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CTIMES / 靜態隨機存取記憶體
科技
典故
Internet的起源

組成Internet的兩大元件,一是作為傳達內容的本體—超文本,另一個是傳輸的骨幹—網路,網際骨幹可追溯到1968年的美俄冷戰時期,當時美國國防部的DARPA計畫發展出ARPANET,網頁結構則是由超文件(Hypertext)演變而來。
宜鼎全面擴充邊緣AI智慧應用與智慧儲存 (2024.05.30)
●首度揭示Architect Intelligence全新品牌主張,展現Innodisk AI策略佈局 ●AI人流追蹤、空氣品質管理、智慧製造解決方案,全面加速產業應用邊緣AI落地 ●旗下首款工控級CXL記憶體、16TB大容量系列SSD
宜鼎發佈全球首款Ultra Temperature極寬溫DRAM模組 (2021.10.27)
近來全球記憶體市場話題不斷,DRAM新品持續在容量、頻寬及速度上力求突破;看似面面俱到,卻始終不見耐受溫度向上提升,使得嚴苛的高溫應用情境備受挑戰。為此,宜鼎國際正式推出全球首款「Ultra Temperature」極寬溫DDR4記憶體模組
拓展伺服器記憶體產品組合 Crucial 首推 32GB NVDIMM 系列 (2018.10.31)
Micron Technology 旗下領導全球記憶體及儲存升級方案的消費者品牌 CrucialR,於今日發表一款全新的 32GB 非揮發性 DIMM (NVDIMM) 產品,協助企業在系統電力中斷的情況下保存關鍵資料,並縮短停機時間以避免成本上的浪費
美高森美為關鍵任務應用推出建基於SLC的高容量安全固態硬碟 (2015.08.04)
美高森美公司(Microsemi)針對國防、情報、無人機(unmanned aerial vehicle, UAV)和其它國防相關網路區域儲存(NAS)應用, 推出具備高安全性和容量等級的序列先進技術附接(serial advanced technology attachment, SATA) 固態硬碟(solid state drive, SSD)
Altera展示FPGA中的DDR4記憶體資料速率 (2014.12.25)
Altera公司宣佈,在矽晶片中展示了DDR4記憶體介面,其運作高速率為2,666 Mbps。Altera的Arria 10 FPGA和SoC是目前支援此速率DDR4記憶體的FPGA,記憶體性能比前一代FPGA提高了43%,比20 nm FPGA高出10%
[專欄]記憶體撞牆效應誰來解? (2014.12.15)
電腦系統的效能精進,在近年來遭遇一些問題,例如處理器的時脈撞牆(Clock Wall)問題,即運作時脈難以超越4GHz,2011年第4季Intel推出第二代的Core i7處理器達3.9GHz,至今Intel所有的處理器均未超過3.9GHz
HGST推出通過VMWARE認證的完整性階層式儲存產品組合 (2014.10.20)
為協助全球釋放數據資料力量,HGST(昱科環球儲存科技)宣佈,其生產的 SAS 企業級HDD、PCIe與SAS介面的SSD等多款硬碟通過VMware認證,並能在VMware Virtual SAN環境下提供互動操作的儲存層
真的是拆上癮! iPhone 4成本結構大曝光! (2010.06.29)
看起來大家真的是拆上癮了。iPhone 4正式問世沒多久,各界就無所不用其極地把iPhone 4拆解開來,進行鉅細靡遺的分析。不讓專業拆解網站iFixit專美於前,市調研究機構iSuppli的拆解分析服務部門,也對於iPhone 4內部各個主要零組件的成本進行細緻的推估
Cypress推出首款65奈米製程SRAM (2009.05.05)
Cypress公司4日宣布推出業界首款採用65奈米線寬的Quad Data Rate(QDR)與Double Data Rate(DDR)SRAM元件。此新款72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+記憶體,採用與晶圓代工夥伴聯華電子合作開發的製程技術
華邦電子推出了高應用度之DDR2 SDRAM產品 (2009.03.27)
