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SiC牵引逆变器降低功率损耗和热散逸 (2022.08.25)
本文说明如何在EV牵引逆变器中驱动碳化矽（SiC）MOSFET，透过降低电阻和开关损耗来提高效率，同时增加功率和电流密度。 |
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意法半导体推出单晶片 GaN 闸极驱动器 (2021.09.10)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出STDRIVEG600半桥闸极驱动器输出电流大，上下桥输出讯号传播延迟为45ns，能够驱动GaN加强型 FET 高频开关。
STDRIVEG600的驱动电源电压最高20V，还适用于驱动N沟道矽基MOSFET，在驱动GaN元件时，可以灵活地施加最高6V闸极－源极电压（Gate-Source Voltage；VGS），确保导通电阻Rds(on)保持在较低水准 |
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Silicon Labs推出Si828x版本2 优化SiC FET驱动效能 (2021.05.18)
增加Si828x版本2，使该产品系列能更有效驱动碳化矽(SiC)场效电晶体(FET)闸极，进而满足半桥和全桥逆变器以及电源供应不断成长的市场需求，这些设备需要提高功率密度、降低运行温度并减少开关损耗 |
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ST推出隔离式闸极驱动器 可安全控制碳化矽MOSFET (2021.03.30)
半导体供应商意法半导体（ST）宣布推出STGAP系列隔离式闸极驱动器的最新产品STGAP2SiCS，可安全控制碳化矽（SiC）MOSFET，且作业电源电压高达1200V。
STGAP2SiCS能够产生高达26V的闸极驱动电压，将欠压锁定（UVLO）??压提升到15.5V，满足SiC MOSFET开关二极体正常导电要求 |
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英飞凌新款650V EiceDRIVER整合靴带二极体 强化强固性及快速切换 (2021.03.26)
英飞凌科技宣布扩展旗下EiceDRIVER产品组合，推出全新650V半桥式与高低侧闸极驱动器，采用公司独特的绝缘层上矽(SOI)技术，提供市场最先进的负VS瞬态电压抗扰性与真正靴带二极体的单片整合，因此有助於降低BOM，并在精简的外型尺寸以MOSFET与IGBT打造更强固的设计 |
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英飞凌推出24V双通道低压EiceDRIVER 具备启用功能及整合式导热片 (2021.02.03)
英飞凌科技宣布扩展其EiceDRIVER产品组合，推出新款具备整合式导热片的24V双通道低压闸极驱动器，能以高切换频率及最高峰值输出电流运作，且具备启用功能。此闸极驱动器适用於切换频率较高的应用，例如功因校正、同步整流，也可用在并联MOSFET应用采用的变压器驱动器或缓冲驱动器，或是EasyPACK和EconoPACK等高电流IGBT模组 |
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ST推出低压专用闸极驱动器IC 改善无刷马达控制设计 (2021.01.20)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出一款75V以下低压工业应用高整合度三相半桥驱动器IC，这是一个节省空间、节能高效的马达控制解决方案，适用於控制电动自行车、电动工具、泵、风扇、轻型机械、游戏机和其他设备内的三相无刷马达 |
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英飞凌全新EiceDRIVER X3 Compact系列 快速整合高切换频率应用设计 (2020.12.24)
英飞凌科技针对旗下EiceDRIVER 1ED Compact隔离闸极驱动器系列，推出新一代产品X3 Compact (1ED31xx)系列。此闸极驱动器采用DSO-8 300 mil封装，提供单独的输出选项，并具备主动关断和短路箝制功能 |
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TI：整合型半桥整合器布局复杂 但能简化线路 (2020.12.15)
随着印刷电路板（PCB）的发展不断被限缩，设计工程师越是尝试挑战设计的极限，整合型多通道半桥闸极驱动器也就越受欢迎。PCB的电量与特殊需求功能逐渐增加，体积却越来越小，在设计基本型无刷闸极驱动器时，到底该坚持使用传统的离散型半桥整合器，还是使用较有整合性的三段式设计，如DRV8320，就成了开发人员的大哉问 |
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PI推出用於紧压包装IGBT模组的SCALE-2随??即用闸极驱动器 (2020.03.04)
中高压变频器应用的闸极驱动器技术厂商Power Integrations(PI)今日推出1SP0351 SCALE-2 单通道+15/-10V随??即用闸极驱动器，专为来自Toshiba、Westcode和ABB等制造商的全新4500V紧压包装IGBT(PPI)模组而开发 |
