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中芯国际将以0.11微米制程为英飞凌代工DDRⅡ (2005.04.22)
据外电消息，中国大陆最大晶圆代工业者中芯国际表示，该公司已经导入0.11微米制程为英飞凌（Infineon）生产DDRⅡ芯片；中芯并且表示，在不久后可望以0.10微米制程，为另一技术合作伙伴尔必达（Elpida）打造DDRⅡ芯片 |
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全球DRAM产出量成长趋缓 (2005.03.14)
据内存通路业者集邦科技统计，二月份全球DRAM产出约达4亿7100万颗256Mb约当颗粒，较一月份增加5％，其中自英飞凌月出货量重回7300万颗水平，此外包括三星、南亚科、尔必达等各家DRAM厂，二月份0 |
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Elpida兴建第二座12吋厂 将导入80奈米制程 (2005.03.10)
日本DRAM业者尔必达（Elpida）表示，宣布将在2005年内对兴建中的12吋晶圆厂广岛二厂投资1000亿日圆（约9.5亿美元），新厂预计于2005年12月开始量产。目前尔必达增强12吋晶圆产能计划进度如预期，一厂采90奈米制程，目前生产线产能满载，最大产能可达3万片 |
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南亚科计划兴建自有12吋晶圆厂 (2005.02.27)
DRAM南亚科技表示正在考虑自行兴建12吋晶圆厂，并且将全球市占率由现行的5％提高至10％，但该公司并未提及时间表。
南亚科技先前与德国英飞凌（Infineon）共同合资成立华亚科技；华亚目前拥有一座12吋晶圆厂，单月产能已达2.4万片，并直接供货予英飞凌及南亚科两家母公司 |
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Rambus向国际多家内存业者提出侵权诉讼 (2005.01.26)
据外电消息，美国内存芯片设计业者Rambus，分别对内存业者包括韩国Hynix、德国英飞凌（Infineon）、台湾南亚科技与Inotera Memories提起一项专利侵权诉讼，控告前述几家公司的DDR2内存设备，以及GDDR2和GDDR3图形内存设备，侵犯其多达18项的专利 |
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专利侵权告不完 Mosaid宣布已与三星和解 (2005.01.24)
据外电消息，加拿大半导体厂商Mosaid Technologies于2001年在美国控告南韩三星电子（Samsung Electronics）侵犯该公司7项DRAM科技专利权，日前Mosaid表示该诉讼已与三星达成和解，双方将签订为期5年的授权协议，由三星支付Mosaid权利金；但双方并未透露相关细节 |
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传茂德计划斥资10亿美元在中国兴建晶圆厂 (2005.01.19)
继南韩DRAM厂三星电子宣布提高半导体资本支出后；国内DRAM业者力晶、茂德与华亚科技也纷纷展开开始进行新的筹资建厂计划；据业界消息，其中茂德计划一旦赴中国投资8吋晶圆厂申请案通过后，在2005下半年即斥资十亿美元兴建中国新厂 |
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营运第一年就获利 华亚创12吋晶圆厂纪录 (2005.01.17)
国内SRAM大厂南亚科技与德商英飞凌科技（Infineon）合资兴建的12吋晶圆厂华亚科技总经理高启全，于该公司年终晚会中指出，华亚2004年即创下全球首座12吋晶圆厂在第一年就获利的纪录，2005年将全力冲刺，朝第二阶段月产能5.4万片的目标迈进 |
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2005年上半 DRAM小心跌价 (2005.01.16)
据外电消息，市场预期内存芯片价格在2005年中以前将下滑30％甚至更多，更不排除有低于制造成本的危险，主因是内存芯片制造商将2004年丰厚的获利投资于新的生产在线，而激化供过于求情况 |
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市况佳 DRAM厂商2005年扩大资本支出 (2005.01.05)
据外电消息，由于全球DRAM市场2004年成绩亮眼，市调机构iSuppli发表预测报告指出，DRAM厂商为因应市场需求不断提升，2005年应会持续扩大资本支出升级生产设备，并降低每颗DRAM的生产成本；预估全球前12大DRAM厂商2005年资本支出金额将达126亿美元，超越2004年的105亿美元 |
