CTIMES - Mosfet

安森美半導體推出高性能諧振模式控制器 (2007.05.23)
高能效電源管理解決方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor）推出一款內置上橋臂與下橋臂閘極驅動信號的高性能諧振模式控制器NCP1396，這款元件為各種多樣化應用帶來高信賴度的高能效電源設計，包括平面顯示設備電源轉換、高功率密度交直流電源供應器、工業用電源以及遊戲機等

Linear發表100V電流模式同步降壓控制器 (2007.05.17)
凌力爾特(Linear Technology Corporation)發表一款高輸入電壓同步降壓開關穩壓控制器LTC3810，其可直接從100V降壓至範圍從0.8V至93%輸入電壓的輸出電壓，且以單一電感設計不需變壓器

Fairchild新款產品適用PDP應用中的路徑開關 (2007.03.13)
快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor）推出全新的FDB2614（200V）和FDB2710（250V）N溝道MOSFET，這兩款產品經過特別設計，可為電漿顯示器（plasma display panel，PDP）應用提供系統效率和最佳化的占位空間

快捷推出200V/250V Powertrench MOSFET (2007.03.12)
快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N溝道MOSFET，這兩款產品經過特別設計，可為電漿顯示器(plasma display panel，PDP)應用提供業界領先的系統效率和最佳化的占位空間

快捷半導體推出光隔離MOSFET閘極驅動器 (2007.02.15)
快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor）的功率產品系列又添新成員，宣佈推出高頻光隔離MOSFET柵極驅動器系列的全新產品，能夠在工業應用中驅動高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180（2A）和FOD3181（0.5A）具有200ns（最多）的上升/下降時間，能夠迅速開啓/關斷MOSFET以減小功率損耗

Vishay增添四款新型 Siliconix PolarPAK元件 (2007.01.23)
Vishay在具有雙面冷卻功能的PolarPAK功率MOSFET系列中增添了新型n通道20V、30V及40V元件，從而為設計人員提供了通過更出色的MOSFET散熱性能減小系統尺寸及成本的新方式。這四款新型Vishay Siliconix PolarPAK元件面向電信及資料通信系統中的同步整流、負載點轉換器及OR-ing應用

ST高效能功率MOSFET產品提升照明應用性能 (2006.12.06)
功率半導體產品製造商意法半導體(ST)，宣布推出新一系列功率MOSFET產品的第一款產品。新的功率MOSFET系列產品具備極低的ON-resistence及優異的動態和avalanche特性，可幫助客戶大幅地降低其照明應用的傳導損耗及強化其產品的效能和可靠性

奈米世代可以研續摩爾定律嗎？ (2006.11.02)
奈米世代可以研續摩爾定律嗎？

奈米世代下的半導體技術動向 (2006.10.04)
半導體元件的加工尺寸進入奈米世代，但利用微細化技術提高半導體元件性能的願望一直不易實現，因此出現許多性能提升指標，其中利用歪斜（strain）效應與元件結構三次元化等技術最受囑目

未來汽車之先進電子系統設計 (2006.09.05)
現今的汽車正把越來越多的電子產品整合進來。在 1995 到 2005 年間，汽車採用的半導體元件數量預期到 2009 年將增加至 425％，電子及電氣設備在汽車中所占比重預計也將從目前的15％攀升到2015年的35％

準諧振反馳式電源設計探討 (2006.08.07)
降低成本和增加可靠性是電源設計工程師的目標。利用準諧振技術可以協助設計工程師實現這些目標。準諧振或谷底開關能減輕MOSFET的設計壓力，並進而提高其可靠性。本文將描述準諧振架構背後的理論及其實作方式，並說明這類反馳式電源的使用價值

簡單閂鎖式過電流錯誤偵測電路介紹 (2006.08.07)
簡易閂鎖式過電流錯誤偵測電路可以在輸入電壓超過2.7V的150μs後立即提供保護，同時也可以透過外部P通道切換開關的閘極電壓限制在電源啟動時帶來衝入電流限制功能。本文將介紹應用於低電壓電路保護，具備快速反應能力的簡易過電流偵測電路

功率MOSFET PSPICE模型設計考量 (2006.04.01)
電源元件密度的持續增加與相關成本的持續壓縮，在過去幾年來對精確的熱能設計提出了更嚴苛的要求。因此，有關熱問題與電子系統效能間之相互影響的專有知識，是實現更具競爭力設計的關鍵

Linear新款充電控制器可充任何容量電容 (2006.02.21)
Linear發表一款專門設計以快速充電大電容至高達1000V的返馳控制器LT3750。LT3750可驅動一個外部高電流N通道MOSFET，並能在少於300ms的時間內對一個100uF電容充電至300V，使其成為專業照相閃光燈系統、RF 保全、庫存控制系統及特定高壓電源應用之理想選擇

ST新款功率MOSFET STD95N04 (2006.02.21)
ST發表一款專為汽車市場設計的大電流功率MOSFET，該元件採用ST專利的STripFET技術，可實現超低導通電阻。全新的STD95N04是40V的標準邏輯位準DPAK元件，最大導通電阻（RDS(on)）僅6.5m歐姆

IR新MOSFET晶片組提高2％輕負載效率 (2006.02.10)
國際整流器（International Rectifier；IR）推出一對新型30V HEXFET功率MOSFET。相比於採用30V MOSFET的解決方案，它們可提供高出2％的輕負載效率，用於驅動最新Intel和AMD處理器中的45A、二相同步降壓轉換器，適用範圍包括筆記簿型電腦及其他高效能電腦應用

替代傳統共振方式 (2005.12.05)
電源供應器增加功率密度的壓力與日俱增，於是在這前提下產生了數個需求：改善半導體和被動元件的效益及創新架構，以便從全新半導體元件之功能中獲得有利的好處。本文將探討最近發展的高壓超接合面功率MOSFET以及矽晶碳化物Schottky二極體，並比較採用硬式切換或共振方式在性能、系統成本和可靠度方面的優缺點

選擇正確的功率MOSFET封裝 (2004.07.01)
當終端設備對於電源效率的需求越高，電源管理系統中更高效能的元件也越被重視。由於矽科技在進化的過程中，漸漸使封裝成為元件達到更高效能的絆腳石，因此，為兼顧散熱需求與效率，引進更先進的功率MOSFET封裝勢在必行

汽車電路保護技術概述 (2004.04.05)
汽車電子設備的設計必須具備防止反極性電源（reverse polarity），反極性電源的發生為當纜線連接到無電源、電池跨接錯誤或是新電池安裝倒反的狀態。本文就汽車的電子設備設計上，探討干擾若干系統之功效的缺失，並分析建議其可以改進之處

強化操作效率 Zetex提升MOSFET功率耗散 (2003.12.22)
Zetex推出全新20V和30V N通道電晶體，將舊型SOT23封裝MOSFET的導通電阻減半、漏電流提升一倍，在25°C環境溫度下功率耗散由625mW提升至1W。新的ZXMN2A14F及ZXMN3A14F強化溝道MOSFET，採用Zetex SOT23封裝，再加上接點至環境的熱阻比舊型SOT23元件低37%，由每瓦特200°C銳減至125°C，這兩款元件更可發揮極大的效益