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ROHM發表第4代低導通電阻SiC MOSFET (2020.06.17)
半導體製造商ROHM推出「1200V 第4代SiC MOSFET」，適合用於動力逆變器等車電動力總成系統和工控裝置電源。對於功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間就會縮短，兩者之間存在著權衡關係，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，也必須同時考慮如何兼顧短路耐受時間

Cree與StarPower助客車廠商開發SiC電機控制器系統解決方案 (2020.06.10)
宇通客車（宇通集團）於日前宣佈，其新能源技術團隊正在採用基於科銳（Cree, Inc.）1200V SiC元件的Stare半導體功率模組，開發更高效率，更快，更小，更輕，更強大的電機控制系統，各方共同推進SiC逆變器在新能源大巴領域的商業化應用

電動車商Vitesco和ROHM攜手打造SiC電源解決方案 (2020.06.05)
電動車品牌Vitesco Technologies（Vitesco）宣佈選擇SiC功率元件製造商羅姆半導體（ROHM）作為SiC技術的首選供應商，並就電動車領域功率電子技術簽署研發合作協定（2020年6月起生效）

SiC材料可望提高UVC LED光效強化殺菌成果 (2020.05.05)
光電協進會(PIDA)指出，UVC LED主動殺菌消毒正獲市場青睞。當冠狀病毒(COVID-19)大流行時，加州大學聖塔芭芭拉分校固態照明與能源電子中心(SSLEEC)的材料科學家已經在研究UVC LED技術

SiC MOSFET適用的PI SCALE-iDriver符合AEC-Q100汽車認證 (2020.03.18)
中高壓變頻器應用閘極驅動器技術廠商Power Integrations(PI)今日宣佈推出用於碳化矽(SiC) MOSFET的高效單通道閘極驅動器SIC118xKQ SCALE-iDriver，該產品現已通過AEC-Q100認證，可供汽車使用

ROHM SiC功率元件獲車電廠UAES採用助EV充電系統提升效率 (2020.03.17)
半導體製造商ROHM宣布，其SiC功率元件（SiC MOSFET）獲得中國車界Tier1供應商-聯合汽車電子有限公司（United Automot]ive Electronic Systems Co., Ltd.；UAES）採用，將應用於電動車充電器（On Board Charger；OBC）上

安森美半導體推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增長應用 (2020.03.11)
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)推出另兩個碳化矽(SiC)MOSFET系列，擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。這些新元件適用於各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站，提供的性能水準是矽(Si)MOSFET根本無法實現的

運用Web模擬工具可同時驗證SiC功率元件和驅動 IC (2020.03.06)
採用Mentor「SystemVision」雲端環境，輕鬆驗證電路解決方案。

英飛凌推出CoolSiC MOSFET 650V系列進一步降低切換損耗 (2020.02.25)
英飛凌科技持續擴展其全方位的碳化矽(SiC)產品組合，新增650V產品系列。英飛凌新發表的CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求，包括：伺服器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等

英飛凌攜手SMA 助力降低變頻器系統成本 (2020.01.31)
全球各地安裝的太陽能光電容量迅速成長，現今光電系統的總輸出約達 600 GW，提供了潔淨且符合成本效益的電力，相當於取代了約 600 座的中型燃煤火力發電廠。德國 SMA Solar Technology 與英飛凌因應此項成長趨勢，推出新一代採用碳化矽 (SiC) 的創新太陽能變頻器

意法半導體完成對碳化矽晶圓廠商Norstel AB的併購 (2019.12.12)
意法半導體（STMicroelectronics）宣布完成對瑞典碳化矽（SiC）晶圓製造商Norstel AB（Norstel）的完整收購。在2019年2月宣布首次交易後，意法半導體行使期權，完成收購剩餘的45％股份

科銳與ABB宣佈SiC元件合作供汽車和工業領域解決方案 (2019.11.21)
全球碳化矽（SiC）技術領先企業科銳（Cree）與ABB電網事業部宣佈達成合作，共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的採用。協定內容包括在ABB種類齊全的產品組合中，將採用科銳Wolfspeed SiC基半導體，這將有助科銳擴大客戶基礎，同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車（EV）市場

打造SiC走廊科銳將於紐約州建造最大SiC工廠 (2019.09.24)
科銳（Cree）計畫在美國東海岸創建碳化矽走廊，建造全球最大的碳化矽製造工廠。科銳將在美國紐約州Marcy建造一座全新的採用最先進技術並滿足車規級標準的200mm（8吋）功率和射頻（RF）晶圓製造工廠，而與之相輔相成的超級材料工廠（mega materials factory）的建造擴產正在公司特勒姆總部開展進行

ROHM推出4引腳封裝SiC MOSFET SCT3xxx xR系列 (2019.09.24)
半導體製造商ROHM推出6款溝槽閘結構SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」產品（耐壓650V／1200V），適用於有高效率需求的伺服器電源、太陽能變流器及電動車充電站等應用。此次新研發的系列產品採用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分發揮SiC MOSFET本身的高速開關性能

科銳將在紐約州建造全球最大SiC製造工廠 (2019.09.24)
作為碳化矽（SiC）技術全球領先企業的科銳（Cree, Inc.），於今日宣佈計畫在美國東海岸創建碳化矽走廊，建造全球最大的碳化矽製造工廠。科銳將在美國紐約州Marcy建造一座全新的採用最先進技術並滿足車規級標準的200mm功率和射頻（RF）晶圓製造工廠

ST提供先進SiC功率電子元件協助雷諾/日產/三菱聯盟研發下一代電動汽車快充技術 (2019.09.16)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）被雷諾－日產－三菱聯盟指定為高效能碳化矽（SiC）技術合作夥伴，為即將推出之新一代電動汽車的先進車載充電器（On-Board Charger，OBC）提供功率電子元件

Cree與德爾福科技開展汽車SiC元件合作 (2019.09.15)
科銳（Cree）與德爾福科技（Delphi Technologies）宣佈開展汽車碳化矽（SiC）元件合作。雙方的此次合作將通過採用碳化矽（SiC）半導體技術，為未來電動汽車（EV）提供更快、更小、更輕、更強勁的電子系統

台灣寬能隙技術專家瀚薪科技聚焦SiC與GaN元件開發 (2019.07.15)
從工研院分拆出來的瀚薪科技設立於台灣新竹，是聚焦寬能隙（wide band-gap）材料基礎的高功率半導體設計公司。

SiC量產差臨門一腳尚需進一步降低成本並提升材料質量 (2019.06.21)
隨著微電子技術的發展，傳統的Si和GaAs半導體材料由於本身結構和特性的原因，在高溫、高頻、光電等方面越來越顯示出其不足和侷限性，目前，人們已將注意力轉移到SiC材料，這將是最成熟的寬能帶半導體材料

英飛凌 CoolGaN e-mode HEMT 獲 Computex Best Choice Award 類別獎 (2019.05.21)
英飛凌科技今日宣布，旗下氮化鎵功率元件CoolGaN e-mode HEMT 系列憑藉其高功率密度、同級最佳效率及降低系統成本等優勢，榮獲 2019年度Computex BC Award 類別獎。同時，英飛凌也是目前市場上唯一一家專注於高壓功率器件，涵蓋矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的全方位供應商