CTIMES - Dram

美光、Hynix合併破局 (2002.01.14)
根據外電，美光堅持合併價格採東芝Dominion晶圓廠模式，即新廠成本的四分之一，總合併金額在40億美元以下; 不過，Hynix債權銀行卻認為，近期DRAM價格上揚，堅持合併金額在50億美元以上，甚至出現65億美元之說法

DRAM漲勢可期 (2002.01.09)
業界人士透露，南韓三星電子已自元月起開始提高記憶晶片合約價25%到30%，128Mb動態隨機存取記憶晶片（DRAM）合約價約漲為2.3美元到2.4美元，此舉促成國內DRAM市場回春。過去一個月來，三星電子與Hynix總共漲價三次，對個人電腦製造商的供應價共調高約60%

DDR產量與DRAM不成正比 (2002.01.08)
根據SEMI資料，2001年全球128Mb DRAM產出當量達33億顆，年增率達51.2%，今年在12吋晶圓廠投產及製程微縮刺激下，全球DRAM產量成長率約在四到五成間。不過，今年1月全球DDR主要製造廠商仍以南亞科技、美光及三星為主，月產出不到4,000萬顆，占整體DRAM市場比重不到兩成，因此，英特爾845B及845G晶片組上市，將出現供不應求現象

臺灣12吋晶圓廠的展望與未來 (2002.01.05)
建造一座晶圓廠所需的成本極高，8吋晶圓廠需10億美元的資本，而12吋晶圓廠更高達30億美元左右才能建廠，所以從決定蓋廠到蓋廠完成、採購生產設備到正式生產，期間所耗費的成本，每筆都是驚人的數字，因此完成12吋晶圓廠，等於完成一項龐大的成果

Hynix將調漲DRAM現貨價30% (2002.01.03)
南韓晶片大廠Hynix日前指出，該公司已自一月一日起將大客戶的128MB DRAM合約價格平均調漲30%。三星電子同時表示，將在一兩個星期內跟進。在連番漲價的激勵下，南韓半導體類股週三全面大漲

DRAM市場穩定度待觀察 (2002.01.02)
近期一二八Ｍｂ　DRAM現貨價在上游製造廠與下游通路商強力拉抬下，由去年十月的○．八五美元歷史低點一路向上飆升，在短短二個月內，便站上了二．五美元的變動成本以上價位

東芝技轉0.13微米製程於中芯 (2001.12.21)
日本半導體大廠東芝廿日宣佈，已與上海中芯國際簽訂低功率靜態隨機存取記憶體(Low PowerSRAM)策略合作合約，東芝將技轉0.13微米的SRAM製程予中芯，並將中芯列為重要代工夥伴，而東芝也以技術作價方式取得中芯約5%的股權

DRAM廠可望否極泰來 (2001.12.21)
近期在韓國三星電子以及 Hynix大廠的作價下，一二八百萬位元 SDRAM合約價格已順利站上二美元。現貨價格以及合約價格均出現回升契機，一二八百萬位元SDRAM重返二美元，國內主要 DRAM工廠已回到現金淨流入的情況

東芝將退出DRAM銷售 (2001.12.20)
日前東芝與億恆合併案破局後，東芝表明將退出標準型DRAM製造與銷售，華邦現有八吋晶圓廠在DRAM製程技術上將可延續到何種程度，已成為市場矚目焦點，市場上因此傳出億恆轉向尋求與華邦的合作機會

美光、Hynix聯盟進行中 (2001.12.19)
南韓Hynix半導體公司整頓委員會主席辛國煥18日說，美光科技公司雖計劃買下東芝公司記憶晶片廠，但Hynix與美光的聯盟商議仍持續進行。美光發言人也表示，正繼續評估Hynix的廠房設備

華邦賣出五吋晶圓廠 (2001.12.18)
華邦電為擺脫今年動態隨機存取記憶體(DRAM)景氣低迷，10月底，公司董事會做出歷年組織及策略調整最大的方案，包括關閉方案：包括關閉五吋晶圓廠、精簡人力及轉戰利基型記憶體市場等策略三頭並進，讓華邦電在極短的時間內由現金淨流出轉為淨流入，走出半導體不景氣的困境

256Mb DDR與512Mb DDR爭霸 (2001.12.17)
動態隨機存取記憶體(DRAM)容量世代交替加速，德國億恆 (Infineon)指出，今年第四季將全面生產256M DRAM，預計明年初就將導入512Mb以及1Gb 以上的 DRAM 生產。 DRAM容量站上128Mb以後大約維持了近兩年的時間，但是在今年第三季因為價格快速下降的因素，許多製造廠商紛紛轉向更高容量的產品生產，希望能夠避開標準產品的流血戰爭

DRAM漲價茂矽億恆合併案破裂 (2001.12.08)
台灣記憶體晶片大廠台灣茂矽表示，已取消與德國億恆公司(Infineon)的合併談判，茂矽表示，億恆仍希望透過與競爭對手合作，擴大其市場占有率。動態隨機存取記憶體 (DRAM) 價格持續飆漲

SRAM價格未隨DRAM上揚 (2001.12.08)
國內SRAM設計公司表示，目前低功率二五六Kb約維持在○．七或○．八美元，供應商只有連邦與國外Cypress、韓國三星等少數廠家，低功率二Mb價格在一．五美元上下，四Mb區間落在二．一美元至三．五美元、均價約為三美元

DRAM漲價，模組廠跟進 (2001.11.21)
動態隨機存取記憶體（ＤＲＡＭ）價格飆漲，主要導因於上游ＤＲＡＭ廠鎖貨策略，不過在近一週內的ＤＲＡＭ漲價期間，一向為ＤＲＡＭ市場最大採購者的記憶體模組業者，卻不見在市場上大舉搜括現貨的大動作，預料將削弱ＤＲＡＭ廠鎖貨策略成效

DRAM市場浮現假性需求 (2001.11.19)
動態隨機存取記憶體（ＤＲＡＭ）價格在上游大廠鎖貨不出下，在短短一週內大漲九成以上，上週五（十六日）雖已小幅回檔，業界仍覺得ＤＲＡＭ此波漲勢來得過快且突然，倘若仔細評估其中原因，除了市場供給量的大幅萎縮外，系統廠、通路商、模組廠等回填安全庫存的假性需求，則是刺激價格飆漲的主要因素

全球DRAM廠供應量將減少10% (2001.11.08)
DRAM價格崩盤，全球DRAM廠廠莫不尋求出路。尤其以產量占全球第一名的美光，在本次的不景氣中受到相當大影響，是否減產甚至關廠備受注目。據指出，此次美光停工的廠可能是先進製程大廠，包括美國本土的0

DRAM經營難市場再現變動 (2001.11.08)
據金融時報報導，日本東芝公司董事長西室泰三6日暗示，東芝公司可能退出營運艱難的動態隨機存取記憶體(DRAM)市場。另一方面，華邦電八日表示，將與日商夏普簽約技術合作

DRAM廠設防減少現金流出 (2001.11.07)
DRAM廠也急著擺脫售價低迷的DRAM包袱，各廠為減少現金流出各出奇招。茂矽、華邦電將致力轉型為IC設計公司，力晶、世界先進轉型為專業記憶體代工，茂德及南亞科技，則轉進高階記憶體，並藉新製程拉大與競爭者差距

DRAM廠恐難逃合併命運 (2001.11.06)
因各家理財及融資投資策略互異，因而六家DRAM廠結算前三季期末約當現金餘額，以力晶的139.31億元最高、華邦電128.26億元次之、茂德則在116.9億元的水準，茂矽則約63.11 億元，世界先進約50