CTIMES - Mosfet

最新平面型功率MOSFET系列UniFET II MOSFET問世 (2013.08.19)
高電壓功率 MOSFET 一般分為兩大類：超接面（SJ : Super Juction）MOSFET 和平面型 MOSFET。由於其電荷平衡結構和更小的輸入柵極電荷（Qg），SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的導通電阻（RDS(on)）和更快的開關性能

意法半導體推出採用TO-247封裝的650V車規MOSFET (2013.08.14)
意法半導體的STW78N65M5和STW62N65M5是業界首款採用深受市場歡迎的TO-247封裝的650V AEC-Q101車規MOSFET。在高電壓突波（high-voltage spikes）的環境中，650V額定電壓能夠?目標應用帶來更高的安全系數，有助於提高汽車電源和控制模組的可靠性

凌力爾特打造高品質工業用橋式整流器 (2013.06.14)
傳統採用二極體的橋式整流器，由於在運作過程會產生壓降，導致系統廠商在選用元件方面會產生很大的不便。也因此，凌力爾特採用兩組MOSFET來取代原有的二極體，有效提高了電源效率，並減少了穩壓過程的二極體壓降

IR 全新300V功率MOSFET配備基準導通電阻 (2013.01.23)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出配備了IR最新功率MOSFET的300V元件陣營，藉以為各種高效率工業應用提供基準導通電阻 (RDS(on))，包括110-120交流電壓線性調節器和110-120交流電壓電源，以及太陽能逆變器與不斷電供應系統 (UPS) 等直流-交流逆變器

快捷半導體智慧型高側開關為設計人員提供可靠的解決方案 (2012.05.11)
快捷半導體公司(Fairchild)日前開發出一款專門為汽車車身電子提供先進電氣負載控制的智慧型高側開關系列。該系列元件為離散式MOSFET設計提供替代方案，整合了保護和診斷功能，以減少元件數量，簡化印刷線路板設計，同時提高系統的可靠性

Diodes新型MOSFET晶片高度減少50% (2012.05.11)
Diodes 公司日前推出了一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類型元件薄50%

Diodes MOSFET控制器有助提高PSU效率 (2012.01.11)
Diodes公司日前推出額定電壓為25V的同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，適用於90W或以上的筆記型電腦和可攜型電腦的電源設計。這款元件能取代返馳式轉換器內效率欠佳的蕭特基二極體，並能減少多達70%的整流器損耗，有效提高3.5%的電源效率

TI推出4 A與5 A雙通道輸出MOSFET驅動器 (2012.01.11)
德州儀器（TI）日前宣佈推出3款雙通道輸出閘極驅動器，可提升高密度隔離電源效率與可靠度，進一步擴大MOSFET驅動器產品陣營。 UCC27210與UCC27211是120 V啟動高側（high-side）與低側（low-side）雙通道輸出MOSFET驅動器，提供達4 A的輸出電流，且可消除驅動器輸入-10 V直流電（VDC）干擾

ST超結型MOSFET系列再添新成員 (2012.01.06)
意法半導體（ST）日前推出MDmesh V系列。MDmesh V系列是高性能MOSFET產品，擁有極低的每單位面積導通電組（on-resistance per area），在650V額定電壓應用中可實現高能效和功率密度；對於以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路，如電子照明控制器、消費性電子電源和太陽能電力轉換器可提升能效

Fairchild推出鋰離子電池組保護設計解決方案 (2011.12.22)
快捷半導體（Fairchild）近日開發出PowerTrench MOSFET元件FDMB2307NZ。該元件具有能夠縮小設計的外形尺寸，並提供所需的高效率。FDMB2307NZ專門針對鋰離子電池組保護電路和其它超可攜式應用而設計，具有N通道共同漏極MOSFET特性，能夠達成電流雙向流動

Diodes推出12V新型P通道MOSFET (2011.12.15)
Diodes日前推出12V微型P通道强化型MOSFET—DMP1245UFCL，有助於提升電池效率和減少電路板空間，並滿足空間受限的可攜式產品設計要求，如智慧型手機和平板電腦等。這款新MOSFET採用超精密和高熱效率的DFN1616封裝，並具有極低的導通電阻（RDS(on)），能把傳導損耗降至最低，以延長電池壽命

ROHM運用矽深掘蝕刻技術推出全新超接面MOSFET (2011.11.29)
ROHM於日前宣佈，推出全新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET－R5050DNZ0C9，適合太陽能發電系統的功率調節器使用。隨著節能議題愈來愈受到關注，其中，太陽能發電可謂是最具代表性的可回收能源，因此使得該市場在近年來不斷地成長擴張

瑞薩推出適用消費性馬達驅動應用之功率半導體 (2011.08.03)
瑞薩電子（Renesas）於日前宣佈，開發出100安培大電流功率MOSFET，適用於消費性產品中的馬達驅動器，例如無線電動工具及動力輔助自行車，並藉此強化該公司功率半導體裝置的整體產品線

ST擴大第六代功率MOSFET産品系列 (2011.06.26)
意法半導體（ST）於日前宣佈，擴大採用第六代STripFET技術的高效功率電晶體産品系列，爲設計人員在提高各種應用的節能省電性能帶來更多選擇。 ST表示，最新的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET，可承受高達80V的電壓，可用於太陽能發電應用（如微型逆變器）、電信設備、網路設備以及伺服器電源

ST全新功率MOSFET提升汽車電氣系統能效 (2011.06.13)
意法半導體（ST）於日前推出9款全新汽車級功率MOSFET，進一步擴大STripFET VI DeepGATE功率MOSFET産品組合，為新一代汽車實現能效、尺寸及成本優勢。高能效電氣系統對於汽車製造商日益重要

CISSOID新款N型MOSFET高溫可達225°C (2011.04.22)
高溫半導體方案供應商CISSOID日前宣佈，推出新款雙通道高溫40V N型金氧半場效電晶體（N-channel MOSFET）CHT-MOON。 CISSOID表示，該款採表貼、小型、密封式陶瓷SOIC16封裝。此新元件可幫助設計者達到最高的系統密度，它可開關高達2安培電流及提供與其他CHT產品一樣，是一個可於-55°C至+225°C連續操作的解決方案

士蘭微電子推出新一代高壓MOSFET F-Cell系列 (2011.04.07)
士蘭微電子近日宣佈，推出新一代高壓MOSFET產品——F-Cell系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發所推出的第四代平面結構高壓MOSFET產品，工作電壓可以覆蓋400V—900V區間

瑞薩電子推出小型封裝之高性能車用功率MOSFET (2011.03.08)
瑞薩電子近日宣佈，推出32款容許電壓為40及55伏特（V）之新型N通道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效電晶體）。新款功率MOSFET包括採用小型HSON封裝的NP75N04YUK產品，安裝面積為現有TO-252封裝的一半，可處理75安培（A）的電流

Linear推出高速、高輸入同步MOSFET閘極驅動器 (2011.02.28)
凌力爾特（Linear）於日前宣佈，推出新款H 等級版本的LTC4444/-5，其為高速、高輸入供應電壓 (100V) 同步 MOSFET閘極驅動器，專為在同步整流之轉換器架構中，驅動較高和較低側N 通道MOSFET 而設計

瑞薩電子新高壓電源MOSFET 可減少52%導通損失 (2011.02.01)
瑞薩電子近日宣佈，推出能為電源供應器提供超高效率的高壓N-channel電源金屬氧化半導體場效電晶體（MOSFET）產品--RJK60S5DPK。新的電源MOSFET能減少PC伺服器、通訊基地台以及太陽能發電系統的耗電量