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Vishay发表二款红外线收发器 (2006.05.21)
Vishay Intertechnology在其光电子产品系列中增添了两款新型红外收发器，这两款器件支持将直接来自拍照手机的数字图片传送到电视、打印机及其它支持的拍照手机的 IrDA 高速 IrSimpleShot协议 |
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Vishay新型固体钽电容器芯片问世 (2006.05.18)
Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出采用朝下端子（face-down termination）的无引线框钽电容
器，从而为设计人员提供了面向移动电子系统的小型电容器的新来源。
Vishay的新型298D MicroTan表面贴装电容器在16V时电容值为1µF |
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Vishay推出三款双单刀双掷单片CMOS模拟开关 (2006.05.09)
Vishay推出三款双单刀双掷(SPDT)单片CMOS模拟开关，这些器件在尺寸较小的封装中结合了低工作电压范围及低导通电阻额定值，它们主要面向可擕式及电池供电终端产品中的信号路由应用 |
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Vishay推出新系列表面贴装铝电容器 (2006.05.03)
Vishay Intertechnology宣布推出新系列表面贴装铝电容器，这些器件具有超低阻抗、高纹波电流、较长使用寿命，以及在无铅 (Pb) 条件下具有可焊接性。这些新型 150 CRZ 电容器还符合欧盟有害物质使用限制规范 (RoHS) |
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Vishay推出无铅高强度SMD LED (2006.04.01)
Vishay Intertechnology宣布推出可使用无铅 (Pb) 回流焊工艺的高强度 SMD LED，这些产品可直接替代 Vishay TLM 系列中的器件。新型 VLM 系列中的器件主要用于包括以下方面的应用︰汽车仪表板、收音机及开关中的背光；电信系统、音视频设备及办公设备中的指示灯与背光；LCD、开关及标志的平面背光 |
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Vishay推出超小、超强亮度的白光MiniLED (2006.03.26)
为满足对表面贴装白光 LED 日益增长的需求，Vishay Intertechnology推出了超小、超强亮度的白光MiniLED。这款新型 VLMW2100 SMD MiniLED 采用 2.3 毫米 × 1.3 毫米 × 1.4 毫米的超薄封装，并且进行了光强度分类，其采用与 Osram 相同的分类与命名方案 |
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Vishay推出新型的光敏闸流体产品系列 (2006.03.26)
Vishay正在向其光敏闸流体产品系列中增添 12 款新型器件，这些器件具有5kV/μs 的静态 dV/dt，比其它供货商提供的仅次于它们的器件高五倍。这些新型光敏闸流体器件使客户能够在 58 种基本光敏闸流体部件编号（不包括电及引线类型选件）中进行选择，广泛的品种足以满足任何应用要求 |
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Vishay新型双光电MOSFET驱动器问世 (2006.02.27)
Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出一款新型固体继电器——双光电MOSFET驱动，该器件实现了断路电压与短路电流组合。与等同的电机械继电器设计相比，当与Vishay Siliconix MOSFET相结合时，这款新型VO1263AB可实现更长的产品使用寿命、更高的可靠性及更快速的切换 |
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Vishay 推出面向主端滤波缓冲器 (2006.02.13)
Vishay Intertechnology, Inc.推出面向主端滤波缓冲器且电容范围介于68μF～820μF的新系列铝电解电容器。这些电容器的容差为20%，在 +85°C时有效使用时间长达2,000小时。Vishay BCcomponents 093 PMG-SI系列电容器的额定电压为400V、420V 及 450V，工作温度范围介于-25°C～+85°C |
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Vishay推出新型5瓦Power Metal Strip电阻器 (2006.02.13)
Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出一款新型5瓦Power Metal Strip电阻器，该电阻器是业界在小型 2818封装中能够提供5瓦功率的首款器件。这款新型表面贴装Power Metal Strip电阻采用0.280英寸×0.180英寸×0.032英寸[7.1毫米×4.6毫米×0.813毫米]封装，并且具有1毫欧～100毫欧的超低电阻值 |
