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瑞晶将兴建第二座12吋晶圆厂 (2007.06.28)
瑞晶即将开始量产，并兴建第二座十二吋厂。据了解，为了持续推展DRAM成本竞争力，力晶与尔必达合资的瑞晶将兴建第二座十二吋DRAM厂，预计八、九月动工，至于瑞晶一厂正装机试产，大量生产会在八、九月，年底产能将达3万片 |
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智原科技宣布推出DDR2 内存物理层接口IP (2007.06.26)
ASIC设计服务暨IP研发销售领导厂商－智原科技，宣布推出DDR2物理层接口（PHY）IP，其中0.13微米以及90奈米制程已经通过联电硅验证。智原的DDR2物理层IP将可以协助半导体厂商设计高效能的DDR2内存整合芯片，尤其适用于消费性、汽车电子零组件、工业以及医疗设备等领域的应用产品 |
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2010年两岸DRAM产量将超越南韩 (2007.05.31)
台湾和中国的DRAM总产量，将在2010年之前超过南韩。根据iSuppli预测，台湾和中国的DRAM厂陆续扩产，相较之下南韩仅有三星电子（Samsung Electronics）和海力士半导体（Hynix Semiconductor）为主要DRAM生产商，且该两厂商未来也会将生产的重心移向NAND闪存 |
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微软认为DRAM是导致当机的主因 应升级ECC (2007.05.21)
外电消息报导，依据一份微软外流的机密数据显示，微软认为导致计算机系统当机的主要原因是DRAM的数据读写错误，而为了降低当机的机率，微软建议厂商应该使用具有ECC功能的内存 |
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Spansion寻找新蓝海 计划攻占DRAM市场 (2007.05.21)
专门供应NOR闪存供货商Spansion，决定瞄准年度规模高达300亿美元的DRAM市场。NOR市场竞争非常激烈，而且面临强大的价格压力。Spansion计划将该公司专属的MirrorBit技术定位为DRAM的竞争技术，希望藉此打开高阶手机、PDA、通讯话机的市场 |
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海力士获得英特尔DDR3 SDRAM产品认证 (2007.05.09)
南韩海力士半导体（Hynix Semiconductor）对外表示，该公司已经从美国英特尔（Intel）获得了DDR3同步动态随机内存（SDRAM）的产品认证。
海力士表示，此次获得的是80nm制程技术的1Gbit DDR3 SDRAM，以及该芯片应用于个人计算机（PC）大容量储存模块的认证 |
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2007 DRAM最重要趋势为70奈米的推进 (2007.05.02)
DRAM报价跌势剧烈，除了将产能转移外，为持续降低营运成本，台湾内存厂的茂德、力晶都将加快70奈米制程的脚步，至于华邦则宣布试产80奈米，90奈米与70奈米产出比例相差55％，下半年将主流制程推进到70奈米后，将更具成本竞争优势 |
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奈米淘汰赛 DRAM 8吋厂转移产能另图发展 (2007.04.30)
标准型DRAM进入90奈米以下制程，既有8吋厂出现竞争力不足的瓶颈，这些DRAM厂传出将8吋厂产能转做逻辑代工，因此可能危及晶圆代工厂接单。
近年来随DRAM制程技术的推进，目前业界整体产线多为90奈米制程，并计划自今年下半起转入70奈米制程，在此一趋势下，DRAM业者的8吋厂今年将除役，陆续退出生产标准型DRAM的行列 |
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奇梦达2007年第二季营收为9.84亿欧元 (2007.04.27)
奇梦达发布截至2007年3月31日的2007会计年度第二季与上半年营收结果。奇梦达在2007会计年度第二季的营收为9.84亿欧元，较去年同期的9.28亿欧元为高，但比2007会计年度第一季的11.7亿欧元下滑 |
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Vista买气不如预期 DRAM价格下跌 (2007.04.24)
台湾DRAM大厂南亚科、力晶、华亚科等透露本季DRAM景气就会触底，只是由目前DRAM市场过于疲弱的需求来看，现货价及合约价低档成交区，均跌破2美元整数关卡，在此价位全球将没有一家DRAM厂可赚钱 |
