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CTIMES / Vishay
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只有互助合作才能双赢——从USB2.0沿革谈起

USB的沿革历史充满曲折,其中各大厂商从本位主义的相互对抗,到尝尽深刻教训后的Wintel合作,能否给予后进有意「彼可取而代之」者一些深思与反省?
威世科技新型IHLP电感具有耐高温性能 (2017.05.26)
适合于极端环境下运作的工商业应用 威世科技(Vishay Intertechnology) 推出了一款新型IHLP超薄、高电流电感,可在摄氏+155度高?下运作,外形尺寸为1616,厚度仅为2 mm,适合用于在极端环境下运作的商业与工业应用
大联大世平集团推出适用于智慧家居的智慧感测器解决方案 (2016.04.19)
致力于亚太区市场的半导体零组件通路商大联大控股宣布,旗下世平集团将推出8款适用于智慧型家居的智慧感测器解决方案,产品线包括恩智浦半导体(NXP Semiconductors), TI和Vishay
威世科技推出新款8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L封装 (2015.08.04)
威世科技(VISHAY)推出新款8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L 封装,旨在针对汽车应用常用的D2PAK 及DPAK 器件提供节省空间又节能的高电流替代方案。威世Siliconix SQJQ402E 40 V TrenchFET功率MOSFET 是业界首款通过AEC-Q101 认证且尺寸为8 mm x 8 mm 的MOSFET,也是首款采用海鸥脚引线,来消除机械应力的8 mm x 8 mm 封装
威世科技VRPower整合DrMOS提供多相于高功率密度调节器POL (2014.12.25)
威世科技(Vishay)推出新型VRPower整合型DrMOS功率级解决方案,提供三种PowerPAK封装尺寸,以应对高功率高效率多相POL应用领域。威世Siliconix SiC789与SiC788采用MLP66-40L封装,为Intel 4.0 DrMOS 标准(6 mm x 6 mm)脚位,而SiC620及SiC620R则采用全新的5 mm x 5 mm MLP55-31L封装,SiC521则是4.5 mm x 3.5 mm的MLP4535-22L封装
威世新型高分子钽电容器提供极低ESR效能 (2014.12.24)
威世科技(Vishay)推出全新的vPolyTan系列,表面封装高分子钽电容器,该系列电容器具有五种极密外壳尺寸。威世Polytech T55系列专为电脑、电信及工业应用而优化,装置的ESR 极低
Vishay多款新型IGBT模组适用于太阳能逆变器与UPS (2014.12.22)
此类可扩充元件采用EMIPAK 封装,适用于NPC 架构、3-level inverter (逆变器)及多组升压转换器 威世(Vishay)科技近期推出四款新型IGBT 电源模组,此四款电源模组,专用于太阳能串列逆变器及中阶功率不断电电源供应器(UPS)等架构
威世科技推出新型高压薄膜电阻分压器网络 (2014.10.17)
威世科技(Vishay)推出新款高压薄膜表面贴装式电阻分压网络,为客户提供了紧凑型高精度产品,能够替代功能相当的基于厚膜技术的产品。 威世新型达勒电膜产品HVRD具下列特点:绝对公差1 %、公差比率 0.1 %、绝对TCR低至正负50 ppm/°C、TCR追踪至正负10 ppm/°C
威世科技MC AT专业车用电阻通过AEC-Q200认证 (2014.10.16)
为满足对 AEC-Q200 认证组件的不断增长的需求,威世科技(Vishay)宣布 MC AT 转业系列车用薄膜芯片电阻目前在整个阻值范围内皆通过AEC-Q200认证。威世贝士拉格装置专为汽车及工业应用的严苛环境条件而设计,能在此类环境下稳定运作,+175 °C的高温性能可长达1000小时
Vishay推出全新表面黏着铝质电容 温度特性佳与低组抗特性 (2013.02.19)
Vishay Intertechnology公司近期宣布了新系列表面表面黏着铝质电容,它结合了高的工作温度范围达+ 150°C,和非常低的阻抗,且使用寿命长。为了提高加工的灵活性,日前,Vishay BCcomponents 160 CLA的特性满足严格的IPC / JEDEC的J-STD-020焊接回流条件
