|
奇夢達推出省電型FB-DIMM產品 (2007.07.10) 記憶體產品供應商奇夢達公司,近日推出首款Quad-Rank的8GB DDR2 Fully-Buffered Dual-In-Line Memory Modules(FB-DIMMs)記憶體模組,這項技術不僅帶來新一代的多核心伺服器效能,且能降低伺服器的耗電量 |
|
力晶協同瑞薩共赴中國大陸設廠 (2007.07.02) 2006年底經濟部同意力晶西進中國大陸設立8吋、0.18微米製程晶圓廠後,力晶曾表示將與日商合作夥伴瑞薩合資前往設廠,以邏輯代工為主,並考慮向日商採購或就地購買二手設備 |
|
瑞晶將興建第二座12吋晶圓廠 (2007.06.28) 瑞晶即將開始量產,並興建第二座十二吋廠。據了解,為了持續推展DRAM成本競爭力,力晶與爾必達合資的瑞晶將興建第二座十二吋DRAM廠,預計八、九月動工,至於瑞晶一廠正裝機試產,大量生產會在八、九月,年底產能將達3萬片 |
|
智原科技宣佈推出DDR2 記憶體實體層介面IP (2007.06.26) ASIC設計服務暨IP研發銷售領導廠商-智原科技,宣佈推出DDR2實體層介面(PHY)IP,其中0.13微米以及90奈米製程已經通過聯電矽驗證。智原的DDR2實體層IP將可以協助半導體廠商設計高效能的DDR2記憶體整合晶片,尤其適用於消費性、汽車電子零組件、工業以及醫療設備等領域的應用產品 |
|
2010年兩岸DRAM產量將超越南韓 (2007.05.31) 台灣和中國的DRAM總產量,將在2010年之前超過南韓。根據iSuppli預測,台灣和中國的DRAM廠陸續擴產,相較之下南韓僅有三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導體(Hynix Semiconductor)為主要DRAM生產商,且該兩廠商未來也會將生產的重心移向NAND快閃記憶體 |
|
微軟認為DRAM是導致當機的主因 應升級ECC (2007.05.21) 外電消息報導,依據一份微軟外流的機密資料顯示,微軟認為導致電腦系統當機的主要原因是DRAM的資料讀寫錯誤,而為了降低當機的機率,微軟建議廠商應該使用具有ECC功能的記憶體 |
|
Spansion尋找新藍海 計劃攻占DRAM市場 (2007.05.21) 專門供應NOR快閃記憶體供應商Spansion,決定瞄準年度規模高達300億美元的DRAM市場。NOR市場競爭非常激烈,而且面臨強大的價格壓力。Spansion計畫將該公司專屬的MirrorBit技術定位為DRAM的競爭技術,希望藉此打開高階手機、PDA、通訊話機的市場 |
|
海力士獲得英特爾DDR3 SDRAM產品認證 (2007.05.09) 南韓海力士半導體(Hynix Semiconductor)對外表示,該公司已經從美國英特爾(Intel)獲得了DDR3同步動態隨機記憶體(SDRAM)的產品認證。
海力士表示,此次獲得的是80nm製程技術的1Gbit DDR3 SDRAM,以及該晶片應用於個人電腦(PC)大容量儲存模組的認證 |
|
2007 DRAM最重要趨勢為70奈米的推進 (2007.05.02) DRAM報價跌勢劇烈,除了將產能轉移外,為持續降低營運成本,台灣記憶體廠的茂德、力晶都將加快70奈米製程的腳步,至於華邦則宣佈試產80奈米,90奈米與70奈米產出比例相差55%,下半年將主流製程推進到70奈米後,將更具成本競爭優勢 |
|
奈米淘汰賽 DRAM 8吋廠轉移產能另圖發展 (2007.04.30) 標準型DRAM進入90奈米以下製程,既有8吋廠出現競爭力不足的瓶頸,這些DRAM廠傳出將8吋廠產能轉做邏輯代工,因此可能危及晶圓代工廠接單。