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奇梦达与Advantest针对GDDR5开发测试解决方案 (2007.04.16)
全球内存产品供货商奇梦达宣布与Advantest合作，针对GDDR5测试作业开发硬件方案。双方的合作将针对GDDR5绘图DRAM组件开发具成本效率的量产型测试解决方案。
GDDR5将继GDDR3之后，成为下一个绘图DRAM标准 |
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Spansion与奇梦达签署策略供应协议 (2007.04.12)
专业闪存解决方案供货商Spansion与DRAM厂商奇梦达公司，宣布双方签署一项策略供应协议，提供行动装置市场结合奇梦达低功耗DRAM与Spansion MirrorBit NOR与ORNAND组件，所整合成的多重芯片封装(Multi-Chip Packages，MCP)内存解决方案 |
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剖析DRAM市场 (2007.04.04)
DRAM在半导体的市场占有举足轻重的地位，经常成为景气的指针。跨入21世纪之后，DRAM产品开始迈入多样化时代。过去DRAM的种类大致是以容量来区分，现在则外加多种不同技术，除了PC100、PC133外，尚有DDR DRAM，Rambus |
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美光将为西胁工厂引进90奈米制程技术 (2007.03.28)
美国美光科技已决定耗资100亿日圆（约8500万美元）为生产DRAM的日本兵库县西胁工厂引进90奈米制程技术。西胁工厂目前主要生产设计制程为110nm的DRAM产品。美光此次投资将把西胁工厂一半的产能转换成90nm制程 |
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抢先一步 奇梦达和美光发表DDR3 DRAM芯片 (2007.03.26)
芯片分析机构Semiconductor Insight指出，奇梦达和美光科技已经抢在三星电子之前发表了下一代DDR3 DRAM芯片的样品，成为DDR3 DRAM市场和技术的领先厂商。
DDR3芯片的速率是前代DDR2的二倍，但消耗的能量没有明显增长 |
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海力士与新帝合作开发CE专用数据储存芯片 (2007.03.22)
海力士（Hynix）与记忆卡业者新帝（SanDisk）将合作，连手生产消费电子专用的数据储存芯片。双方将各出资一半，扩大海力士的产能，这项合作计划将着重在可大幅提升NAND容量的x4记忆技术上 |
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抢占代工市场 中芯将扩大DRAM产量 (2007.03.22)
中芯国际对于DRAM的布局又有积极动作。该公司执行长张汝京在Semicon China 2007研讨会上，对外表示中芯北京厂即将针对65奈米逻辑产品进行投产，另外该公司旗下的武汉十二吋晶圆厂，初期产能也将全数用于DRAM的生产，此外中芯也正与奇梦达及尔必达商谈70奈米制程的授权计划 |
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日月光获选为奇梦达基板材料供货商伙伴 (2007.03.20)
半导体封装测试厂日月光半导体，今（20）日宣布获选为奇梦达(Qimonda)基板材料供货商的策略伙伴，供应该公司全球IC制造厂基板材料的服务。日月光以其能在快速变化的巿场环境中提供弹性和优质客户服务的杰出表现而获选，并得以协助奇梦达迅速且有效的完成生产制造 |
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茂德产能提升 70奈米试产上看万片 (2007.03.15)
内存大厂茂德将中科一厂单月最大产能提升到60,000万片，今年总产量将较去年成长6.至7成。此外茂德兴建中的中科二厂，第三季可完工移入机台，并陆续导入量产设备。茂德也确定年底前单月能有10,000片的产出是直接采70奈米试产，至于竹科厂方面，虽然月产能仅20,000片，但已经开始着手进行95奈米的试产 |
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台积电成功为客户生产65奈米嵌入式DRAM (2007.03.15)
台积电成功为客户产出65奈米嵌入式动态随机存取内存（embedded DRAM）客户产品，此一产品的DRAM容量达数兆位级，并且首批产出芯片就通过功能验证。
台积电过去已于2006年第二季为客户量产65奈米产品 |
