CTIMES - 快閃記憶體

NAND Flash Inside！ (2007.07.09)
為了持續提高NAND Flash的儲存容量與密度，東芝（Toshiba）計畫一改過去持續挑戰半導體製程極限的作法，轉而透過3D結構以提高NAND Flash的儲存密度。此外，其他記憶體廠商也都不斷開發新技術以取代傳統浮動閘極（floating gate）結構之NAND Flash，藉此解決該技術容量極限難以突破的問題

NAND flash is king ! (2007.07.05)
NAND flash is king !

NAND flash is king ! (2007.07.03)
OLPC因為是以成本為前提的設計，所以也是用NAND flash來取代傳統硬碟

都是價格考量拉～ (2007.06.28)
都是價格考量拉～

2009年筆記型電腦的SSD使用率將達到12％ (2007.06.27)
固態硬碟（solid state drive；SSD）前景看好，因此各市調機構紛紛提出該市場的未來預測。iSuppli便指出，SSD佔有率到2009年底將達到12％。而預計同時使用硬碟和快閃記憶體的混合型硬碟佔有率將達到35％

SSD的市場來臨? (2007.06.27)
SSD的市場來臨?

三星1.8吋64GB混合式硬碟正式進入量產 (2007.06.26)
外電消息報導，三星電子（Samsung）已開始量產1.8吋容量為64GB的混合式硬碟(SSD)，並預計在數月內，該款混合式硬碟便會被使用在UMPC上。據報導，三星在今年3月便推出了這款產品，直至今日才宣佈正式進入量產

分析師：2011年15％的NB使用混合式硬碟 (2007.06.20)
外電消息報導，市場分析機構Gold Associate的分析師日前表示，採用快閃記憶體為基礎的混合式硬碟（SSD），可能在2011年時，達到15％的筆記型電腦硬碟占有率。該分析師表示，依照目前的發展狀況來看，至2009年時，SSD的價格將不超過200美元

東芝發表三維陣列NAND快閃記憶體 (2007.06.14)
東芝發表了新一代的NAND快閃記憶體技術。據了解，東芝成功研發了不必依賴微細化而能增大NAND快閃記憶體容量的儲存單元排列技術。在柵極電極膜和絕緣膜交互層疊的結構上，打入貫通上層到下層的小孔，在柱狀空隙中填入含雜質的矽

東芝計畫提高七成快閃記憶體產量 (2007.06.13)
東芝計畫提高快閃記憶體產量到目前的七成水準。根據日經新聞報導，東芝是預定在2008年6月之前，將目前快閃記憶體的產能自三月份的產量，提高至七成。目前東芝的快閃記憶體是在其三重縣四日市市的晶圓廠所生產

iSuppli預測：採Flash的可攜式播放機將供貨大增 (2007.06.11)
美國iSuppli預測，採用快閃記憶體的可攜式播放機的供貨量將從2007年開始大幅增長，2011年將達到2006年的25倍以上。iSuppli將可攜播放機定義為配備彩色顯示幕，能夠播放視頻的MP3播放機

東芝率先推出採用SSD硬碟之筆記型電腦 (2007.06.11)
東芝率先使用SSD固態硬碟於筆記型電腦上。據了解，東芝於今年6月5日發表的筆記本電腦Dynabook SS RX1，其八款型號中已有三款配備了使用NAND快閃記憶體的固態硬碟（solid state drive；SSD）

測試效果不佳 HP拒採用英特爾Turbo Memory技術 (2007.06.05)
外電消息報導，惠普（HP）日前表示，將不會在其Centrino筆記型電腦産品內，使用英特爾（Intel）的Turbo Memory技術。 HP表示，Turbo Memory在其公司的內部測試成果不佳，並沒有實際的使用價值，且會限制産品的設計彈性

三星成功開發儲存空間可嵌入手機晶片組技術 (2007.06.01)
根據外電消息報導，三星電子（Samsung Electronics）已成功地將4GB的儲存空間嵌入於手機晶片組，這項技術將可能使手機的外部儲存卡成為歷史。 Samsung所推出的這項嵌入式多晶片系統moviMCP，能在一個單元上整合多個儲存功能，可不再需求外部的擴充槽，進而可節省手機內部更多的空間

2010年兩岸DRAM產量將超越南韓 (2007.05.31)
台灣和中國的DRAM總產量，將在2010年之前超過南韓。根據iSuppli預測，台灣和中國的DRAM廠陸續擴產，相較之下南韓僅有三星電子（Samsung Electronics）和海力士半導體（Hynix Semiconductor）為主要DRAM生產商，且該兩廠商未來也會將生產的重心移向NAND快閃記憶體

宇瞻發表新一代固態硬碟　存取速度快兩倍 (2007.05.30)
宇瞻科技發表其新一代的SATA固態硬碟 -- 2.5吋SAFD （Serial ATA Flash Drive），容量高達128GB，為業界唯一採用單一控制晶片，可充分發揮SATA II介面高速傳輸效能，支援 SATA II 3Gb/s傳輸介面規格，其連續存取速度可超越100MB/sec，相較目前市場上其它SATA固態硬碟及SATA傳統機械硬碟速度快2倍以上

PQI多樣新款記憶體於Computex 2007同步亮相 (2007.05.30)
2007 Computex Taipei將於2007年6月5日~6月9日於台北世貿展覽中心隆重登場，勁永國際（PQI）於世貿一館D330~435將展出全線產品，完整呈現USB旅行碟、Flash記憶卡、Intelligent Stick智慧棒、DRAM模組、DOM及MP3六大產品線，滿足來自各國的參觀者

旺宏與奇夢達合作進軍NAND Flash (2007.05.29)
繼不久前英特爾與意法半導體成立快閃記憶體公司，旺宏於2007年5月28日表示，將與全球第三大DRAM廠奇夢達（Qimonda）合作進軍新世代非揮發性記憶體（NAND Flash）領域。 2000～2005年，NAND快閃記憶體位元出貨量的年複合成長率達179.6％，是DRAM年複合成長率51.2％的三倍

英特爾與意法半導體成立快閃記憶體公司 (2007.05.23)
根據外電消息指出，意法半導體（ST）、英特爾，以及法蘭西斯柯夥伴（Francisco Partners）私募基金公司計畫共同成立一家獨立快閃記憶體晶片公司，生產供行動電話、MP3播放機，以及數位相機使用的快閃記憶體晶片

Spansion尋找新藍海計劃攻占DRAM市場 (2007.05.21)
專門供應NOR快閃記憶體供應商Spansion，決定瞄準年度規模高達300億美元的DRAM市場。NOR市場競爭非常激烈，而且面臨強大的價格壓力。Spansion計畫將該公司專屬的MirrorBit技術定位為DRAM的競爭技術，希望藉此打開高階手機、PDA、通訊話機的市場