華邦推出了高應用度之DDR2 SDRAM產品,包括: 256Mb (W9725G6IB系列), 512Mb (W9751G6IB系列), 1Gb (W971GG6IB系列)。華邦所有產品通過ROHS標準,且符合日本綠色採購調查標準化協會(JGPSSI) 嚴苛標準,適用於各類型的電子產品上
廣域電壓範圍操作之靜態隨機存取記憶體設計 (2009.02.03)
目前設計低功率SOC系統的主要方式,是以操作速度需求不高的電路以較低VDD來設計,低電壓高效能的記憶體設計將是其中一項主要的挑戰。本設計應用了低電壓操作原理,把靜態隨機存取記憶體操作在0.5V,讓此設計在使用時能夠達到80MHz的最高操作頻率
報告:DRAM持續減產有助於價格回穩 (2008.12.25)
外電消息報導,市場研究公司DRAMeXchange日前發表一份最新的最新記憶體市場調查報告。報告中指出,由於記憶體持續的減產,明年1月~3月全球記憶體產出仍將維持負成長,加上全球第一季PC銷售下滑,DRAM的價格將可望落底,並逐漸回溫
東芝、IBM及AMD合作開發出世界最小的SRAM (2008.12.20)
外電消息報導,東芝、IBM與AMD日前共同宣佈,採用FinFET共同開發了一種靜態隨機記憶體(SRAM),其面積僅為0.128平方微米,是目前世界上最小的SRAM。這項技術是在上週(12/16)在舊金山2008年國際電子元件會議上所公佈的
汽車後視攝影機魚眼影像修正的FPGA彈性架構 (2008.12.08)
魚眼攝影機越來越廣泛應用在汽車的後視影像系統。其所所捕捉到的影像應該進行修正,使其接近光線直射時所看到的影像。修正過程需要進行大量的數學運算,因此無法輕易地以FPGA實現
新一代NVM記憶體之爭 MRAM贏面大 (2008.11.12)
全球先進半導體設備及製程技術供應商Aviza今日(11/13)在台表示,MRAM有希望從多家新一代非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory;NVM)技術中脫穎而出,並取代目前主流的SRAM,成為終極的通用型記憶體解決方案
08年Q2全球記憶體銷售 三星依舊稱王 (2008.08.11)
外電消息報導,市場研究公司iSuppli日前表示,根據統計資料,今年第二季三星電子在全球記憶體市場上依舊表現搶眼,市場佔有率已超過了30%,持續維持第一大記憶體廠的龍頭地位
三星:下半年記憶體市場前景仍不明朗 (2008.05.28)
外電消息報導,三星電子半導體事業部總裁權五鉉日前表示,記憶體晶片價格已經觸底,且短期內不會大幅反彈,記憶體産業今年下半年的前景也仍不明朗。 權五鉉表示,受次貸危機及中國震災的影響,使得記憶體晶片價格短期內不會大幅提升
華邦電子推出低功率行動記憶體 (2008.02.29)
華邦電子即將參加由Global Sources所主辦的2008 IIC-China深圳(3/3-4深圳會展中)、上海(3/10-11上海世貿商城),屆時也將展出華邦兩大系列行動記憶體產品-低功率耗動態記憶體及虛擬靜態記憶體,並推出一系列低功耗動態記憶體512Mb Low Power DRAM
奇夢達宣佈突破性的30奈米世代技術藍圖 (2008.02.28)
奇夢達公司宣佈先進的技術藍圖,此技術可達30奈米世代,並在cell尺寸可至4F²。奇夢達的創新Buried Wordline技術結合高效能、低功耗及小晶片尺寸的特性,再次拓展公司的多元化產品組合
奇夢達1、2GB省電DDR3 SO-DIMMs開始出貨 (2008.01.28)
奇夢達公司宣佈1GB和2GB的DDR3 SO-DIMM記憶體模組(Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的樣品開始出貨給主要客戶,以布局次世代的筆記型電腦市場。奇夢達將其最新的DDR3 SO-DIMMs最佳化,提供高度的省電功能

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1 宜鼎全面擴充邊緣AI智慧應用與智慧儲存

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