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Vishay新组件系列 扩展瓷盘电容器范围 (2006.02.09)
Vishay Intertechnology推出两个可实现RFI/EMI抑制的新型高可靠性组件系列，从而扩展其瓷盘电容器范围。VY1与VY2电容器符合EN132400/IEC 60384–14第二版ENEC-VDE、UL1414及CSA标准要求，并且可用于线分流及跨接线配置，以抑制共模及差模干扰 |
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Vishay推出五款新型VFCP电阻 (2006.02.06)
Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出VFCP系列超高精度表面贴装Bulk Metal Z箔(BMZF)电阻，这些器件采用倒装片配置，可提供出色的功率尺寸比。这五款新型VFCP电阻是将70°C时750mW的高额定功率、低至±0.005%的长期稳定性、±0.2ppm/°C的超低典型TCR、在额定功率时±5ppm的出色PCR及±0.01%的低容差等特性集于一身的器件 |
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Vishay推出一款芯片电阻分压器CDHV (2006.01.19)
Vishay Intertechnology宣布推出一款小型表面贴装芯片电阻分压器CDHV，该器件在高压下可实现出色的比例稳定性。这款新型电阻分压器主要用于高压电源、电源开关设备及变频器控制 |
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Vishay推出创新型PolarPAK封装两款功率MOSFET (2005.12.23)
Vishay宣布，该公司正推出率先采用其创新型PolarPAK封装的两款功率MOSFET，该封装使用双面冷却，可降低热阻、封装电阻及封装电感，从而实现更高效、更快速的开关功率MOSFET |
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Vishay推出全数字2.4GHz无线链结RFWaves参考设计 (2005.12.12)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出一款使用全数字2.4GHz无线链结的全面Vishay RFWaves参考
设计，其主要面向基于USB的无线手机。该系统的目标应用包括VoIP、基于PC的无绳电话，以及基于 PC的“智能”玩具 |
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Vishay推出新型同步降压控制器IC (2005.12.07)
Vishay Intertechnology,Inc.推出两款可与外部MOSFET共同运行的新型同步降压控制器IC，这些器
件在需要10A输出电流的直流到直流转换器电路中具有的外部组件数最少。
高压SiP12201及低压SiP12202控制器均可在电池供电系统、电信及工业终端系统等广泛应用中实现灵活、高效的电压转换 |
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Vishay新型薄膜扁平芯片电阻问世 (2005.12.06)
Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 0402、0603、0805及1206封装且电阻值分别为221kΩ、511kΩ、1.5MΩ及 2.0MΩ的器件，从而扩展了其Vishay Beyschlag薄膜扁平芯片电阻系列 |
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Vishay推出17款新型功率MOSFET (2005.12.01)
Vishay推出17款新型功率MOSFET，这些器件采用小型PowerPAK 1212-8封装，并且具有低至3.7mΩ的超低导通电阻值。这些TrenchFET第二代器件实现了巨大的空间节约，它们的尺寸仅为3.3毫米×3.3毫米×1毫米，仅是SO-8封装的1/3，并且它们还具有不足2°C/W的低热阻，这一热阻值比SO-8器件低8倍 |
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Vishay推出新型TR3系列模塑钽电容器芯片 (2005.11.18)
Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出新型TR3系列模塑钽电容器芯片。凭借低至0.035Ω的ESR以及最大为2.07A(100kHz、470µF)的纹波电流，这些电容器可提供高效率。低ESR值在直流到直流转换应用中可实现更高效的滤波，而这些器件处理高电流的能力在微处理器大型能量存储应用中非常关键 |
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Vishay推出新型表面贴装芯片式电阻衰减器 (2005.10.24)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型表面贴装芯片式电阻衰减器，这些器件可替代三个或更多分立组件，从而降低板面空间要求以及简化更小、更轻的电子系统的制造。
新型Vishay Dale CZA04S与CZA06S主要面向电信及移动无线产品中的射频信号衰减应用 |
总的来说，一系列与时俱进的Bus规格标准，便是不断提升在计算机主机与接口设备之间，数据传输速度、容量与质量的应用过程。下面我们就简介几个重要的总线应用规格标准。
