CTIMES - Mosfet

英飛凌推出全新PQFN 系列源極底置功率MOSFET (2022.12.23)
為了滿足電力電子系統設計趨向追求更先進的效能和功率密度，英飛凌科技（Infineon）在 25-150 V 等級產品中推出全新源極底置 3.3 x 3.3 mm2 PQFN 系列，包括有底部冷卻（BSC）和雙面冷卻（DSC）兩個版本

單晶片驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術改善電源系統設計 (2022.10.27)
本文介紹最新的驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術及其在穩壓器模組（VRM）應用中的優勢。單晶片DrMOS元件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能

認識線性功率MOSFET (2022.10.18)
本文針對MOSFET的運作模式，元件方案，以及其應用範例進行說明，剖析標準MOSFET的基本原理、應用優勢，與方案選擇的應用思考。

ST推出LIN交流發電機穩壓器提升12V汽車電氣系統性能 (2022.09.19)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出L9918車規交流發電機穩壓器，改良後的功能可提升12V汽車電氣系統之穩定度。 L9918車規交流發電機穩壓器內建一個MOSFET及一個續流二極體，MOSFET提供交流發電機勵磁電流，當勵磁關閉時，續流二極體將負責提供轉子電流

以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體（IGBT）不同，本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時，設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。

ST新款40V STripFET F8 MOSFET電晶體具備節能降噪特性 (2022.08.02)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出新40V MOSFET電晶體STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低導通電阻和開關損耗，同時優化體寄生二極體之特性，降低功率轉換、馬達控制和配電電路的耗能和雜訊

意法半導體推出適合高啟動電流應用的單通道負載開關 (2022.06.15)
意法半導體（STMicroelectronics：ST）推出了IPS1025H與IPS1025H-32單通道可程式高邊開關。這兩款開關內建欠壓保護、過壓保護、過載保護、過熱保護功能，能智慧驅動高啟動電流的電容性負載、電阻性負載或電感性負載

東芝與Farnell合作加強供應鏈擴大新品及創新範疇 (2022.06.15)
東芝電子歐洲銷售和行銷子公司東芝電子歐洲有限公司（Toshiba Electronics Europe GmbH）擴大與Farnell的全球合作夥伴關係，Farnell為全球電子元件、產品和解決方案經銷商，在歐洲以Farnell、北美的紐瓦克和在亞太地區的e絡盟（element14）進行交易

東芝五款MOSFET閘極驅動器IC新品採用超小型封裝 (2022.06.09)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱東芝）為其TCK42xG系列MOSFET閘極驅動器IC 產品系列增加適用於穿戴式裝置等行動裝置的五款新品。該系列的新產品配備過壓鎖定功能，並根據輸入電壓控制外部MOSFET的閘極電壓

ST發表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度與效能 (2022.06.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體適用於設計資料中心服務器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器（Switched-Mode Power Supply，SMPS）

ROHM推出600V耐壓SuperJunction MOSFET 實現超低導通電阻 (2022.04.13)
半導體製造商ROHM在600V耐壓SuperJunction MOSFET“PrestoMOS”產品系列中，新增了「R60xxVNx系列」七款機型，非常適用於電動車充電樁、伺服器、基地台等大功率工控裝置的電源電路、以及空調等因節能趨勢而採用變頻技術的大型生活家電的馬達驅動

英飛凌OptiMOS 6 100 V採用全新功率MOSFET技術 (2021.12.03)
因應電信與太陽能等高切換頻率最佳化應用，當前切換式電源供應(SMPS)及電池供電的應用顯著趨勢是提高效率和可靠性。順應這一發展趨勢，英飛凌科技推出採用全新功率MOSFET技術的OptiMOS 6 100 V

Microchip首款碳化矽MOSFET 可降低50%開關損耗 (2021.09.22)
隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標，基於碳化矽的電源管理解決方案正在為此類運輸系統提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化矽MOSFET分離式和模組產品組合

Microchip抗輻射MOSFET獲得商業航太和國防太空應用認證 (2021.06.09)
太空應用電源必須可以承受極端的太空環境，並在抗輻射技術環境中運作無礙，防止遭受到極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響失效發生事端，導致降低太空系統的效能並干擾運行

三星首款MOSFET冰箱變頻器採用英飛凌600V功率產品 (2021.05.27)
英飛凌科技向三星電子供應具有最高能源效率及最低噪音的功率產品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開式：RF18A5101SR)變頻式冰箱

英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET新模組採用AIN陶瓷基板 (2021.05.12)
英飛凌科技利用新型氮化鋁(AIN)陶瓷基板，成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模組。此半橋式裝置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B兩種封裝型式，導通電阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V裝置採用高性能陶瓷，因此適合高功率密度應用，如太陽能系統、不斷電系統、輔助變頻器、儲能系統及電動車充電器等

ST推出隔離式閘極驅動器可安全控制碳化矽MOSFET (2021.03.30)
半導體供應商意法半導體（ST）宣布推出STGAP系列隔離式閘極驅動器的最新產品STGAP2SiCS，可安全控制碳化矽（SiC）MOSFET，且作業電源電壓高達1200V。 STGAP2SiCS能夠產生高達26V的閘極驅動電壓，將欠壓鎖定（UVLO）閾壓提升到15.5V，滿足SiC MOSFET開關二極體正常導電要求

英飛凌新款650V EiceDRIVER整合靴帶二極體支援更快切換 (2021.03.26)
英飛凌科技宣布擴展旗下EiceDRIVER產品組合，推出全新650V半橋式與高低側閘極驅動器，採用公司獨特的絕緣層上矽(SOI)技術，提供市場最先進的負VS瞬態電壓抗擾性與真正靴帶二極體的單片整合，因此有助於降低BOM，並在精簡的外型尺寸以MOSFET與IGBT打造更強固的設計

英飛凌推出新一代80V與100V功率MOSFET 電源效率再升級 (2021.03.22)
英飛凌科技推出StrongIRFET 2新一代功率MOSFET技術的80V和100V產品。新產品擁有廣泛的經銷供貨通路和出色的性價比，成為設計人員可以便利選購的理想產品。該產品系列針對高、低切換頻率進行最佳化，可支援廣泛的應用範圍，提供高度的設計靈活性，可受益於StrongIRFET的應用包括SMPS、馬達驅動、電池充電工具、電池管理、UPS及輕型電動車

車輛中的小型電氣驅動器：在發展自動駕駛過程中提升便利性 (2021.03.15)
未來，自動駕駛將會顯著提高駕駛的便利性，到那時候，許多小型電氣驅動器將使車輛的控制更加輕鬆與便捷。