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中美矽晶佈局化合物半導體 成功開發各尺寸晶圓產品 (2021.12.22)
中美矽晶集團積極發展化合物半導體，如碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰及鈮酸鋰等。在本屆的國際光電大展中，中美矽晶集團攜手旗下半導體子公司環球晶圓及轉投資事業 |
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ST推出第三代碳化矽產品 推動電動汽車和工業應用未來發展 (2021.12.15)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出第三代STPOWER碳化矽（SiC） MOSFET電晶體，推動最先進的技術在電動汽車動力傳動系統功率設備的應用，以及在其他以功率密度、節能、高可靠性為重要目標的應用 |
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800V架構漸近 2025年電動車對6吋SiC晶圓需求將達169萬片 (2021.12.01)
電動車市場對於延長續航里程及縮短充電時間有著極大需求，整車平臺高壓化趨勢愈演愈烈，對此各大車企已陸續推出800V高壓車型，例如Porsche Taycan、Audi Q6 e-tron、Hyundai Ioniq 5等 |
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A*STAR微電子研究所和ST合作 研發電動汽車與工業用碳化矽 (2021.11.30)
科學技術研究局（A*STAR）微電子研究所（Institute of Microelectronics，IME）與意法半導體（STMicroelectronics）宣布，在汽車和工業市場功率電子設備用碳化矽（SiC）領域展開研發（R&D）合作 |
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ST隔離式SiC閘極驅動器問世 採用窄型SO-8封裝節省空間 (2021.11.04)
意法半導體（STMicroelectronics）新推出之STGAP2SiCSN是為控制碳化矽MOSFET而優化的單通道閘極驅動器，其採用了節省空間的窄體SO-8封裝，具備穩定的效能和精準的PWM控制。
SiC功率技術被廣泛使用於提升功率轉換效率，而STGAP2SiCSN SiC驅動器可簡化節能型電源系統、驅動和控制電路設計以節省空間，並加強穩定性和可靠性 |
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安森美完成收購GT Advanced Technologies 強化碳化矽實力 (2021.11.02)
安森美(onsemi)，於美國時間11月1日宣佈，已完成對碳化矽(SiC)生產商GT Advanced Technologies（「GTAT」）的收購，確保和增加SiC供應的能力。
安森美的客戶將受益於GTAT在晶體生長方面的豐富經驗，及其在開發晶圓就緒的SiC方面令人嘆服的技術能力和專業知識 |
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「2021電源管理與電力設計研討會」特別報導 (2021.10.27)
愛德克斯：高整合電驅系統當道 電機與電池模擬測試是關鍵
電動車產業正如火如荼的發展，包含台灣在內，各國政府也透過法令與補貼政策，全力推動電動車市場的成形 |
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ROHM榮獲UAES SiC功率解決方案優先供應商殊榮 (2021.10.27)
半導體製造商ROHM榮獲中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司（UAES）的SiC功率解決方案優先供應商殊榮。
UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來，雙方在採用SiC功率元件的車電應用產品開發方面建立了合作夥伴關係 |
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正海集團與ROHM協議合資公司 發展碳化矽功率模組 (2021.10.22)
正海集團與ROHM簽署合資協定，將共同成立一間主要經營功率模組事業的新公司。新公司名為上海海姆希科半導體有限公司（HAIMOSIC (SHANGHAI) CO., LTD.），計畫於2021年12月在中國成立，出資比例為正海集團旗下的上海正海半導體技術有限公司佔80%，ROHM佔20% |
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中央大學攜手是德 建立第三代半導體研發暨測試開放實驗室 (2021.09.28)
是德科技（Keysight）攜手國立中央大學光電科學研究中心（National Central University Optical Sciences Center），共同合作提高了GaN、SiC應用研發及測試驗證之效率，並加速5G基建及電動車創新之步伐 |
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UnitedSiC推出最小導通電阻6mΩ SiC FET 耗損僅競品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的應用正快速且廣泛的成長中，尤其是電動車相關的市場，而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC（聯合碳化矽），今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品，該元件的導通電阻（RDS on）僅有6mΩ，僅有競爭對手SiC MOSFET產品的一半，並提供了5μs額定短路耐受時間 |
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應用材料助碳化矽晶片製造 加速升級至200毫米晶圓 (2021.09.09)
應用材料公司推出新產品，協助全球領先的碳化矽 (SiC) 晶片製造商，從150毫米晶圓製造升級為200毫米製造，增加每片晶圓裸晶 (die) 約一倍的產量，滿足全球對優質電動車動力系統日益增加的需求 |
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聯華電子與頎邦科技 經股份交換建立策略合作關係 (2021.09.06)
聯華電子、宏誠創投(聯電持股100%子公司)及頎邦科技董事會今日分別通過股份交換案，聯華電子及頎邦科技兩家公司將建立長期策略合作關係。
聯電以先進製程技術提供晶圓製造服務，為IC產業各項應用產品生產晶片，並且持續推出尖端製程技術及完整的解決方案，以符合客戶的晶片設計需求，所提供方案橫跨14奈米到0 |
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盛美發佈首台晶圓級封裝和電鍍應用電鍍設備 (2021.08.31)
盛美半導體設備發佈了新產品—Ultra ECP GIII電鍍設備，以支援化合物半導體(SiC, GaN)和砷化鎵(GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金（Au）鍍到背面深孔制程中，具有更好的均勻性和臺階覆蓋率 |
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拓展碳化矽實力 安森美將收購GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生產商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 於美國時間8月25日宣佈已達成最終協定，根據該協定，安森美將以4.15億美元現金收購GTAT。
GTAT 成立於 1994 年，在包括 SiC 在內的晶體成長方面擁有豐富的經驗 |
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邊緣運算推升伺服器需求 英飛凌讓電源供應器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的數據量正在加速爆走中，尤其是物聯網和邊緣運算應用被逐步導入市場之後，各種機器與設備的資料和數據，就日夜不停地被記錄與傳送到雲端資料中心與伺服器之中，直接推升了各個領域對於伺服器的建置需求 |
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意法半導體製造首批8吋碳化矽晶圓 (2021.08.13)
意法半導體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠製造出首批8吋（200mm）碳化矽（SiC）晶圓，這些晶圓將用於生產下一代功率電子晶片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得重要階段性的成功 |
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Microchip推出耐固性最強的碳化矽功率解決方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分離元件和電源模組。
Microchip的1700V碳化矽技術是矽IGBT的替代產品 |
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科銳攜手邁凌科技 實現新型超寬頻5G技術 (2021.07.14)
科銳 (Cree, Inc.,)宣佈，與美商邁凌科技(MaxLinea)成功合作，結合科銳 Wolfspeed碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)中頻功率放大器，和美商邁凌科技超寬頻線性化解決方案(MaxLin)，增加了 5G 基地台的無線容量，可支援更多人同時使用，並且提高了資料傳輸速度 |
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ROHM內建SiC二極體IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 損耗減少67% (2021.07.13)
半導體製造商ROHM開發出650V耐壓、內建SiC蕭特基二極體的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」 |
