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第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。

頂部散熱MOSFET助提高汽車系統設計的功率密度 (2023.11.20)
本文討論頂部散熱（TSC）作為一種創新的元件封裝技術能夠如何幫助解決多餘熱量的散熱問題，從而在更小、更輕的汽車中實現更高的功率密度。