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Vishay推出新系列螺钉安装式高电压圆盘电容器 (2009.02.16)
Vishay宣布推出新系列螺钉安装式高电压圆盘电容器，这些器件为设计人员提供了多种直径和电容值选择，其额定电压为10kVDC～40kVDC。
凭借低交流与直流系数，以及可忽略的压电/电致伸缩效应，Vishay Cera-Mite 715CxxKT系列可专用于具有高峰值电流及高重复率的电路 |
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Vishay推出新款光电二极管环境光传感器 (2009.02.13)
Vishay推出采用0805尺寸小型表面贴装封装、厚度为0.85 mm及简单两引脚连接的光电二极管环境光传感器，从而扩展了其光电产品系列。新型TEMD6200FX01以类似人眼的方式响应灯光，从而可自动控制LCD亮度和按键区的背光，并可实现诸多高级汽车驾驶方面舒适及安全的功能 |
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Vishay推出新型Bulk Metal Z箔电阻 (2009.02.05)
Vishay日前推出新型超高精度Bulk Metal Z箔电阻E102Z。该款电阻可在-55°C到+125°C的温度范围内提供达军品级标准的绝对TCR值（±0.2 ppm/°C），容差为±0.005%（50 ppm），在+70ºC下工作2000小时的负载寿命稳定性达到±0.005%（50 ppm） |
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Vishay宣布推出首款带翼式超薄、大电流电感器 (2009.02.05)
Vishay宣布推出首款带翼式超薄、大电流电感器。IHLW-5050CE-01旨在用于保险（cut-out）PCB 上，通过使用较大部件可为设计人员提供大电流解决方案，而在电路两板侧的厚度不超过1.2 mm |
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Vishay推出采用MICRO FOOT芯片级封装MOSFET (2009.02.02)
Vishay宣布推出首款采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET，该器件具有背面绝缘的特点。
Si8422DB针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化 |
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Vishay推出新系列低抗阻铝电容器 (2009.02.02)
Vishay宣布推出新系列径向铝电容器，此系列组件具有极低的抗阻值、高电容及高纹波电流，并可运作于高达+125℃的高温。146 RTI组件可采用13种封装尺寸，以10㎜×12㎜至较大的18㎜×35㎜ |
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vishay推出超小型表面贴装红外接收器系列 (2009.01.23)
Vishay推出用于遥控系统的新型超小型表面贴装(SMD)红外接收器系列，从而拓宽了其光电子产品系列。TSOP75xxx系列器件具有0.15 mW/sqm的典型辐照度、在3.3 V时0.35 mA的超低电流、侧视型的厚度仅为3.0 mm及极佳敏感度/尺寸比 |
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Vishay推出传感器等应用小型SMD红外接收器 (2009.01.23)
Vishay推出为传感器和光系统应用的小型SMD接收器，其快速反应时间、不易受电压波动与EMI噪音影响，以及在5V时具有0.85mA典型低电流等特点，此组件可在所有光环境中提供稳定性能 |
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Vishay推出的新型Sfernice面板电位计 (2009.01.20)
Vishay推出两款微型面板电位计，这两款产品具有5,000 VRMS的高抗电强度，采用金属陶瓷和导电塑料材料，可提供多种模块和接线端类型。新的P11P和P11D尺寸仅为 12.5-mm，可为设计者提供针对其他低成本面板电位计的替代选择 |
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Vishay推出新型表面贴装Power Metal Strip电阻 (2009.01.19)
Vishay日前推出新型高温1-W表面贴装Power Metal Strip电阻，该产品是首款可在–65°C到+275°C温度范围内工作的2010封装尺寸电流感测电阻。WSLT2010-18电阻具有极低的电阻值范围（10-m Ω到500-mΩ）、较低的误差（低至±0.5%）和低TCR值（低至±75 ppm/°C） |
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Vishay新推出超薄型大电流电感器 (2008.12.26)
Vishay宣布推出采用2020封装尺寸的新型IHLP超薄型大电流电感器。此款小型组件IHLP-2020BZ-11具有2.0mm超薄度以及更广泛的电感范围和较低的DCR。
凭借高达1MHz的频率范围，新型IHLP电感器成为终端产品中稳压器模块（VRM）和直流到转换器应用的小型高性能低功耗解决方案 |
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Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET (2008.12.24)
Vishay宣布推出新型20-V和30-V p-信道TrenchFET功率MOSFET。该器件采用SO-8封装，具有±20-V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
现有的同类SO-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24 mΩ，而Si7633DP具有3.3 mΩ（在10 V时）及 5.5 mΩ（在4.5 V时）的超低导通电阻 |
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Vishay宣布推出采用2020封装尺寸电感器 (2008.12.22)
Vishay宣布推出采用2020封装的新型IHLP薄型，高电流电感器。此款小尺寸IHLP-2020CZ-11组件仅有3.0mm厚度，宽泛的电感范围与低DCR。
该新型IHLP电感器成为终端产品稳压器模块和直流到直流转换器应用的小型高性能低功耗解决方案，适用于笔电，个人多媒体设备等行动终端产品 |
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Vishay结合20V n信道功率MOSFET及肖特基二极管 (2008.12.17)
Vishay宣布推出超小的20V n信道功率MOSFET＋肖特基二极管。SiB800EDK采用1.6mm×1.6mm的热增强型 PowerPAK SC-75封装，其将在100 mA时具有0.32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至 1.5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合 |
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Vishay提供IHLP电感开关损失在线免费计算工具 (2008.12.17)
Vishay目前在其网站上提供了计算IHLP电感器开关损失的免费工具。这种易于使用的开关损失计算器可针对各个单独应用进行定制，从而使设计人员能够选择正确的部件以优化板设计，同时加速产品上市时间 |
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Vishay新增两款第三代功率MOSFET产品 (2008.12.04)
Vishay推出两款20V和30V n信道组件，扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些组件采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，大幅降低切换损耗及提高切换速度 |
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Vishay MicroTan芯片式钽电容器获EDN创新奖 (2008.12.04)
Vishay宣布其TR8模塑MicroTan芯片式钽电容器荣获EDN China无源组件、连接器及传感器类别的创新奖。
EDN China杂志的年度创新奖创立于2005年，该奖项旨在奖励在过去一年中塑造了半导体行业的人员、产品及技术 |
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Vishay新推采用SMD PLCC2封装红外线发射器 (2008.11.25)
Vishay推出采用PLLCC2封装的新型870nm SMD红外发射器，此发射器具低正向电压及高辐射强度。
新型VSMF4720具有±60º宽视角及16Mw/sr的高辐射强度（在100Ma时），其强度比其他采用PLCC2封装的发射器大150% |
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Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.11.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n信道器件，扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装，在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与闸极极电荷乘积 |
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Vishay推出新型USB-OTG总线端口保护数组 (2008.11.17)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型超薄ESD保护数组，该器件具有低电容和漏电流，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号损坏。新器件在工作电压为5.5V时提供三线USB ESD保护，在工作电压为12V时提供单线VBUS保护 |
