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安森美全新650V碳化矽MOSFET系列 滿足車規與工規應用需求 (2021.02.18)
安森美半導體(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET裝置，適用於對功率密度、能效和可靠性要求極高的應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術，將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、伺服器電源(PSU)、電信和不斷電供應系統(UPS)等應用中實現顯著的更佳性能 |
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直接透過汽車電池輸入進行DC-DC轉換 (2021.01.19)
在嚴苛的汽車和工業環境中，通常會選擇內建MOSFET功率切換開關的單晶片式降壓穩壓器，不僅可節省空間，同時更可實現低EMI和卓越的散熱性能。 |
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ROHM推出第五代Pch MOSFET 導通電阻大幅減半 (2020.12.28)
半導體製造日商ROHM研發出共計24款Pch MOSFET產品，包括支援24V輸入電壓的耐壓－40V和－60V單極型「RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列」和雙極型「UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列」，適用於FA、機器人、空調裝置等工控裝置之風扇馬達和電源管理開關，以及大型消費性電子裝置用之風扇馬達、空調和電源管理開關 |
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英飛凌全新CoolSiC MOSFET實現無需冷卻風扇的伺服驅動方案 (2020.11.16)
英飛凌科技支援機器人與自動化產業實作免維護的馬達變頻器，今日宣布推出採用最佳化D2PAK-7 SMD封裝、搭載.XT互連技術的全新1200V CoolSiC MOSFET，可實現被動冷卻。相較於矽基解決方案，其損耗可降低達80%，因此不再需要冷卻風扇與相關服務 |
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英飛凌OptiMOS源極底置功率MOSFET 新添PQFN封裝40V裝置 (2020.11.03)
當代的電源系統設計需要高功率密度和精巧的外型尺寸，進而得到最高的系統級效能。英飛凌科技專注於強化元件級的系統創新，來應對上述挑戰。繼2月份推出25V裝置後，英飛凌再推出OptiMOS 40V低電壓功率MOSFET，採用源極底置(Source-Down；SD)的PQFN封裝，尺寸為3 |
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貿澤供貨Microchip AgileSwitch相腳功率模組 整合MOSFET和二極體優點 (2020.10.16)
半導體與電子元件、授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics)宣布即日起供貨Microchip Technology最新的AgileSwitch相腳SiC MOSFET模組。此模組體積輕巧且具高整合度，整合了碳化矽(SiC)MOSFET和SiC二極體，將兩種裝置的優點結合到同一個解決方案之中 |
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ROHM推出1cm2超小型車電MOSFET 滿足設備高密度需求 (2020.10.08)
近年來，隨著汽車電子化加速，汽車電子和半導體元件數量也呈現增加趨勢。因此，必須要在有限的空間裡安裝更多元件，使安裝密度也能夠越來越高。例如，1個車電ECU中的半導體和積層陶瓷電容的平均使用數量，預計將從2019年的186個，增加約三成至2025年的230個 |
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降低開關損耗 儒卓力供貨Rohm節能SiC-MOSFET (2020.08.26)
Rohm的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽閘結構(650V / 1200V)的碳化矽MOSFET元件，提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關性能，並將開關損耗降低多達35% |
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英飛凌推出全新馬達系統IC 開拓汽車馬達系統的整合新境界 (2020.07.21)
從電動尾門、天窗、電動座椅調整乃至燃油泵等各種應用，電動馬達的數量越來越多，協助確保了現今汽車的安全與舒適性。
英飛凌科技推出全新馬達系統IC系列產品，專為控制有刷及無刷馬達所設計 |
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英飛凌推出62mm CoolSiC模組 開闢碳化矽全新應用 (2020.07.17)
英飛凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術，已受到業界的肯定。此封裝為碳化矽打開了250kW以上（此為矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限）中等功率應用的大門 |
