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CTIMES / 半橋電晶體
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
宜普電源推出高頻單片式氮化鎵半橋功率電晶體 (2017.06.12)
EPC2111氮化鎵半橋功率電晶體?明系統設計師實現具高效率的負載點系統應用,在14 A、12 V轉至1.8 V、5 MHz開關時實現超過85%效率,及在10 MHz開關時實現超過80%效率。 宜普電源(EPC)推出30 V的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體(EPC2111)

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