CTIMES - 電阻式

KLA-Tencor發表其第三代的磁性度量系統－MRW3 (2006.06.14)
KLA-Tencor發表其第三代的磁性度量系統－MRW3，可供應硬碟機(HDD)以及半導體記憶體市場。MRW3 是以領先市場的MRW200平台為架構，能夠測量產品晶圓中HDD 讀寫頭磁電阻式隨機存取記憶體(MRAM) 的磁性質，以利生產控制並可儘早偵到對於良率有不利影響的製程問題

德國Kontron推出7吋面板的4U工業級Workstation (2006.04.26)
德國Kontron推出一款採用7吋彩色面板並配備有多個擴充插槽的4U工業級Workstation-KWS-4070。這款KWS-4070產品，是針對機架式系統使用者提供整合型低成本解决方案，及新的自動控制應用來開發

電容式觸控螢幕可攜式設備手寫輸入技術 (2006.01.25)
對於成本敏感的消費性應用，尤其是使用小型觸控螢幕的可攜式設備，電阻式觸控螢幕仍占主流地位。不過，目前觸控螢幕的市場出現劇烈變化。在今後的兩年中，內表面電容式感測技術可能侵蝕電阻式觸控螢幕的市場，並且在今後5～10年中成為市場主流

LED高效率電流驅動設計 (2006.01.25)
在過去幾年，高亮度LED已經逐漸成為各種應用的照明來源選擇，本文將介紹一個控制高亮度LED電流的簡單電路，它包含一個標準型號的高度整合降壓型切換式穩壓器，可以精確控制LED的電流，是一個以125kHz固定頻率運作的直流─直流轉換器

NI推出適用可攜式系統的Boomer聲頻放大器晶片 (2005.01.13)
美國國家半導體公司(National Semiconductor Corporation)宣佈推出三款適用於可攜式系統的Boomer聲頻放大器晶片。這三款晶片是可驅動陶瓷及壓電喇叭的單晶片聲頻放大器。廠商只要採用這幾款放大器晶片

補償PT100換能器正類比回饋元件之概述 (2004.02.05)
電阻式溫度偵測器提供高精密、範圍極大的溫度區間，如搭配合適的資料處理設備即可紀錄、處理及傳輸電氣輸出訊號。該篇文章將檢討常用溫度感測器的基本特性，同時說明RTD PT100溫度換能器，並討論可以將這些元件輸出線性化處理的簡單類比方法

為手機選擇電源管理功能 (2003.11.05)
行動電話除需具備多樣化功能，如何在不增加產品體積的前提下擁有更長的電池使用時間與更高效能，對於消費者來說亦是重要的議題，而電源管理IC在此時則扮演關鍵性的角色；本文將分析新一代行動電話在電源管理IC設計上的不同考量，以及相關技術的發展趨勢

找尋夢幻記憶體 (2003.11.05)
記憶體在最近這幾年隨著可攜式產品的發展，有了許多不同的面貌與空間，在終端產品輕、薄、短、小的要求之下，半導體記憶技術自然脫穎而出，而具備非揮發的特性更是重點，因此本文將就未來記憶體型態可能的樣貌進行探討

摩托羅拉推出MRAM晶片 (2003.10.29)
摩托羅拉公司於27日表示，該公司已經製造出 4 兆位元的磁電阻式隨機存取記憶體晶片。特定的客戶目前正在評估這項先進晶片技術的樣品。這項技術里程碑，進一步證實了 MRAM 有可能取代多種現有的記憶體技術的可行性

投入MARM研發　三星表示已有重大技術突破 (2003.02.13)
據網站Silicon Strategies報導，在IBM、Cypress、Infineon、NEC及Motorola等業者相繼投入人力物力，開發最新磁電阻式隨機存取記憶體（MRAM）之後，南韓三星電子也宣布加入此一新型記憶體的研發行列，並表示該公司已在技術上獲得重大突破

IC記憶體的統合應用 (2002.06.12)
Motorola的半導體部門及其實驗室日前聯合發表了業界第一款1Mb MRAM(磁電阻式隨機存取記憶體，magnetoresistive random access memory)通用記憶體晶片，這讓以半導體IC來做系統整合的應用更方便了，也會加大各類消費性電子產品的功能使用

摩托羅拉推出第一款百萬位元MRAM (2002.06.11)
摩托羅拉半導體事業部(SPS)和摩托羅拉實驗室於本週在2002年科技與電路超大型積體電路座談會(2002 VLSI Symposia on Technology and Circuits)中，聯合發表第一款百萬位元MRAM(磁電阻式隨機存取記憶體，magnetoresistive random access memory)通用記憶體晶片

晶片市場戰況激烈 (2002.06.11)
美商超微(AMD)9日發表第一款採用0.13微米製程，運轉時脈為1.8Ghz的最新Athlon XP 2200+微處理器晶片。在此同時，摩托羅拉半導體事業部(SPS)和摩托羅拉實驗室，近期在「科技與電路超大型積體電路座談會」中，聯合發表第一款1Mb MRAM（磁電阻式隨機存取記憶體）晶片，並預定明年推出樣品，2004年量產

工研院電子所與台積電攜手合作 (2002.03.20)
工研院電子所及台灣積體電路製造公司20日共同宣佈，雙方於日前正式簽訂磁電阻式隨機存取記憶體 (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) 合作發展計畫。此計畫將結合台積公司前段製程技術及電子所的後段製程技術的優勢，除了可即時切入下一世代奈米電子的製程技術開發外，將有助於繼續維持我國半導體產業技術的優勢

DATEL推出二款12位元數位控制式電流負載 (2001.11.14)
DATEL的代理商－合訊科技日前表示，DATEL所推出的DTL3A和DTL4A是兩款新的12位元高解析度，完全隔離，高負載功率，小體積的數位控制式電流負載。每一位元可以控制500uA和 2.5mA的負載電流變化；其控制輸入端和負載輸出端之間使用光偶合器隔離

突破光電研發新觸控式面版 (2000.10.31)
突破光電於2000年4月正式成立，資本額2億元，配合擴廠需求，預計年底將增至4億元。在特殊規格的產品上，目前具備72小時內完成產品圖、10天樣本出爐、3個星期內進入大量生產的實力，原較業界一般交期長達三個月大幅超前; 至於技術方面，4線式電阻式產品目前已開始量產，明年第一季將導入6線式產品