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ROHM發表第4代低導通電阻SiC MOSFET (2020.06.17)
半導體製造商ROHM推出「1200V 第4代SiC MOSFET」，適合用於動力逆變器等車電動力總成系統和工控裝置電源。
對於功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間就會縮短，兩者之間存在著權衡關係，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，也必須同時考慮如何兼顧短路耐受時間 |
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ST推出高整合度通用型車門鎖控制器 簡化設計並提升安全性 (2020.06.08)
半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）L99UDL01通用型車門鎖IC整合6個MOSFET半橋輸出和兩個半橋閘極驅動器，以及電路保護和診斷功能，可提升方案安全性、簡化設計並節省空間 |
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英飛凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 採用高壓SMD封裝 (2020.06.08)
繼今年稍早推出的650V產品後，英飛凌科技擴充旗下CoolSiC MOSFET系列電壓等級，現在更新添具專屬溝槽式半導體技術的1700V電壓等級產品。新款1700V表面黏著裝置(SMD)產品充分發揮了碳化矽(SiC)強大的物理特性，提供優異的可靠性和低切換及導通損耗 |
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英飛凌推出D2PAK 7pin+封裝的StrongIRFET MOSFET 瞄準電池供電應用 (2020.05.18)
英飛凌科技股進一步壯大StrongIRFET 40-60 V MOSFET 產品陣容，推出三款採用D2PAK 7pin+封裝的新裝置。這些新裝置具有極低的RDS(on)和高載流能力，可針對要求高效率的高功率密度應用提供增強的穩健性和可靠性 |
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英飛凌推出650V CoolMOS CFD7A系列 打造汽車應用的超接面MOSFET效能 (2020.05.08)
為滿足電動車市場需求，英飛凌科技推出全新CoolMOS CFD7A產品系列。這些矽基高性能產品適用於車載充電器系統的PFC和DC-DC級，以及專為電動汽車應用優化的高低壓DC-DC轉換器 |
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明緯：MOSFET代替二極體 滿足LED顯示屏市場冗餘應用 (2020.03.31)
近幾年全彩LED顯示屏興起，其高亮度大螢幕吸睛的特點，被眾多廣告商、地產商所喜愛。為了提供更好的觀賞體驗，對於畫面的清晰度和真實度要求越來越高，小間距LED顯示屏不僅成為業界的新寵兒也將是未來的發展趨勢 |
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SiC MOSFET適用的PI SCALE-iDriver符合AEC-Q100汽車認證 (2020.03.18)
中高壓變頻器應用閘極驅動器技術廠商Power Integrations(PI)今日宣佈推出用於碳化矽(SiC) MOSFET的高效單通道閘極驅動器SIC118xKQ SCALE-iDriver，該產品現已通過AEC-Q100認證，可供汽車使用 |
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安森美半導體推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增長應用 (2020.03.11)
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)推出另兩個碳化矽(SiC)MOSFET系列，擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。這些新元件適用於各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站，提供的性能水準是矽(Si)MOSFET根本無法實現的 |
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英飛凌推出低頻應用的600V CoolMOS S7超接面MOSFET (2020.03.03)
英飛凌科技股份有限公司成功開發出滿足最高效率和品質要求的解決方案，針對MOSFET低頻應用推出600V CoolMOS S7系列產品，帶來優異的功率密度和能源效率。
CoolMOS S7系列產品的主要特點包括導通性能優化、熱阻改善以及高脈衝電流能力，並且具備最高品質標準 |
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英飛凌推出CoolSiC MOSFET評估板 適用於最高7.5kW馬達驅動 (2019.11.14)
碳化矽(SiC)正逐漸成為太陽能光電和不斷電系統等應用的主流。英飛凌科技股份有限公司正將這項寬能隙技術鎖定另一組目標應用：EVAL-M5-E1B1245N-SiC評估板將有助於SiC在馬達驅動的應用中奠定基礎，並強化英飛凌在工業SiC市場的領先地位 |
