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CTIMES / Mosfet
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
ROHM推出4引腳封裝SiC MOSFET SCT3xxx xR系列 (2019.09.24)
半導體製造商ROHM推出6款溝槽閘結構SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」產品(耐壓650V/1200V),適用於有高效率需求的伺服器電源、太陽能變流器及電動車充電站等應用。 此次新研發的系列產品採用4引腳封裝(TO-247-4L),可充分發揮SiC MOSFET本身的高速開關性能
鎖定新一代導彈制動系統的無電刷直流馬達 (2019.07.05)
現代馬達在無電刷直流馬達(BLDC)在內所達致各方面的進步,使得業界已經能做出更小、更輕、更廉價、更有效率的CAS設計。為了要驅動BLDC的三個相位,導致系統複雜度提高
您的電動汽車充電系統具有適當的安全性,有效性和可靠性? (2019.05.02)
本文概述了市場上不同類型的電動汽車充電站,展示了常見的結構以及如何將安全性,效率和可靠性整合到最佳設計中。
穩健的汽車40V功率 MOSFET提升汽車安全性 (2019.04.01)
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足電動助力轉向系統(EPS)和電子駐車制動系統 (EPB)等汽車安全系?的機械、環境和電器要求。
600V超接合面MOSFET PrestoMOS系列具有快速反向恢復時間 (2019.03.21)
在全球的功率需求中,近50%用於馬達驅動,隨著生活家電在新興國家的普及,馬達驅動帶來的功率消耗量預計會逐年增加。
安森美半導體推出全新工業級和符合車規的SiC MOSFET (2019.03.19)
安森美半導體推出了兩款全新碳化矽(SiC)MOSFET。工業級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬能帶隙(WBG)技術的使能、廣泛性能優勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不斷電系統(uninterruptable power supply;UPS)及伺服器電源
系統複雜度升級 數位電源讓供電難題迎刃而解 (2018.11.28)
數位電源可讓系統設計人員節省PCB空間,來增加更多功能電路。除了可以縮短開發時間、降低成本之外,還能快速將產品推向市場。
EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可實現優異冷藏效率 (2018.10.25)
本文說明閘極驅動器電路有效設計的基本考量,以及結合運用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所帶來的效益。
技術領先同業 羅姆半導體攤位兩大明星商品吸睛 (2018.10.24)
18日於集思台大會議中心柏拉圖廳舉行的「車聯網技術趨勢研討會」,場外多家廠商的展示攤位紛紛推出主力產品,與會者莫不駐足觀賞。
Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充碳化矽MOSFET器件組合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET產品的重要補充,也是Littelfuse公司已發佈的1200V碳化矽MOSFET和蕭特基二極體的強有力補充
宜特FSM化鍍服務本月上線 無縫接軌BGBM晶圓薄化製程 (2018.09.20)
電源管理零組件MOSFET在汽車智慧化崛起後供不應求,為填補供應鏈中此一環節的不足,在半導體驗證分析領域深耕多年的宜特科技,正式跨攻「MOSFET晶圓的後段製程整合服務」,其中晶圓薄化-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM,Backside Grinding/ Backside Metallization)製程,在本月已有數家客戶穩定投片進行量產,線上生產良率連續兩月高於99.5%
英飛凌推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 適用於 PFC 與返馳拓撲 (2018.09.07)
英飛凌科技股份有限公司CoolMOS P7 系列推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 新產品,符合最為嚴格的設計要求:適用於照明、智慧電錶、行動充電器、筆電電源供應器、輔助電源供應器,以及工業 SMPS 應用
東芝推出新一代Superjunction功率MOSFET (2018.08.31)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出新一代650V Superjunction功率MOSFET – TK040N65Z其用於資料中心的伺服器電源、太陽能(PV)功率調節器、不斷電系統(UPS)及其他工業應用
東芝推出散熱效果更佳40V Nch功率MOSFETs 符合AEC-Q101標準 (2018.08.21)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出兩款可應用於車用相關設計最新40V Nch MOSFET – TPWR7904PB & TPW1R104PB,可應用於電動輔助轉向系統、負載開關、電動幫浦。 此款IC為U-MOS第九代晶片採用溝槽式結構,其確保高散熱及低電阻的特性
意法半導體電隔離柵極驅動器 控制並保護SiC、MOSGET、IGBT (2018.08.15)
意法半導體(STMicroelectronics)的STGAP2S單路隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓,能讓使用者選擇獨立的導通/關斷輸出或內部主動米勒鉗位功能,其可使用於各種開關拓撲控制碳化矽(SiC)或矽MOSFET和IGBT功率電晶體
東芝推出功率MOSFET閘極驅動智慧功率元件 (2018.08.06)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出針對車用三相無刷馬達應用的小型化功率MOSFET閘極驅動智慧功率元件(IPD)。此款IC可應用於12V電動輔助轉向系統(EPS)、油/水泵、風扇馬達和電動渦輪增壓器等相關車用馬達驅動產品
ADI高效率N通道切換開關湧浪抑制器 對150V瞬變提供保護 (2018.07.27)
亞德諾半導體(ADI)宣佈推出Power by Linear LTC7862,該元件為一款具有過壓和過電流保護的高效率切換開關湧浪抑制器,適於高可靠性系統應用。 LTC7862 可驅動一N 通道功率 MOSFET 級
搭載整合型MOSFET的最佳化降壓穩壓器將功率密度提升至新水準 (2018.07.26)
整合是固態電子產品的基礎,理想的方案是將所有降壓轉換器功能整合到一個單一、小型及高能效的元件中,以提供更強大的整體系統優勢。
英飛凌發表CoolSiC MOSFET產品 兼具高性能與可靠度 (2018.07.24)
德國半導體元件商英飛凌(Infineon)今日在台北宣布推出新一代搭載CoolSiC技術的MOSFET系列產品,透過其獨特的碳化矽 (SiC) 溝槽式 (Trench) 技術,提供高性能、高可靠度、高功率密度,且具成本效益的電源解決方案
意法半導體高功率電子式保險絲 提供整合型保護功能 (2018.07.20)
意法半導體(STMicroelectronics)STEF01可程式設計電子式保險絲,整合低導通電阻RDS(ON)的VIPower MOSFET功率管,在8V到48V的寬輸入電壓範圍內,能夠維持高達4A的連續電流,不僅損耗低,還能將動作快速超載保護之優勢延續到額定功率更高的應用產品

  十大熱門新聞
1 ROHM高可靠性車載Nch MOSFET適用於多種馬達及LED頭燈應用
2 ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC
3 Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關

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