CTIMES - Rram

力旺和聯電合作22奈米RRAM可靠度驗證對應AIoT與行動通訊市場 (2023.03.28)
力旺電子與聯華電子今（28）日宣布，力旺的可變電阻式記憶體（RRAM）矽智財已通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證，為聯電的AIoT與行動通訊應用平台提供更多元的嵌入式記憶體解決方案

把發光與儲存整合成一個元件！台師大團隊研發可發光記憶體技術 (2021.09.22)
光與電，在電子系統裡一直被視為兩個獨立分開的元件功能。而來自台灣師範大學光電工程研究所的跨國研究團隊，卻打破了這個疆界，他們發現了透過整合可變電阻式記憶體（RRAM）和量子點鈣鈦礦，成功實現了一種同時具備儲存與發光功能的電子元件，為科技應用開啟了新的視野

物聯網與AI將推升次世代記憶體需求 (2017.12.25)
經過十多年的沉潛，次世代記憶體的產品，包含FRAM（鐵電記憶體），MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）和RRAM（可變電阻式記憶體），在物聯網與智慧應用的推動下，開始找到利基市場

[Tech Spot]四大快閃記憶體替代技術 (2012.12.06)
快閃記憶體仍如日中天，智慧手機消費型設備，例如平板電腦和智慧手機，強勁地推動了快閃記憶體及整個半導體市場。未來幾年，平板電腦的市佔率將不斷增加，目前最常見的快閃記憶體類型是 NAND，一位市場分析師預測：2011 至 2015 年之間， NAND的市場複合年增長率將達到 7%

革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)
市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能，短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守，長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力（Scalability）、儲存覆寫次數耐久性（Endurance）和資料保存能力（Data Retention）的侷限，使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵

電阻式記憶體技術研發現況 (2008.11.05)
電阻式記憶體的元件結構相當簡單；同時所採用的材料並不特殊，元件所需製程溫度不高，因此相當容易與相關元件或電路製程相整合。本文將介紹電阻式記憶體的元件操作特性

工研院RRAM研發成果獲國際電子元件研討會肯定 (2008.09.22)
工研院研發的電阻式非揮發性記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)的研發成果，獲選在2008國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting, IEDM)，向全球電機電子研發菁英發布最新技術進展

快閃IC「RRAM」發展動向 (2005.09.05)
隨著各種可攜式電子產品的記憶容量不斷擴張，傳統的Flash Memory已很難滿足市場需求。雖然FeRAM曾經是各半導體廠商囑目的焦點，不過隨著RRAM的出現，也代表著非揮發性記憶體即將進入嶄新的紀元