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RAMBUS宣布TERABYTE带宽创新技术 (2007.11.28)
高速内存架构的主要技术授权公司Rambus，宣布其创新的一兆字节带宽技术（Terabyte Bandwidth Initiative）。此突破性的创新技术包括新发明的内存信号的开发，其超高速的传输速率达16Gbps，使得未来单一芯片系统（SoC）的内存架构能达到空前的每秒一兆字节（TB/s）（1 terabyte=1,024 gigabyte）内存带宽 |
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iSuppli: 07年Q3全球DRAM市场排名三星持续领先 (2007.11.19)
外电消息报导，市场研究机构iSuppli日前公布2007年第三季的全球DRAM市场排名报告，报告中指出，三星电子（Samsung）在全球DRAM内存市场排名依旧领先，达27.7％，而海力士（Hynix）半导体则逆势成长，为唯一一家销售成长的厂商 |
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为提升获利 DRAM厂纷导入70奈米制程 (2007.11.12)
DRAM以70奈米制程生产时，测试时间将增加40％。据了解，512Mb的DDR2毛利下跌，因此DRAM厂商为了降低生产成本，纷纷将制程导入70奈米，而产品线也开始转向生产价格较高的1Gb DDR2 |
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奇梦达开始供应GDDR5样品 (2007.11.02)
奇梦达公司宣布推出GDDR5内存样品，已开始向客户供应首款512Mb GDDR5（Graphics Double Data Rate 5）的样品。
奇梦达公司绘图产品事业部副总裁Robert Feurle表示：「奇梦达很高兴推出首款GDDR5样品，协助客户开发支持GDDR5的产品，这项重大进程将确保GDDR5能快速推入绘图市场 |
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DRAM持续下跌 中芯国际第3季亏损2560万 (2007.11.01)
外电消息报导，中国中芯国际日前公布财报显示，其第3季亏损达2560万美元，亏损幅度超过第2季的210万美元，但仍较去年同期略有好转。营收仅较比去年小幅增加6.1%，达3.914亿美元 |
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Cypress新4-Mbit nvSRAM采0.13微米SONOS制程 (2007.10.26)
Cypress公司发表一款全新4-Mbit非挥发性静态随机存取内存（non-volatile static random access memory；nvSRAM），具备15奈秒(ns)的访问时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资料维持等产品特色 |
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联电跨足内存 与尔必达交互授权技术 (2007.10.25)
联电积极布局内存市场，将与日本尔必达（Elpida）合作进行交互授权，由尔必达提供联电SOC内嵌DRAM所需的技术，联电则提供尔必达发展先进制程所需的低介电质铜导线（low-k/Cu）专利 |
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非挥发性内存的竞合市场 (2007.10.24)
内存本身就具有通用与中介的性质，所以发展出来的各类内存组件，多能通用于不同系统之间。新一代的内存为了更通用之故，所发展的都是非挥发性的内存，这样才能既做为系统随机存取之用，又能组成各类的储存装置，例如嵌入在便携设备中的储存容量、弹性应用的记忆卡或固态硬盘等 |
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Rambus推出DDR3内存控制器接口解决方案 (2007.10.17)
Rambus推出DDR3 DRAM所设计之内存控制器接口解决方案。这个完全整合的硬件宏功能芯片单元（hard macro cell）提供控制器逻辑与DDR3或DDR2 DRAM装置之间之物理层（PHY）接口，数据传输率最高可达1600 MHz |
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新力与奇梦达合资成立新高性能DRAM公司 (2007.10.03)
外电消息报导，日本新力（Sony）与德国奇梦达（Qimonda）于周二（10/2）共同宣布，将合组一个针对消费性装置与绘图应用的新DRAM合资公司，以强化双方在内存市场的竞争能力 |
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奇梦达新推出Micro-DIMM 1 GB模块 (2007.09.07)
奇梦达六日推出两款DDR2 Micro-DIMM（Dual In-Line Memory Module）产品，其中包括针对UMPC（Ultra Mobile PC）“Always-On”模式所设计的优化内存产品。新款1GB组件符合JEDEC所制定的Micro-DIMM规格标准，其尺寸为同容量SO-DIMM（Small-Outline DIMM）的65% |
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华邦电子参与中国杭州电子信息博览会 (2007.09.04)
华邦电子将于2007年9月5日至9月8日参加由台湾区电机电子工业同业公会（TEEMA），商务部外贸发展事务局及杭州市人民政府共同举办的中国杭州电子信息博览会，于此会中将展出华邦两大系列行动内存产品－低功耗易失存储器及虚拟静态内存 |
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短暂的复苏之后 DRAM市场将再度减弱 (2007.09.04)
根据市场研究公司iSuppli发表报告指出，DRAM内存市场在今年第2季短暂的反弹后，将在9月再度转弱，2007年DRAM内存市场约可成长1.97％。
iSuppli 认为，DRAM内存因生产过剩而造成持续地过度供给，价格将自9月开始下跌 |
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奇梦达GDDR3系列产品全面升级 (2007.08.30)
内存供货商奇梦达公司宣布扩增旗下GDDR3（Graphics Double Data Rate 3）系列产品，推出新款1Gigabit GDDR3内存组件。此外，奇梦达亦推出增进效能的高速版本，全面升级现有的GDDR3产品线 |
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IC Insights：2007下半年DRAM景气将回温 (2007.08.27)
外电消息报导，市场研究机构IC Insights日前预测，由于学生即将开学，以及固定的假期需求，2007上半年低迷的DRAM景气，将有望在下半年逐渐回温。
IC Insights表示，根据预测的结果，2007年DRAM单位出货成长率约为49%，而位出货量则会大幅成长81%，但仍有可能遭遇一些变故 |
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欧盟向Rambus提起反垄断的诉讼 (2007.08.26)
外电消息报导，欧盟委员会于上周四（8/23）发表一项声明表示，因动态随机内存（ＤRAM）专利的授权费用过高，将向美国的内存公司Rambus提起反垄断的诉讼。
欧盟在声明指出，Rambus掌握了多项的动态随机内存专利技术，并以此获取「不合理」的高额授权费，因而涉及滥用市场优势，违反了欧盟的反垄断规定 |
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Qimonda开始供应512Mbit Mobile-RAM样品 (2007.07.19)
奇梦达（Qimonda）宣布开始供应新款512Mbit Mobile-RAM（低功耗存取内存）75奈米技术的样品。Mobile-RAM是超低功耗的DRAM内存，耗电量比密度相同的标准DRAM减少80%，适合应用于各种行动装置，包括智能型与多功能手机、可携式卫星导航装置、数字相机，以及MP3随身听 |
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PC内存饱和 三星Q2获利创4年最低 (2007.07.15)
外电消息报导，亚洲最大的半导体制造商三星电子于周日（7/15）公布第2季财报，据财报显示，三星电子该季的营收为4年来最低，主因为计算机内存供过于求，导致市场价格跌至记录低点 |
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奇梦达推出省电型FB-DIMM产品 (2007.07.10)
内存产品供货商奇梦达公司，近日推出首款Quad-Rank的8GB DDR2 Fully-Buffered Dual-In-Line Memory Modules（FB-DIMMs）内存模块，这项技术不仅带来新一代的多核心服务器效能，且能降低服务器的耗电量 |
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力晶协同瑞萨共赴中国大陆设厂 (2007.07.02)
2006年底经济部同意力晶西进中国大陆设立8吋、0.18微米制程晶圆厂后，力晶曾表示将与日商合作伙伴瑞萨合资前往设厂，以逻辑代工为主，并考虑向日商采购或就地购买二手设备 |
