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IBM試圖創作全新的通用型記憶體 (2007.10.25)
一個全新奈米線（nanowires）等級的記憶體裝置，在今年10月初由IBM研究人員做出了初步的成果，它能整合當今種種記憶體最好的品質技術於一身，而且還能降低生產成本與改善品質 |
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美國賓州大學完成高密度FeRAM技術研究成果 (2007.10.24)
美國賓夕法尼亞大學結合化學以及機械工程的教授團隊，近期在奈米多尺度力學領域的研究有了重要的突破。10月中他們宣布完成了鐵電域壁（domain walls，亦稱疇壁）的多尺度模型（multi-scale modeling），並提出新的鐵電域壁移動理論，他們發現藉由可滑移的壁，能夠分隔鐵電域壁的磁區，藉由這項技術將可實現高密度的鐵電記憶體 |
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