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Ramtron採用低功耗非揮發記憶體來控制時間 (2012.04.22)
Ramtron在日前舉行的矽谷Design West/嵌入式系統會議 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 中發佈了新型的低功耗F-RAM記憶體產品，進一步加強公司協助客戶改善產品能效、存取速度和安全性的能力 |
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Ramtron和Revere Security合作安全高能效元件 (2012.03.16)
Ramtron 和Revere Security 日前宣佈雙方建立合作關係，計畫將Revere Security的Hummingbird HB-2安全技術整合到Ramtron的非發揮性鐵電隨機存取記憶體 產品中。根據合作協定，Ramtron和Revere Security將共同進行產品開發、共同行銷安全半導體解決方案，並共同制訂推動安全技術整合進F-RAM產品中的藍圖 |
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Ramtron任命Scott Emley擔任市場推廣副總裁 (2011.11.03)
Ramtron近日宣佈，任命Scott Emley擔任市場推廣副總裁。Emley先生將帶領全球市場推廣團隊，全面負責包括應用和技術支援的產品線推廣，並向Ramtron首席執行長Eric Balzer報告。
Emley先生來自德州儀器（TI），曾擔任德州儀器ARM微處理器、DSP和多核產品的市場推廣總監 |
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Ramtron開始供應高速串列F-RAM器件樣品 (2011.10.31)
Ramtron日前宣佈，已開始供應4-至64Kb串列非揮發性鐵電RAM（F-RAM）記憶體的預認證樣品，新產品於Ramtron在美國的新晶圓供應源以鐵電記憶體製程生產，具有1萬億次（1e12）的讀/寫週期、低功耗和無延遲（NoDelay）寫入等特性 |
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Ramtron推出64Kb串列F-RAM記憶體樣片 (2011.07.27)
低功耗鐵電記憶體（F-RAM) 和整合式半導體供應商Ramtron於近日共同宣佈，該公司最新鐵電隨機存取記憶體（F-RAM） 產品的樣片現已在IBM的新生產線生產。此一新產品FM24C64C是64 Kb、5V串列F-RAM器件，以匯流排速率運行且無寫入延遲，並支援高達1萬億次（1e12）的讀/寫週期，這比相同等級的EEPROM器件高出100萬倍 |
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Ramtron推出具有寬工作電壓範圍的串並列記憶體 (2011.04.01)
Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)近日宣布，推出W系列的 F-RAM記憶體，W系列器件具有串列I2C、SPI介面和並列介面（parallel interface），可提供從2.7V到5.5V的寬電壓範圍。此外，W系列具有更高的性能，如工作電流（active current）需求降低了25%至50%，串列器件的首次存取啟動（初始上電）速度加快20倍 |
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Ramtron推出FRAM無線記憶體的商用樣品 (2010.08.12)
Ramtron於前日（8/10）宣佈，開始提供其具有F-RAM特性之MaxArias無線記憶體之商用樣品。Ramtron的MaxArias系列無線記憶體，將非揮發性F-RAM記憶體技術的低功耗、高速度和高耐久性等特性 |
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Ramtron 1Mbit串列F-RAM提升至汽車標準要求 (2010.07.06)
Ramtron日前宣布，其1Mbit、2.0V-3.6V串列F-RAM記憶體FM25V10-G，通過了AEC-Q100 Grade 3標準認證，這項嚴格的汽車等級認證是汽車電子設備委員會（Automotive Electronic Council, AES）針對積體電路而制定的應力測試認證 |
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Ramtron推出新款32Kb串列非揮發性RAM器件 (2009.06.30)
Ramtron宣佈推出一款編號為 FM24CL32的串列非揮發性RAM器件，它可提供高速讀/寫的性能、低電壓運作，以及出色的資料保持能力。FM24CL32是32Kb 的非揮發性記憶體，工作電壓的範圍為2.7V至3.6V，採用8腳的SOIC封裝，採用雙線 (I2C) 協定；並提供快速存取、無延遲 (NoDelay) 寫入、幾乎沒有限制的讀/寫次數 (1E14) 及低功耗特性 |
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Ramtron非揮發性狀態保存器通過汽車標準認證 (2009.05.21)
非揮發性鐵電記憶體(F-RAM)和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈，其兩款非揮發性狀態保存器(nonvolatile state saver)FM1105-GA和FM1106-GA已經通過AEC-Q100 Grade 1認證 |
