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爾必達提高委外代工量 力晶、中芯受惠 (2006.01.25)
日本DRAM廠爾必達看好應用在消費性電子產品、伺服器等的利基型DRAM市場，宣佈「首要DRAM事業」（PremierDRAM Business）策略，本身十二吋廠雖然在一月開出5萬4000片月產能，但會以利基型DRAM為投片主力 |
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DRAMeXchange：DDRII 2月份合約價格繼續上揚 (2006.01.24)
DRAMeXchange發表周調查報告指出，現貨市場DDRII價格走勢仍強勁，但是DDRI明顯乏人問津。由於Mira的DDRI 256Mb eTT(UTT)已經開始在現貨市場放貨，價格大約在2.1美元附近，因此許多買家仍期待更低的價格使得DDRI需求不強 |
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力成湖口封測新廠落成 (2006.01.24)
國內記憶體封測大廠力成科技舉行湖口新廠及總公司落成啟用典禮，由董事長蔡篤恭親自主持。由於去年底以來，英特爾支援DDR2晶片組缺貨問題獲得紓解，DDR2景氣熱度逐步加溫 |
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國內DRAM廠籌資 將超過300億元 (2006.01.16)
雖然包括迪訊（Dataquest）、iSuppli在內的市場調查機構，均對今年DRAM市場景氣抱持保守態度，但包括力晶、茂德、南亞科技、華亞科技在內的四家國內DRAM廠，今年仍積極擴建十二吋廠，四家業者已經開始新一輪的籌資 |
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台灣12吋DRAM新廠 今年將增加五座 (2006.01.16)
國內四家DRAM廠力晶、茂德、南亞、華亞等，今年上半年將向資本市場籌措達300億元資金，而所得資金將用來興建或擴充十二吋廠產能，若以各家DRAM廠規劃來看，力晶中科十二吋廠、南亞自建十二吋廠等將在今年上半年陸續動土 |
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英飛凌90奈米製程技術移轉中芯 (2006.01.06)
德國DRAM大廠英飛凌科技已與大陸晶圓代工廠中芯國際達成協議，中芯獲得英飛凌90奈米DRAM溝槽式（Trench）製程技轉，並在北京十二吋廠中以90奈米技術為英飛凌代工512Mb DDR2，初估英飛凌將可取得中芯北京廠每月1萬5000片以上產能 |
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集邦科技：DRAM價格上揚趨勢將維持至農曆年前 (2006.01.04)
根據DRAM報價網站集邦科技（DRAMeXchange）表示，在耶誕節和新年假期間， DRAM現貨市場交易逐漸趨緩。大多數的買賣雙方對價格的走勢保持觀望的態度，等待年後更明確的價格走勢 |
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DRAM跌價 美光獲利縮水 (2005.12.23)
全美第一大電腦記憶晶片廠商美光公布本會計年度第一季財報，獲利因電腦記憶晶片跌價而縮水六成，但該公司依舊對前景懷抱信心。
美光該季獲利6260萬美元，每股盈餘為9美分，低於分析師預期，也比去年同期減少六成 |
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DRAM現貨價上漲 合約價維持跌勢 (2005.12.21)
雖然DRAM現貨價在近一週內出現反彈，但是十二月下旬合約價卻未因此而止跌。由於OEM電腦大廠的採購補貨動作多於十二月上旬告一段落，在需求量明顯較上旬冷清情況下 |
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iSuppli：明年DRAM市場將出現負成長 (2005.12.16)
儘管市場分析師看壞明年DRAM市場，但實際上今年第四季價格大跌，部份DRAM廠獲利大幅縮減，對明年的擴產動作已轉為謹慎保守，所以明年全球DRAM市場景氣是好是壞，台灣業者的動作將是重要關鍵 |
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下半年DRAM產量充裕 影響市場行情 (2005.12.14)