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PC主存储器迈向DDR2世代 (2005.01.01)
DRAM的高速化是PC主存储器重要发展趋势之一；目前400MHz的DDR DRAM已逐渐无法满足未来PC的高速需求，而更新一代的DDR2俨然成为接班主流；DDR2拥有比DDR更高的效能、速度及低耗电等特性，并有效提升周边接口及装置整体操作效能 |
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DRAM市场2005年小成长 2006年恐陷衰退 (2004.12.21)
根据市调机构iSuppli针对内存市场所发布的最新报告，全球DRAM在2005年可望微幅成长，主因是包括256Mb转512Mb、DDR转DDR2、0.11微米转90奈米等世代交替，将使DRAM供给端成长率受制，不至于出现供过于求现象；不过待2006年世代交替告一段落之后，各家DRAM供货商的12吋厂晶圆厂全面量产，将可能出现大幅衰退，并拖累当年全球半导体市场成长 |
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下游库存偏低 DRAM现货价止跌反弹 (2004.12.14)
据业界消息，韩国、台湾DRAM现货价在下游库存偏低的情况下止跌反弹；其中台湾DDR400现货报价平均价重新站上4美元整数关卡， 韩国DDR400模块现货价也从37美元回升至42美元，反弹幅度达11％ |
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茂德科技公布2004年11月营收 (2004.12.09)
茂德科技公布11月营收为新台币35.86亿元，与去年同期相较，成长40.37%；累计1-11月营收为新台币396.12亿元，与去年同期相较，成长77.36%。
茂德科技发言人林育中资深处长指出，11月份合约价维持与10月持平之水平，然因现货价较上月下滑与受汇损之影响，故11月营收表现无法超越10月 |
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力晶已向应材采购100套12吋晶圆设备 (2004.12.02)
半导体设备大厂应用材料宣布，12吋晶圆厂月产能迈向4万片的DRAM大厂力晶半导体，向应材采购的第100套12吋晶圆制程用钨金属化学机械研磨设备（CMP）已完成装机，象征双方合作关系紧密 |
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茂德捐赠价值9千万的半导体制程设备 (2004.12.01)
茂德科技为响应行政院劳工委员会培训「有准备的劳动力」政策，捐赠总价值逾新台币九千万元的除役半导体制程设备，作为中部地区新兴产业科技人才培训之用，协助劳委会为中部科学园区全面发展，将引发的高科技人才需求效应预作准备 |
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茂德科技公布九月营收 (2004.10.08)
茂德科技公布九月营收为新台币36亿元，与去年同期相较，成长36%；累计一至九月营收为新台币322亿元，与去年同期相较，成长89%。
茂德科技发言人林育中资深处长表示，由于九月DRAM合约价及现货价皆上扬，故九月营收成长；十月上旬合约价及现货价将维持相同的成长力道，预计十月营收将会比九月表现佳 |
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产能吃紧 台湾封测厂拟调涨代工价 (2004.09.01)
据市场消息，国内外内存厂商释出给国内厂商的封测代工订单量增加，但国内存储器封测厂包括力成、泰林、南茂等因暂缓扩产，使得第四季封测产能可能出现不足现象；而其中在测试部份，业者表示因新机台最快要年底才会到位，在产能吃紧的情况下有部份厂商打算调高测试代工价因应 |
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茂德科技DDR DRAM产品获IBM及DELL认证通过 (2004.08.19)
茂德科技今(19)日宣布以自行研发之0.12微米制程所生产256Mb DDR DRAM产品，获一线大厂IBM及Dell验证通过，该项殊荣同时显示茂德自行研发能力获国际合作伙伴肯定。
茂德科技发言人林育中指出 |
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Hynix与意法中国投资案签约 总金额20亿美元 (2004.08.18)
业界消息，韩国Hynix与欧洲意法半导体（ST）在中国大陆的投资案已经与无锡市高新区签约，该案总投资金额将超过20亿美元，包括8吋厂与12吋晶圆的规划案。该案将是内存厂商在中国大陆最大的投资案 |
IETF是Internet Engineering Task Force (国际网络工程研究团队)是一个开放性的国际组织，其作用在于汇集网络设计师、网络操作员、网络厂商，以及研究人员共同研发改进网络的工程架构与建立起一个平稳的网络环境。