近年來隨DRAM製程技術的推進,目前業界整體產線多為90奈米製程,並計畫自今年下半起轉入70奈米製程,在此一趨勢下,DRAM業者的8吋廠今年將除役,陸續退出生產標準型DRAM的行列 |
|
奇夢達2007年第二季營收為9.84億歐元 (2007.04.27) 奇夢達發佈截至2007年3月31日的2007會計年度第二季與上半年營收結果。奇夢達在2007會計年度第二季的營收為9.84億歐元,較去年同期的9.28億歐元為高,但比2007會計年度第一季的11.7億歐元下滑 |
|
Vista買氣不如預期 DRAM價格下跌 (2007.04.24) 台灣DRAM大廠南亞科、力晶、華亞科等透露本季DRAM景氣就會觸底,只是由目前DRAM市場過於疲弱的需求來看,現貨價及合約價低檔成交區,均跌破2美元整數關卡,在此價位全球將沒有一家DRAM廠可賺錢 |
|
奇夢達與Advantest針對GDDR5開發測試解決方案 (2007.04.16) 全球記憶體產品供應商奇夢達宣佈與Advantest合作,針對GDDR5測試作業開發硬體方案。雙方的合作將針對GDDR5繪圖DRAM元件開發具成本效率的量產型測試解決方案。
GDDR5將繼GDDR3之後,成為下一個繪圖DRAM標準 |
|
Spansion與奇夢達簽署策略供應協議 (2007.04.12) 專業快閃記憶體解決方案供應商Spansion與DRAM廠商奇夢達公司,宣佈雙方簽署一項策略供應協議,提供行動裝置市場結合奇夢達低功耗DRAM與Spansion MirrorBit NOR與ORNAND元件,所整合成的多重晶片封裝(Multi-Chip Packages,MCP)記憶體解決方案 |
|
剖析DRAM市場 (2007.04.04) DRAM在半導體的市場佔有舉足輕重的地位,經常成為景氣的指標。跨入21世紀之後,DRAM產品開始邁入多樣化時代。過去DRAM的種類大致是以容量來區分,現在則外加多種不同技術,除了PC100、PC133外,尚有DDR DRAM,Rambus |
|
美光將為西脅工廠引進90奈米製程技術 (2007.03.28) 美國美光科技已決定耗資100億日圓(約8500萬美元)為生產DRAM的日本兵庫縣西脅工廠引進90奈米製程技術。西脅工廠目前主要生產設計製程為110nm的DRAM產品。美光此次投資將把西脅工廠一半的產能轉換成90nm製程 |
|
搶先一步 奇夢達和美光發表DDR3 DRAM晶片 (2007.03.26) 晶片分析機構Semiconductor Insight指出,奇夢達和美光科技已經搶在三星電子之前發表了下一代DDR3 DRAM晶片的樣品,成為DDR3 DRAM市場和技術的領先廠商。
DDR3晶片的速率是前代DDR2的二倍,但消耗的能量沒有明顯增長 |
|
海力士與新帝合作開發CE專用資料儲存晶片 (2007.03.22) 海力士(Hynix)與記憶卡業者新帝(SanDisk)將合作,聯手生產消費電子專用的資料儲存晶片。雙方將各出資一半,擴大海力士的產能,這項合作計畫將著重在可大幅提升NAND容量的x4記憶技術上 |
|
搶佔代工市場 中芯將擴大DRAM產量 (2007.03.22) 中芯國際對於DRAM的佈局又有積極動作。該公司執行長張汝京在Semicon China 2007研討會上,對外表示中芯北京廠即將針對65奈米邏輯產品進行投產,另外該公司旗下的武漢十二吋晶圓廠,初期產能也將全數用於DRAM的生產,此外中芯也正與奇夢達及爾必達商談70奈米製程的授權計劃 |
|
日月光獲選為奇夢達基板材料供應商夥伴 (2007.03.20) 半導體封裝測試廠日月光半導體,今(20)日宣佈獲選為奇夢達(Qimonda)基板材料供應商的策略夥伴,供應該公司全球IC製造廠基板材料的服務。日月光以其能在快速變化的巿場環境中提供彈性和優質客戶服務的傑出表現而獲選,並得以協助奇夢達迅速且有效的完成生產製造 |