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ST：發展碳化矽技術關鍵在掌控整套產業鏈 (2022.03.14)
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散元件產品部（ADG）執行副總裁暨功率電晶體事業部總經理Edoardo MERLI指出，由於全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，並將氣溫上升控制在1

ST第三代碳化矽技術問世瞄準汽車與工業市場應用 (2022.03.14)
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要，由於全球能源需求正在不斷成長，因此必須控制碳排放，並將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標

下半年8吋基板將量產第三類功率半導體2025年CAGR達48% (2022.03.10)
據TrendForce研究推估，第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年複合成長率達48%。 SiC適合高功率應用，如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業

Ampleon發佈增強效能的第3代GaN-on-SiC電晶體 (2022.02.23)
埃賦隆半導體（Ampleon）推出兩款新型寬頻碳化矽基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率電晶體（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度元件是最近通過認證並投入生產的第3代GaN-SiC HEMT制程的首發產品

Wise-integration與益登合作拓展GaN IC電源半導體產品通路 (2022.02.10)
GaN晶片和GaN電源數位控制商Wise-integration(懷智整合)，攜手益登科技，共同宣布針對GaN電源半導體進行通路合作，攜手拓展Wise-integration在亞洲市場的業務。益登科技與Wise-integration的策略合作將著重於利用Wise-integration的GaN功率電晶體和數位控制能力，並與益登科技在亞洲地區廣泛的半導體元件銷售通路和顧客服務能力做結合

意法半導體推出高效節能且更纖薄的首款PowerGaN產品 (2022.01.12)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出了屬於STPOWER產品組合的新系列GaN功率半導體產品，能大幅降低各種電子產品的能量消耗並縮小尺寸。主要應用於消費性電子產品，例如，充電器、PC外接電源適配器、LED照明驅動器、電視機等家電內部電源

ROHM榮獲EcoVadis的2021年永續發展最高評價「白金獎」 (2022.01.10)
半導體製造商ROHM在 EcoVadis（總部位於法國）的2021年永續發展調查中，獲得最高評價「白金獎」，這是ROHM首次榮獲該獎項。「白金獎」是針對約80,000家評價對象中排名前1%企業所頒發的獎項

Microchip擴大氮化鎵（GaN）射頻功率元件產品組合 (2021.12.02)
Microchip今日宣佈擴大其氮化鎵（GaN）射頻（RF）功率元件產品組合，推出頻率最高可達20 GHz的新款單晶微波積體電路（MMIC）和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率（PAE）和高線性度，為5G、電子作戰、衛星通訊、商業和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的效能水準

ST隔離式SiC閘極驅動器問世採用窄型SO-8封裝節省空間 (2021.11.04)
意法半導體（STMicroelectronics）新推出之STGAP2SiCSN是為控制碳化矽MOSFET而優化的單通道閘極驅動器，其採用了節省空間的窄體SO-8封裝，具備穩定的效能和精準的PWM控制。 SiC功率技術被廣泛使用於提升功率轉換效率，而STGAP2SiCSN SiC驅動器可簡化節能型電源系統、驅動和控制電路設計以節省空間，並加強穩定性和可靠性

「2021電源管理與電力設計研討會」特別報導 (2021.10.27)
愛德克斯：高整合電驅系統當道電機與電池模擬測試是關鍵電動車產業正如火如荼的發展，包含台灣在內，各國政府也透過法令與補貼政策，全力推動電動車市場的成形

ROHM榮獲UAES SiC功率解決方案優先供應商殊榮 (2021.10.27)
半導體製造商ROHM榮獲中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司（UAES）的SiC功率解決方案優先供應商殊榮。 UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來，雙方在採用SiC功率元件的車電應用產品開發方面建立了合作夥伴關係

2021年全球GaN功率廠出貨排名預測納微半導體以29%居冠 (2021.09.30)
根據TrendForce研究顯示，受惠於消費性快充產品需求快速上升，如手機品牌小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭，憑藉高散熱效能與體積小的產品優勢獲得消費者青睞，截至目前筆電廠商也有意跟進，使GaN功率市場成為第三代半導體產業中產值上升最快速的類別，預估2021年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%

中央大學攜手是德建立第三代半導體研發暨測試開放實驗室 (2021.09.28)
是德科技（Keysight）攜手國立中央大學光電科學研究中心（National Central University Optical Sciences Center），共同合作提高了GaN、SiC應用研發及測試驗證之效率，並加速5G基建及電動車創新之步伐

TI推出最新GaN技術攜手台達打造高效能伺服器電源供應器 (2021.09.26)
德州儀器（TI）宣佈，其氮化鎵（GaN）技術和 C2000 即時微控制器（MCU），輔以台達的電力電子核心技術，為資料中心開發設計高效、高功率的企業用伺服器電源供應器（PSU）

意法半導體推出單晶片 GaN 閘極驅動器 (2021.09.10)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出STDRIVEG600半橋閘極驅動器輸出電流大，上下橋輸出訊號傳播延遲為45ns，能夠驅動GaN加強型 FET 高頻開關。 STDRIVEG600的驅動電源電壓最高20V，還適用於驅動N溝道矽基MOSFET，在驅動GaN元件時，可以靈活地施加最高6V閘極－源極電壓（Gate-Source Voltage；VGS），確保導通電阻Rds(on)保持在較低水準

英飛凌攜手Panasonic 共同加速650 V GaN功率裝置技術發展 (2021.09.06)
英飛凌科技和 Panasonic 公司，已針對共同開發及生產第二代 (Gen2) 氮化鎵 (GaN) 技術簽訂合約，基於已獲認可接受的GaN技術，Gen2技術將提供更高效率和功率密度水準。為了因應市場需求，Gen2 將會開發為 650 V GaN HEMT

聯華電子與頎邦科技經股份交換建立策略合作關係 (2021.09.06)
聯華電子、宏誠創投(聯電持股100%子公司)及頎邦科技董事會今日分別通過股份交換案，聯華電子及頎邦科技兩家公司將建立長期策略合作關係。聯電以先進製程技術提供晶圓製造服務，為IC產業各項應用產品生產晶片，並且持續推出尖端製程技術及完整的解決方案，以符合客戶的晶片設計需求，所提供方案橫跨14奈米到0

新能源車需求助攻 2025年GaN功率元件年CAGR達78% (2021.09.05)
TrendForce表示，2021年隨著各國於5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使如基地台、能源轉換器（Converter）及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁

盛美發佈首台晶圓級封裝和電鍍應用電鍍設備 (2021.08.31)
盛美半導體設備發佈了新產品—Ultra ECP GIII電鍍設備，以支援化合物半導體(SiC, GaN)和砷化鎵(GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金（Au）鍍到背面深孔制程中，具有更好的均勻性和臺階覆蓋率

拓展碳化矽實力安森美將收購GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生產商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 於美國時間8月25日宣佈已達成最終協定，根據該協定，安森美將以4.15億美元現金收購GTAT。 GTAT 成立於 1994 年，在包括 SiC 在內的晶體成長方面擁有豐富的經驗