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摩托罗拉推出第一款兆位MRAM (2002.06.11)
摩托罗拉半导体事业部(SPS)和摩托罗拉实验室于本周在2002年科技与电路超大规模集成电路座谈会(2002 VLSI Symposia on Technology and Circuits)中，联合发表第一款兆位MRAM(磁电阻式随机存取内存，magnetoresistive random access memory)通用内存芯片 |
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ST发表32兆位闪存 (2001.11.21)
ST日前发表一款在符合业界标准电压与温度条件下，速度最快的32兆位闪存。这颗高密度的M29W320D是采用ST领先业界的0.18微米闪存制程技术制造，适用于蜂巢式行动产品、个人数字助理、外围设备、游戏、以及其他先进数字通讯及消费性产品中 |
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旺宏赶在2004年前布局MRAM及FRAM (2001.06.10)
国内闪存(Flash)大厂旺宏电子公司为取得未来进入系统单芯片(SOC)竞争优势，也加入新世代非挥发性内存-磁阻式随机存取内存(MRAM)及铁电随机存取内存(FRAM)开发，并计划赶在2004年前导入量产，以免被IBM及Infineon等国际整合组件大厂(IDM)抢食先机 |
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联电与联邦半导体合作跨足MRAM领域 (2001.05.09)
联电为增加进入单芯片系统组(SOC)领域胜算，近期规划与联邦半导体结盟，共同跨足磁阻式随机存取内存(MRAM)研发生产，以取得未来SOC核心内存领先地位，超越IBM、摩托罗拉等领先厂商 |
USB2.0是一种目前在PC及接口设备被广为应用的通用串行总线标准，摆脱了过去局限于PC的相关应用领域，而更深入地应用在数字电子消费产品当中。
