CTIMES - Moset

Vishay推出新款p通道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出採用PowerPAK SC-75封裝的p通道功率MOSFET系列，該系列包括額定電壓介於8V～30V的多個器件，這些是採用此封裝類型的首批具有上述額定電壓的器件。日前推出的這些器件包括首款採用PowerPAK SC-75封裝的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)單p通道功率MOSFET

Linear發表0V至18V理想二極體控制器 (2008.08.04)
凌力爾特( Linear)發表0V至18V理想二極體控制器LTC4352。此元件能達到多重電源低損耗ORing ，並對供應電壓具備最低的干擾。LTC4352可穩壓橫跨於外部N通道MOSFET的順向壓降，以於diode-OR應用中確保和緩的電流轉換

Linear推出單一高壓理想二極體控制器 (2008.08.01)
凌力爾特( Linear)發表單一高壓理想二極體控制器LTC4358，其採用內部5A MOSFET，以簡單、低損耗的替代方案取代高電流應用中之蕭特基二極體。此控制器及20m Ohm內部N通道MOSFET可展現低順向電壓二極體功能，於高電流應用中提供比蕭特基二極體更低損耗的路徑，並具備更高的效率

ST推出250A功率MOSFET結合先進封裝和製程 (2008.07.20)
以降低如電動汽車等電動設備的營運成本和減少對環境的影響為目標，電源應用廠商意法半導體(ST)推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET，新產品STV250N55F3低導通電阻，可將功率轉換的損耗降至最低，並且能夠提升系統的性能

凌力爾特發表新型高速同步MOSFET驅動器 (2008.07.02)
凌力爾特(Linear)發表一款高速同步MOSFET 驅動器LTC4447，其專為在同步整流轉換器架構中，驅動頂部和底部電源N 通道MOSFET 而設計。此驅動器結合電源MOSFET與眾多凌力爾特DC/DC 控制器的其中一款後，可構成一完整的高效率同步穩壓器，而能被用作降壓或升壓DC/DC轉換器

Linear推出多相位升壓DC/DC控制器 (2008.06.27)
凌力爾特(Linear)發表LTC3862，其為一款可透過精小接腳佔位提供高輸出功率的二相位升壓DC/DC控制器。其12個電源步階可被並聯及反相鎖住，以將輸入和輸出濾波之要求降至最低，4V 至36V之輸入電壓範圍，以及根據外部零組件選擇之寬廣輸出電壓範圍可涵蓋廣泛的高功率升壓應用

安森美擴展MOSFET驅動器積體電路(IC)系列 (2008.04.15)
安森美半導體(ON Semiconductor)擴展MOSFET驅動器積體電路(IC)系列，推出四款新元件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。這些新的功率門驅動器針對中低功率應用，適用於終端產品包括白家電、照明電子整流器和馬達控制等工業應用

Linear發表高速同步MOSFET驅動器 (2008.03.21)
凌力爾特(Linear)發表LTC4443/-1，其為一款高速同步MOSFET驅動器，專為在同步整流之轉換器架構中，驅動頂部和較低功耗N通道MOSFET而設計。此驅動器結合電源MOSFET與眾多凌力爾特DC/DC控制器的其中一款之後，便可形成一個完整的高效率同步穩壓器，以作為降壓或升壓DC/DC轉換器

Zetex新型無鉛MOSFET成功把電路面積減一半 (2008.03.11)
類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors(捷特科)公司，推出其首項採用無鉛式2 x 2毫米DFN封裝的MOSFET產品。這款ZXMN2F34MA元件的PCB面積比業內採用標準SOT23封裝的元件小50%，離板高度只有0.85毫米，適用於各類型空間有限的開關和功率管理應用，例如降壓/升壓負載點轉換器中的外部開關裝置

新型英飛凌MOSFET家族降低功率損耗達30% (2008.02.27)
英飛凌科技(Infineon)在應用電源電子研討會（APEC）上宣佈在OptiMOS 3 N通道MOSFET(場效應電晶體)產品陣容，新增三個新的功率半導體家族：OptiMOS 3 40V、60V和80V，在關鍵功率轉換規格如通態電組的指標性能，可降低標準晶體管型封裝(TO)的功率損失達30％