，包括DC/DC转换、马达控制和D类音频放大器等应用 |
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TI 30A闸极驱动器 减少SiC MOSFET功率损耗和热散逸 (2022.08.11)
随着电动车（EV）制造商之间为了开发成本更低、续航里程更长的车型所进行的竞争日益激烈，电力系统工程师必须设法藉由降低功率损耗和提高牵引逆变器系统效率，来提升续航里程并增加竞争优势 |
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EPC推出高功率密度100V抗辐射电晶体 满足严格航太应用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其总剂量等级大於1 Mrad，线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装，这与其他商用的氮化??场效应电晶体（eGaN FET）和IC相同 |
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ST与MACOM射频矽基氮化??原型晶片达成技术和性能里程碑 (2022.06.14)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。
射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力 |
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Wolfspeed首座8寸SiC晶圆厂投入量产 (2022.05.03)
Wolfspeed宣布其位於美国纽约州莫霍克谷（Mohawk Valley）的SiC制造工厂正式营业。这座 200mm(8英寸)晶圆厂将助力推进诸多产业从 Si 基产品向 SiC 基半导体的转型。
纽约州州长 Kathy Hochul 莅临现场并预祝 Wolfspeed 在莫霍克谷（Mohawk Valley）大展宏图 |
ITU最主要的工作就是制定无线传输设施的相关规范，例如手机、飞航通讯、航海通讯、卫星通讯系统、广播电台和电视台等无线传输设施，