Vishay推出新型空心轴及蒸汽阀位置传感器 (2009.03.21)
Vishay推出新型空心轴及蒸汽阀位置传感器981 HE,该传感器采用霍尔效应技术,适合应用于恶劣环境中。新款981 HE可在高频率震动高达50G,运作温度范围为-45℃到+125℃之间,可作为航海、起重机、汽车应用中的踏板位置传感器、倾斜控制与定位等位置传感器
Vishay发表新型20V P信道第三代MOSFET (2009.03.10)
Vishay发表采用其新型p信道TrenchFET第三代技术的首款组件,该20V p信道MOSFET采用SO-8封装,具最低的导通电阻。 新型Si7137DP具有1.9mΩ(在10V时)、2.5mΩ(在4.5V时)和3.9mΩ(在 2.5V时)的超低导通电阻
Vishay推出改良式高精度箔卷绕表面贴装电阻 (2009.03.03)
Vishay日前推出经改良的VSMP0603高精度BMZF箔卷绕表面贴装电阻,该器件额定功率增至0.1 W且电阻值高达5kΩ。该组件为采用0603芯片尺寸的产品,当温度范围在-55°C至+125°C(参考温度为+25°C)时,可提供±0.2 ppm/°C的军用级绝对TCR、±0.01%的容差以及1纳秒的快速响应时间,且无振铃
Vishay发布其第七代通用高压电源模块系列 (2009.02.27)
Vishay发布其第七代通用高压电源模块系列。第七代模块均采用与TO-240AA兼容的ADD-A-PAK 封装,将两个有源组件整入各系列,并包括标准二极管、可控硅/二极管、可控硅/可控硅及肖特基整流器组合
Vishay推出新系列螺钉安装式高电压圆盘电容器 (2009.02.16)
Vishay宣布推出新系列螺钉安装式高电压圆盘电容器,这些器件为设计人员提供了多种直径和电容值选择,其额定电压为10kVDC~40kVDC。 凭借低交流与直流系数,以及可忽略的压电/电致伸缩效应,Vishay Cera-Mite 715CxxKT系列可专用于具有高峰值电流及高重复率的电路
Vishay推出新款光电二极管环境光传感器 (2009.02.13)
Vishay推出采用0805尺寸小型表面贴装封装、厚度为0.85 mm及简单两引脚连接的光电二极管环境光传感器,从而扩展了其光电产品系列。新型TEMD6200FX01以类似人眼的方式响应灯光,从而可自动控制LCD亮度和按键区的背光,并可实现诸多高级汽车驾驶方面舒适及安全的功能
Vishay推出新型Bulk Metal Z箔电阻 (2009.02.05)
Vishay日前推出新型超高精度Bulk Metal Z箔电阻E102Z。该款电阻可在-55°C到+125°C的温度范围内提供达军品级标准的绝对TCR值(±0.2 ppm/°C),容差为±0.005%(50 ppm),在+70ºC下工作2000小时的负载寿命稳定性达到±0.005%(50 ppm)
Vishay宣布推出首款带翼式超薄、大电流电感器 (2009.02.05)
Vishay宣布推出首款带翼式超薄、大电流电感器。IHLW-5050CE-01旨在用于保险(cut-out)PCB 上,通过使用较大部件可为设计人员提供大电流解决方案,而在电路两板侧的厚度不超过1.2 mm
Vishay推出采用MICRO FOOT芯片级封装MOSFET (2009.02.02)
Vishay宣布推出首款采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET,该器件具有背面绝缘的特点。 Si8422DB针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化
Vishay推出新系列低抗阻铝电容器 (2009.02.02)
Vishay宣布推出新系列径向铝电容器,此系列组件具有极低的抗阻值、高电容及高纹波电流,并可运作于高达+125℃的高温。146 RTI组件可采用13种封装尺寸,以10㎜×12㎜至较大的18㎜×35㎜
vishay推出超小型表面贴装红外接收器系列 (2009.01.23)
Vishay推出用于遥控系统的新型超小型表面贴装(SMD)红外接收器系列,从而拓宽了其光电子产品系列。TSOP75xxx系列器件具有0.15 mW/sqm的典型辐照度、在3.3 V时0.35 mA的超低电流、侧视型的厚度仅为3.0 mm及极佳敏感度/尺寸比

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