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CTIMES / 快閃記憶體
科技
典故
Intel的崛起-4004微處理器與8080處理器

Intel因為受日本Busicom公司的委託設計晶片,促成了4004微處理器的誕生,也開啟了以單一晶片作成計算機核心的時代。1974年,Intel再接再厲研發出8080處理器,和4004微處理器同為CPU的始祖,也造就了Intel日後在中央處理器研發的主導地位。
LG多媒體手機將內建SANDISK 8GB快閃記憶體 (2009.02.27)
快閃記憶體廠商SanDisk公司宣佈,LG最新推出的LG Arena(LG-KM900)全功能多媒體手機將內建SanDisk的iNAND 8GB快閃記憶體。iNAND儲存裝置可為一種用於手機的啟動及儲存裝置,從此不需安裝獨立啟動裝置
景氣未見起色,美光再裁500人並縮減2000個職缺 (2009.02.25)
面對持續惡化的經濟環境持,美光科技(Micron Technology)於週一(2/23)宣佈,將逐步停止其Boise工廠的200mm晶圓製造業務。因應這項措施,美光將在愛達荷州工廠裁員約500人,同時在本會計年度結束之前,還會裁減2000個職缺
奇夢達美國子公司申請破產保護 (2009.02.24)
外電消息報導,奇夢達週一(2/23)表示,將為其在美國的子公司申請破產保護。 據報導,奇夢達是在本週一時發表美國子公司的破產保護聲明。奇夢達表示,奇夢達的美國子公司奇夢達北美公司及奇夢達Richmond L.L.C,已於2009年2月20日提交了破產保護申請
Numonyx發表首款45奈米NOR快閃記憶體技術 (2009.02.23)
恆憶(Numonyx)日前發表了業界首款採用45奈米製程的MLC NOR快閃記憶體樣本。該技術不但為客戶提供高度的產品升級彈性和可靠度外,更大幅提高恆憶記憶體產品效能。 這款45奈米,容量達1 GB的單石(monolithic)元件,是基於Numonyx StrataFlash 記憶體架構,與恆憶目前量產的65奈米 NOR快閃記憶體晶片接腳相容
ONFI 2.1標準問世 NAND傳輸提升至200MB/s (2009.02.11)
開放式NAND快閃記憶體介面(ONFI)工作小組今日(2/11)發佈了ONFI 2.1版技術規範。ONFI 2.1版本除具備更簡化的快閃記憶體控制器設計,並將傳輸性能提升至每秒166MB/s到200MB/s間
NOR記憶體大廠Spansion日本公司聲請破產保護 (2009.02.10)
由AMD與富士通所合組記憶體公司飛索半導體(Spansion)今日(2/10)宣布,其日本分公司已聲請破產保護,目前正在進行企業重整。而在這段期間,其相關的產品與服務仍將維持運作
Epson多媒體播放器採用Actel可編程快閃記憶體 (2008.12.25)
Actel公司宣佈精工愛普生公司(Seiko Epson)在其新推出的Epson 多媒體播放器 P-7000和P-6000産品中採用Actel的低耗電快閃型裝置ProASIC3 FPGA。獲採用的A3P125 ProASIC3裝置,擁有125,000系統閘,最適用於CompactFlash記憶卡及介面電路的高速存取
站穩SerDes IP 創意電子看好09年高速連接市場 (2008.12.23)
2009年IC設計有哪些發展重點?台灣IC設計服務領導商創意電子說:開發平台、高速連接、奈米設計、低功耗以及SiP技術。其中先進的高速連結技術跨入難度極高,一般廠商短時間內難有成果,但卻是創意電子最具競爭力的市場之一
華邦電子選中惠瑞捷測試快閃記憶體晶圓 (2008.12.17)
惠瑞捷(Verigy) 宣佈,快閃記憶體供應商華邦電子 (Winbond) 已採購多套Verigy V5400快閃記憶體測試系統,供台中廠使用,以測試SpiFlash序列式快閃記憶體的晶圓。這些記憶體採用序列週邊介面 (SPI),廣泛使用於PC、行動電話和其它行動裝置中
Netbook也不愛 09年SSD難有進展 (2008.12.17)
外電消息報導,市場研究公司DRAMeXchange日前公佈一份報告指出,Netbook銷售將在2009年拉出長紅,但SSD的需求量卻無法相對提升,甚至還會出現出現下滑,從原來的70%占有率減至20%左右
