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CTIMES / 磁阻式隨機存取記憶體
科技
典故
從演化到多元整合──淺介Bus規格標準的變遷

一個想要滿足於不同市場需求的通用型Bus標準界面,能否在不斷升級傳輸速度及加大頻寬之外,達到速度、容量、品質等多元整合、提升效能為一體的願望?
Aviza推出12吋晶圓級離子束沉積系統 (2008.11.14)
半導體設備及製程技術專業供應商Aviza,近日宣佈推出全球第一臺12吋晶圓級離子束沉積系統。第一臺系統已出貨至法國格勒諾伯市的歐洲領先電子學及自旋電子學應用研究中心CEA-LETI-MINATEC
聯電與聯邦半導體合作跨足MRAM領域 (2001.05.09)
聯電為增加進入單晶片系統組(SOC)領域勝算,近期規劃與聯邦半導體結盟,共同跨足磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)研發生產,以取得未來SOC核心記憶體領先地位,超越IBM、摩托羅拉等領先廠商
美商聯邦先進在台投片生產MRAM 委由茂矽代工 (2001.03.23)
美商聯邦先進半導體(USTC)昨(20)日表示,研發成功的1個百萬位元(1Mbits)磁阻式隨機存取記憶體(MRAM),已在台投片生產,並委由茂矽代工生產,預估今年下半年的產能即可達到1.6萬片,明年全球營收將突破1億美元
聯邦先進成功研發1M MRAM (2000.07.20)
美商聯邦先進半導體(USTC)19日宣佈,該公司已成功研發100萬位元(1M)磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)技術。該公司並與交通大學簽約,就MRAM高階應用、材料研發做進一步合作。 聯邦先進半導體董事長林鴻聯表示

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