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Ramtron發表512Kb和1Mb V系列串列F-RAM (2009.04.06)
Ramtron宣佈為其新的並列和串列F-RAM系列新增兩款產品，這些F-RAM元件可提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選的器件特性。Ramtron的V系列F-RAM產品中最新產品的型號為512Kb的FM24V05和1Mb的FM24V10 |
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RAMTRON宣佈與IBM達成代工協議 (2009.02.26)
Ramtron宣佈已經與IBM達成代工服務協議，兩家公司計畫在IBM位於美國維佛蒙特州伯林頓市的先進晶圓製造設施內安裝 Ramtron的F-RAM半導體製程技術，一旦安裝完成，此一新代工服務將成為Ramtron 推出新款具成本效益的高性能F-RAM半導體產品之基礎 |
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Ramtron新型4Mb F-RAM記憶體採用FBGA封裝 (2009.02.24)
Ramtron宣佈提供採用最新FBGA封裝的4百萬位元（Mb）F-RAM記憶體。FM22LD16是一款採用48腳FBGA封裝的3V、4Mb並行非揮發性F-RAM，具有存取速度高、幾乎沒有限制的讀/寫週期以及低功耗等優點 |
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Ramtron在V系列增添串列512Kb FRAM (2008.11.20)
Ramtron International推出F-RAM系列產品中的第二款串列元件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串列周邊介面（SPI）的非揮發性RAM，採用8腳SOIC封裝，特點包括快速訪問、無延遲（NoDelay）寫入、1E14讀/寫次數和低功耗 |
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Ramtron推出1Mb並行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新並行和串列FRAM系列中的首款並行產品，提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選元件的特性。Ramtron的V系列FRAM產品中的最新元件FM28V100，是100萬位元、2.0至3.6V的並行非揮發性RAM，採用32腳TSOP-I封裝，具備快速訪問、無延遲（NoDelay）寫入、無乎無限的讀寫次數和低功耗特性 |
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Ramtron百萬位元串列FRAM記憶體 (2008.09.18)
Ramtron宣佈推出新型F-RAM系列中的首款產品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選元件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品的首款元件FM25V10，是100萬位元（Mb）、2.0至3.6V、具有串列外設介面（SPI）的非揮發性RAM，採用8腳SOIC封裝，其特點是快速存取、無延遲（NoDelay技術）寫入、1E14讀/寫次數和低功耗 |
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其陽選擇Ramtron的FRAM用於遊戲機解決方案 (2008.08.08)
台灣應用工業計算平台製造商其陽科技（Aewin Technologies），已在其以Intel為基礎的 GA-2000及以AMD為基礎的GA-3000遊戲和高解析度多媒體PC電路板中，設計使用Ramtron的FM22L16 400萬位元FRAM非揮發性記憶體 |
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Ramtron推出基於F-RAM的事件資料記錄器 (2008.05.13)
非揮發性鐵電記憶體（F-RAM）和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出基於F-RAM的事件資料記錄器（Event Data Recorder；EDR）─FM6124，這是一款整合式的事件監控解決方案，能夠對狀態的變化進行連續性的監控，將資料儲存在F-RAM中，並可以對系統發出有關變化的警報 |
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Ramtron將於AES 2008上 展示F-RAM技術 (2008.05.12)
Ramtron International Corporation將參加今年在中國上海舉行的中國國際汽車電子產品與技術展覽會暨國際汽車電子行業高層論壇（AES）。Ramtron將於會上展示其非揮發性F-RAM記憶體產品如何推動引擎蓋下和車艙內的新一代汽車應用創新，如資訊娛樂、安全及事件資料記錄 |
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Ramtron獲《今日電子》年度產品獎 (2008.04.25)
全球非揮發性鐵電隨機存取記憶體（F-RAM）和整合半導體產品的開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈，該公司的FM22L16獲得了《今日電子》雜誌所頒發的年度產品獎之殊榮 |