根據統計，今年11月份全球DRAM總產出量，已經正式突破7億顆256Mb約當顆粒大關，約來到7億400萬顆，若分析11月各地區的產出量成長情況，此次主要成長動力來自於日本爾必達（Elpida），產能月成長率約達14％，其它地區則有1～3％不等的成長幅度 |
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爾必達12吋新廠啟用 目標全球前三大DRAM廠 (2005.12.02)
日本DRAM大廠爾必達（Elpida）宣布，位於日本廣島的十二吋廠E300新建生產線正式落成啟用，除了明年第一季月產能可達5萬4000片外，十二吋廠也將全線導入90奈米製程量產512Mb DDR2及遊戲機用XDR記憶體等高階產品 |
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DRAM廠第四季毛利率將下滑至10～15％ (2005.11.24)
第四季以來，國內DRAM廠看好年底歐美傳統旺季需求，認為主流產品256Mb DDR現貨價可望維持在2.5美元，不過十月份主機板廠或筆記型電腦（NB）廠出貨雖再創新高，但DRAM卻由十月初的2.6美元，一路跌至的2.1美元 |
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市場競爭加劇 各廠商提升NAND Flash產能 (2005.11.22)
記憶晶片產業的競爭加劇在即，東芝和三星皆傳出調整記憶晶片生產線的消息。日經產業新聞報導指出，東芝試圖使該公司NAND晶片的讀寫速度於明年提高一倍，用以增強東芝與龍頭廠商三星電子競爭的實力，而三星電子同日對外宣布，擬斥資6370億韓元（約合新台幣208億元）擴張包括NAND在內的記憶晶片產能 |
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十二吋晶圓廠群聚中科 (2005.11.14)
茂德近日將為台中科學園區的十二吋DRAM晶圓廠舉行落成啟用典禮，這是中科第一座量產的十二吋廠。另一家投產DRAM的華邦十二吋廠，也將於2006年第一季進行量產。此外，茂德還計畫2006年下半年動土興建第四座十二吋廠，力晶亦計畫至中科后里基地申請十二吋建廠用地，台中科學園區已然成為十二吋DRAM晶圓廠群聚之處 |
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台灣三DRAM廠成長率全球居冠 (2005.11.09)
市場調查機構迪訊（Gartner Dataquest）公佈2005年第三季全球DRAM廠商排名，基本上主要DRAM廠排名與第二季相若，但若由營收季成長率來看，南亞科、力晶、茂德等台灣DRAM三雄分居前三名，顯示台灣業者積極佈建十二吋廠動作，的確有效拉抬市場佔有率 |
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TSIA：DRAM製程獎勵應維持0.18微米 (2005.10.03)
經濟部日前正進行兩年一次「新興重要策略性產業屬於製造業及技術服務業部分獎勵辦法」之檢討，其中DRAM部份，擬將獎勵範圍修訂為「DRAM(設計以製程0.13微米以下技術)」 |
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奈米製程帶給DRAM廠機會與挑戰 (2005.09.30)
隨著國內DRAM廠華亞、茂德等相繼開始採用90奈米製程生產，國內DRAM產業也正式跨入奈米製程世代，但是有了去年0.14微米微縮至0.11微米的慘痛教訓，國內DRAM廠這回在奈米世代的進程就顯得小心翼翼，拉長在前段試產的學習曲線時間，以期未來導入量產後，可以較平順的拉大產量 |
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工研院研究DRAM材料獲重大突破 (2005.09.21)
工研院電子所繼日前與國內DRAM大廠力晶、茂德、華邦與南亞等共組「新世代相變化記憶體」技術研發聯盟後，近日則再宣佈DRAM技術獲得關鍵性突破。工研院電子所成功研發出以高介電係數（high-k）材料為主的金屬－絕緣層－金屬（Metal-Insulator-Metal；MIM）電容結構 |
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中芯以DRAM填補產能空缺 為市場投入價格變數 (2005.08.01)
中芯國際公佈第二季財報，由於中芯於第二季擴大上海八吋廠及北京十二吋廠的DRAM投片，雖受到DRAM第二季價格大跌影響，讓其第二季晶圓平均出貨價格跌至807美元，毛利率也跌至2.3％，但是中芯的產能利用率還維持在87％ |