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PI闸极驱动器获AEC-Q100汽车认证 轻巧节能SID1181KQ确保系统安全 (2020.01.14)
中高压变频器应用闸极驱动器技术厂商Power Integrations，今日宣布推出获得汽车认证的SID1181KQ SCALE-iDriver闸极驱动器，其适用於额定电压为750V的IGBT。继推出1200V SID1182KQ驱动IC之後，该新零件扩大了公司内获得汽车认证之驱动IC的范围 |
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英飞凌推出新款双通道隔离闸极驱动器 IC 系列产品 (2018.11.28)
英飞凌科技股份有限公司推出全新双通道隔离式 EiceDRIVER IC 系列，适用於高效能电源转换应用。新款闸极驱动器 IC 系列产品是高压 PFC 与 DC-DC 级以及伺服器、电信及工业切换模式电源供应器 (SMPS) 中的同步整流级的理想选择 |
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EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可实现优异冷藏效率 (2018.10.25)
本文说明闸极驱动器电路有效设计的基本考量，以及结合运用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所带来的效益。 |
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英飞凌1EDC Compact系列单通道闸极驱动器 符合UL 1577认证 (2018.05.31)
英飞凌科技股份有限公司推出EiceDRIVER 1EDC Compact 300 mil系列的单通道闸极驱动器 IC。本系列电气隔离驱动器可承受60秒的 VISO= 2500V(rms) 隔离电压测试，符合UL 1577 认证。
由於切换频率高达1,000kHz，不仅能驱动IGBT，也能整合至要求严苛的SiC MOSFET拓扑中 |
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Power Integrations的SCALE闸极驱动器现已提供保形涂层 (2018.05.03)
Power Integrations宣布保形涂层用於其SCALE IGBT和MOSFET驱动器，保形涂层透过保护电子元件免於接触污染物 (例如污染、灰尘和冷凝，这些可能会造成腐蚀)，来提升系统可靠性，Power Integrations出厂的涂层闸极驱动器不需要制造商将电路板传送给分包商进行清洁和涂布，从而降低库存成本、缩短订货交付时间，以及降低总拥有成本 |
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Power Integrations 最新闸极驱动器 供高达5A的电流 (2017.11.29)
Power Integrations推出其SCALE-iDriver IC系列的最新产品SID1102K，是一款采用宽本体eSOP封装的单通道隔离式IGBT和MOSFET闸极驱动器。
具有高达5A的峰值驱动电流，能够在不使用升压器的情况下驱动300A切换开关；可使用外部升压器，以具有成本效益的方式将闸极电流扩展至高达60A的峰值 |
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简化高电压、高电流变频器 (2017.11.02)
本文聚焦於 EV 变频器，探讨在降低成本的同时，提高系统效率及功能安全性的未来趋势。 |
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凌力尔特推出38V输入同步升压控制器 (2016.11.08)
凌力尔特（Linear Technology）日前推出 H 等级版本的 LTC3786，该元件为一款同步升压 DC/DC 控制器，可保证于接面温度高达摄氏150度的操作。 LTC3786 采用 N 通道 MOSFET 取代升压二极体以提高效率并降低功耗 |
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德州仪器推出适用于高压应用的快速隔离式闸极驱动器 (2016.08.03)
德州仪器（TI）推出快速的5.7k VRMS隔离式双通道闸极驱动器、同时也为TI隔离产品组合中新闸极驱动器产品系列中的第一款产品。 UCC21520隔离式驱动器的灵活性和通用相容性，使其适合应用于低阶、高阶、高阶/低阶或半桥式电源管理设计中 |
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Diodes闸极驱动器可在半桥或全桥组态下开关功率MOSFET与IGBT (2016.03.14)
Diodes公司新推出的DGD21xx系列包括6款半桥式闸极驱动器及6款高/低侧600V闸极驱动器，可在半桥或全桥组态下轻易开关功率MOSFET与IGBT。目标应用包括大型家电的驱动马达、工业自动化系统以及电动自行车和无人驾驶飞机等以电池供电的运载工具 |
ITU最主要的工作就是制定无线传输设施的相关规范，例如手机、飞航通讯、航海通讯、卫星通讯系统、广播电台和电视台等无线传输设施，
