CTIMES - Mosfet

Fairchild全新SuperFET II MOSFET與高壓整流器加速電動汽車設計 (2015.04.02)
快捷半導體（Fairchild）推出全新符合汽車認證的SuperFET II MOSFET與高壓整流器產品系列，致力於解決汽車製造商及其零件供應商的更高階需求，這兩款新產品整體均符合更清潔、更智慧的汽車設計要求，也是提高混合動力、插電式混合動力與純電動汽車中所使用的車載充電器與 DC-to-DC 轉換器之額定功率的

安森美半導體獲微星頒發2014年最佳合作夥伴獎 (2015.03.18)
推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor）在微星科技（MSI）最近的年度供應商大會上獲其頒發「2014年最佳合作夥伴獎」。安森美半導體是從全球超過120家供應商中獲選授此榮譽

併購Enpirion有成 Altera讓電源設計有更多想像 (2015.03.12)
FPGA大廠Altera在兩年前併購了電源晶片供應商Enpirion後，便致力於FPGA系統整體電源設計的最佳化，儘管過去FPGA本身的發展本就在降低功耗與提升效能上有相當多的努力，但Altera此舉，無疑是希望在功耗表現上能更加出色

Fairchild新型SuperFET II MOSFET系列提供最低通導電阻與廣泛封裝範圍 (2015.03.10)
高效能電源半導體解決方案供應商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列，具備廣泛的封裝選項以及最低的通導電阻（Rdson）與輸出電容（Coss）。全新產品陣容協助設計人員針對需要600V / 650V以上的崩潰電壓的高效能解決方案，改善效率、成本效益與可靠度，更減少了元件數量，精簡機板空間，為設計人員帶來更大的彈性

凌力爾特新款切換湧浪抑制器可針對達200V以上的瞬變提供保護 (2015.03.05)
凌力爾特（Linear）日前發表一款高效率切換湧浪抑制器LTC7860，可針對高可用性系統提供過壓和過電流保護。在正常操作下，LTC7860 可連續開啟外部P通道MOSFET，以最小的導通損耗將輸入電壓傳送至輸出

Diodes MOSFET H橋節省50%佔位面積 (2015.02.26)
Diodes公司推出一對MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產品透過減少元件數量及縮減50%的印刷電路板佔位面積，簡化馬達驅動和電感無線充電電路。40V額定值H橋DMHC4035LSD旨在滿足車用馬達驅動應用的要求；30V額定值H橋DMHC3025LSD則適合12V單相位風扇應用

Diodes微型場效電晶體節省40%空間 (2015.02.13)
Diodes公司為提供空間要求嚴格的產品設計，擴充了旗下超小型分立元件產品系列。新推出的3款小訊號MOSFET包括20V和30V額定值的N通道電晶體，以及30V額定值的P通道元件，產品全都採用DFN0606微型封裝

英飛凌新一代功率MOSFET具備低導通電阻 (2015.02.10)
英飛凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5旗下 80V和100V兩款新產品。最新一代的功率MOSFET針對高切換頻率所設計，適用於電信及伺服器電源供應器等同步整流，以及其他如太陽能、低壓馬達和變壓器等工業應用

德州儀器推出NexFET N通道功率MOSFET實現低電阻功效 (2015.01.22)
採用5公釐x 6公釐QFN封裝並具極低Rdson的25 V和30 V裝置德州儀器（TI）推出NexFET產品線的11款新型N通道功率MOSFET，包括擁有低導通電阻（Rdson）且採用QFN封裝的 25 V CSD16570Q5B和30 V CSD17570Q5B，其適合熱插拔和ORing應用

安茂微電子推出高效率2A同步升壓轉換器 (2015.01.19)
安茂微電子推出一系列DC-DC升壓轉換器─AME5125，採用電流控制同步技術以及整合MOSFET，有效提供高效率的電源。輸入電壓為2.7V~5.5V，提供最大5.5A的輸出電流，主要應用於攜帶式電源、藍牙音箱等單電池供電的可攜式裝置相關產品，適用於以鹼性電池、鎳氫電池或鋰電池

Diodes全新MOSFET閘極驅動器提升轉換效率 (2015.01.08)
Diodes公司推出一對1A額定值的40V輕巧閘極驅動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，能用在控制板上和嵌入式電源以及馬達驅動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6（採用SOT26封裝）和 ZXGD3009DY（採用SOT363封裝）可縮短MOSFET的開關時間，有助於盡量降低開關損耗、改善功率密度，以及提升整體轉換效率

麥瑞半導體新款小尺寸負荷開關提供7A安恒電流 (2015.01.08)
麥瑞半導體（Micrel）推出 MIC95410 7A 負荷開關，封裝尺寸緊湊，僅僅為1.2mm x 2.0mm。該器件可用於有功率分配需求的系統，能夠透過斜率控制來控制加電順序，這種功能通常會用在工業計算、伺服器主機板、醫療設備、平板電腦、筆記本和固態硬碟等應用中

Diodes推出40V額定值動態OR'ing控制器 (2014.12.24)
Diodes公司推出40V額定值的動態OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電訊系統、資料中心及伺服器不斷電供應系統的可靠性。新產品旨在全面改善超低導通電阻功率MOSFET，從而取代耗能的蕭特基（Schottky）阻斷二極體，有效降低運作溫度並加強不斷電供應系統的完整性

IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝 (2014.12.17)
國際整流器公司（International Rectifier；IR）推出採用高效能4×5 PQFN功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。此項新的封裝選擇使IR的功率模塊產品系列效能得以延伸至更低功率的設計

凌力爾特湧浪抑制器解決方案符合MIL-STD-1275D標準 (2014.12.11)
凌力爾特（Linear Technology）日前推出符合MIL-STD-1275D標準的湧浪抑制器解決方案，並展示於評估板DC2150A。 MIL-STD-1275D是由美國國防部（United States Department of Defense）建立的標準，其規定了軍用地面車輛的28V直流電源之穩態和瞬變電壓特性

凌力爾特新款j微型模組穩壓器可高效轉換 (2014.12.05)
凌力爾特（Linear）日前發表20A DC/ DC降壓 uModule（微型模組）穩壓器LTM4639，能夠以最佳化效率轉換2.5V至7V主電源系統電源端至低至0.6V的負載點電壓。在複雜的機架安裝系統中，更高的電壓轉換效率將可節省能源消耗、熱管理和設備尺寸

IR推出電池保護應用MOSFET系列 (2014.12.02)
國際整流器公司 (International Rectifier；IR) 針對鋰離子電池保護應用推出一系列IR最新低電壓MOSFET矽技術元件，包括IRL6297SD雙通道DirectFET MOSFET。全新功率MOSFET備有極低的導通電阻，藉以大幅減少導通損耗，提供20V和30V N通道及P通道組態元件

凌力爾特發表60V同步升降壓控制器 (2014.12.02)
凌力爾特 ( Linear)日前發表同步升降壓DC/DC控制器LT3790，可以單一IC提供超過250W的功率。其4.7V至60V輸入電壓範圍適合廣泛的汽車、工業應用。輸出電壓可以設定於0V至60V，因此適合電壓穩壓器或電池/超級電容充電器

意法半導體新650V超接面MOSFET提升安全系數 (2014.12.02)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求，同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項

IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻 (2014.11.13)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)為工業應用擴充StrongIRFET MOSFET系列，為多種工業應用包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流推出75V元件