海力士可能考慮融資貸款來因應虧損 (2008.12.03)
外電消息報導,由於記憶體晶片價格持續滑落,加上全球景氣衰退的因素,全球第二大記憶體晶片供應商海力士,正在考慮採取融資籌款的方式,來因應未見好轉的虧損狀況
新一代NVM記憶體之爭 MRAM贏面大 (2008.11.12)
全球先進半導體設備及製程技術供應商Aviza今日(11/13)在台表示,MRAM有希望從多家新一代非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory;NVM)技術中脫穎而出,並取代目前主流的SRAM,成為終極的通用型記憶體解決方案
革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)
市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能,短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守,長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力(Scalability)、儲存覆寫次數耐久性(Endurance)和資料保存能力(Data Retention)的侷限,使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵
雙D市況不佳  三星第3季獲利減少44% (2008.10.27)
根據國外媒體報導,南韓三星電子上週公佈第3季財務報告。由於全球經濟衰退和其半導體DRAM和顯示螢幕(Display)雙D產品價格下滑,Samsung獲利減少了44%。 Samsung表示,在截止到9月30日的第3季財報顯示,獲利表現從去年同期的2
PQI將參加2008杜拜GITEX展 (2008.10.15)
勁永國際(PQI)將於2008年10月19日至10月23日參加杜拜GITEX展,PQI攤位位置為Hall3 D3-42,除了展出旅行碟、記憶卡、記憶體模組等系列產品,並特別以水底世界展示PQI防水旅行碟系列產品,還有休閒旅遊不可缺少的記憶卡系列產品,同時也將展出PQI最新火鳳凰系列記憶體模組,此外並規劃全系列產品包裝區讓參觀者可以一覽PQI產品全貌
Atmel首款1.8V的8Mb Serial Flash具極低功耗 (2008.09.26)
Atmel(愛特梅爾)宣佈業界首款能夠在1.8V電壓下運作的8Mb Serial Flash元件AT25DF081,經已準備投產。全新的AT25DF081具有1.65V到1.95V的低工作電壓範圍,與許多現有和即將上市的採用90nm製程的ASIC和處理器/控制器相同的工作電壓,允許系統設計人員最終創建出使用單一電源電壓為系統中所有元件供電的應用,並可顯著降低成本
Spansion推出高性能NAND快閃記憶體生產計畫 (2008.09.15)
純快閃記憶體解決方案供應商Spansion公佈了即將推出的MirrorBit ORNAND2產品系列生產計畫,該系列產品的寫入速度可提高25%,讀取速度最高可提升一倍,其裸片尺寸也比目前的浮動閘門NAND快閃記憶體明顯減小
三星電子可能收購快閃記憶體供應商SanDisk (2008.09.08)
外電消息報導,有消息指稱,三星電子(Samsung)正在計畫收購全球最大的快閃記憶體供應商SanDisk。但三星電子表示,收購僅是與SanDisk結盟的選項之一,目前仍未正式定案
華東承啟科技將展出全系列工業等級記憶體模組 (2008.09.08)
華東承啟科技(Walton Chaintech Corporation)將於9/9至9/11台北世貿二館國際積體電路展2D17展出全系列工業等級Flash及DRAM記憶體模組產品包含工業規格SSD、CF/SD Card、EDM、Un-buffered DIMM等熱門工業儲存項目,為超頻記憶體模組品牌APOGEE的產品線再增添生力軍
記憶體發展走在十字路口,有什麼值得期待的應用可以帶動市場景氣? (2008.09.08)
記憶體發展走在十字路口,有什麼值得期待的應用可以帶動市場景氣?

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