CTIMES - 快閃記憶體

Spansion與中芯國際簽署晶圓代工協議 (2007.10.26)
快閃記憶體解決方案供應商Spansion宣佈，為加強對中國市場的關注，Spansion已與晶圓代工領域的中芯國際展開合作。Spansion將向中芯國際轉移65奈米MirrorBit技術，用於其在中國的300毫米晶圓代工服務

SRAM下一步是生是死？ (2007.10.25)
為何說「SRAM下一步是生是死？」因為SRAM除用在高速網通設備外，最大宗的應用是處理器內的快取記憶體。然2007年1月AMD向瑞士ISi（Innovative Silicon Inc.）取得Z-RAM技術的授權

三星推出全球首款30奈米快閃記憶體晶片 (2007.10.24)
外電消息報導，三星電子（Samsung）於週二（10/23）宣佈，已開發出全球上第一個使用30奈米製程生產的NAND快閃記憶體晶片，能大幅提昇現今快閃記憶體的儲存容量，首款生產的晶片容量為64GB

非揮發性記憶體的競合市場 (2007.10.24)
記憶體本身就具有通用與中介的性質，所以發展出來的各類記憶體元件，多能通用於不同系統之間。新一代的記憶體為了更通用之故，所發展的都是非揮發性的記憶體，這樣才能既做為系統隨機存取之用，又能組成各類的儲存裝置，例如嵌入在可攜式裝置中的儲存容量、彈性應用的記憶卡或固態硬碟等

廣穎電通推出霧面質感Touch510觸動隨身碟 (2007.10.19)
國內快閃記憶體廠商廣穎電通(Silicon Power)，正式推出霧面質感Touch510觸動隨身碟。霧面質感Touch510觸動隨身碟擁有沉穩的烤漆設計，容量包含1GB、2GB、4GB與8GB，除此之外，Touch510系列更具備專利彈簧式開關設計，以及專屬SmartKit軟體，具備文件加密與管理功能

多利吉科技正式在台營運 (2007.10.15)
日本「TDK Corporation」與台灣「勁永國際PQI」正式宣佈在台灣共同成立儲存媒體公司－多利吉科技股份有限公司（CoreSolid Storage Corporation），雙方合資的投資案於十月一日正式完成

SST與系微推出NB子系統─FlashMate (2007.10.09)
超捷(SST)和系微(Insyde)發表共同研發的新技術FlashMate。超捷(Silicon Storage Technology,Inc.;SST)是快閃記憶體(Flash Memory)技術開發廠商。系微(Insyde Software Corp)是領先開發UEFI架構下的韌體商

事事都有儲存需求... (2007.10.09)
事事都有儲存需求...

FLASH記憶體戰局再起 (2007.10.08)
iPod和iPhone的相繼問世，給快閃記憶體（Flash Momory）市場鋪了一條筆直的康莊大道，再加上固態硬碟（SSD）的增溫與影音產品的嵌入式儲存應用，更替此一市場掛上了保固延長和銷售保證

勁永國際再獲「2007國家設計金獎」肯定 (2007.10.01)
第五屆台灣設計博覽會9月29日在台南縣盛大舉辦，主辦單位特別邀請陳水扁總統蒞臨開幕，經濟部長陳瑞隆、台南縣長蘇煥智及文建會翁金珠皆陪同參與。由於台灣設計博覽會每年平均參觀人數達30萬人次，為設計界的一大盛事

日立使用新技術將固態硬碟壽命提高100倍 (2007.09.29)
外電消息報導，有消息指稱，硬碟製造商日立（Hitachi）已經研發出一種可以解決固態硬碟（solid state drive；SSD）使用壽命不長的讀寫技術，能將目前的使用壽命提升100倍左右

Spansion任命Tom Eby為CSID部門執行副總裁 (2007.09.29)
Spansion宣佈原行銷長Tom Eby將接替Sylvia Summers擔任公司CSID（Consumer,Set-top Box,and Industrial Division）部門執行副總裁。Sylvia Summers將離開公司，尋求其它個人發展。Eby上任後仍將繼續直接對CEO辦公室報告

SanDisk於中國首座製造廠正式落成啟用 (2007.09.28)
全球快閃記憶卡產品供應商SanDisk宣佈，位於中國的首座製造廠正式落成啟用。晟碟半導體上海有限公司(SanDisk Semiconductor (Shanghai) Co. Ltd.，簡稱「SDSS」)位於上海紫竹科學園區，專注封裝及測試行動電話及消費性電子裝置專用的先進快閃記憶體產品，將在SanDisk全球營運方面擔當重要角色

供不應求東芝只能完成70%的快閃記憶體訂單 (2007.09.27)
外電消息報導，東芝（Toshiba）半導體部門的執行長兼總裁Shozo Saito日前表示，由於市場需求超過產能，因此東芝無法滿足所有客戶的NAND快閃記憶體需求，目前訂單已經排到了12月份

三星預測下半年的晶片營收將提高。 (2007.09.26)
外電消息報導，三星電子（Samsung）上周五（9/21）於香港的投資者會議上表示，由於市場需求強烈和成本持續降低等因素，未來三星下半年的晶片業務收入將會提高。三星電子在投資者關係會議的書面報告上表示，該公司NAND快閃記憶體的利潤，呈現大幅度的成長，而DRAM記憶體的利潤，也持續穩定的成長中

華邦推出三款W19B系列並列式快閃記憶體 (2007.09.26)
華邦電子以自行研發之WinStack 0.13微米製程，推出三款W19B系列的並列式快閃記憶體，將快閃記憶體應用的涵蓋領域除了PC產品之外，擴大拓展至消費性及通訊等3C市場，讓整個應用產品市場更加完備；16Mb,32Mb和64Mb並列式快閃記憶體

Spansion晶圓廠開始生產MirrorBit快閃記憶體 (2007.09.20)
Spansion宣布開始在其位於日本的Spansion 1(SP1)晶圓廠採用MirrorBit技術於300mm晶圓上生產65nm產品，並計劃於年底向客戶大量供貨。為慶祝此一盛事，Spansion特地在SP1廠舉行隆重的慶祝活動

Spansion快閃記憶體在聯發科完成預先驗証 (2007.09.19)
Spansion宣布，其MirrorBit NOR快閃記憶體已完成在聯發科主流手機參考設計平台上的預先驗証。在聯發科參考設計平台上完成對Spansion 快閃記憶體解決方案的預先驗証，將使製造商能夠將具有成本效率的高性能手機更快地推入中國及其它高速成長市場

Spansion與台積電簽署合作協議擴展MirrorBit技術 (2007.09.19)
Spansion與台積電宣布，雙方已簽署一項合作協議，共同開發MirrorBit技術在40nm及更先進製程下的變異處理技術（Variations）。根據協議，Spansion將利用雙方共同開發的MirrorBit變異處理技術來擴展其在新領域的適用性，並由台積電負責製程驗證，並隨後將此Spansion的先進快閃記憶體技術導入量產

海力士成功開發24層NAND Flash堆疊封裝技術 (2007.09.13)
海力士半導體（Hynix Semiconductor）成功開發出24層堆疊、每層厚度為25μm的NAND型快閃記憶體，總厚度為1.4mm的MCP多晶片封裝。這是在目前的MCP產品之中，堆疊層數最多的一次