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P2P-點對點檔案交換

「P2P」,簡單地說就是peer-to-peer—「點對點連線軟體」,意即「使用端」對「使用端」(Client to Client ) 通訊技術,能讓所有的設備不用經過中央伺服器,便能直接聯通散佈資料。
富士通推出能於攝氏零下55度運作的64-Kbit FRAM (2018.06.13)
富士通亞太電子有限公司台灣分公司宣布研發出型號為MB85RS64TU的64-Kbit FRAM,此款記憶體能在攝氏零下55度中運行,為富士通電子旗下首款能耐受如此低溫的FRAM非揮發性記憶體
關注次世代嵌入式記憶體技術的時候到了 (2018.01.25)
次世代記憶體的產品,如FRAM,MRAM和RRAM,在物聯網與智慧應用的推動下,開始找到利基市場。
物聯網與AI將推升次世代記憶體需求 (2017.12.25)
經過十多年的沉潛,次世代記憶體的產品,包含FRAM(鐵電記憶體),MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)和RRAM(可變電阻式記憶體),在物聯網與智慧應用的推動下,開始找到利基市場
富士通針對汽車及工業控制應用推出全新FRAM解決方案 (2017.06.05)
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司推出全新FRAM (鐵電隨機存取記憶體) 解決方案MB85RS128TY 與 MB85RS256TY,此為全新產品系列元件,可在高達攝氏125度高溫環境下運作,且符合北美汽車產業AEC Q100驗證規範,專為汽車產業及安裝有電機的工業控制機械等設計
富士通推出運作低功耗的64 Kbit FRAM (2016.04.15)
富士通亞太電子台灣分公司推出具最低運作功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。此FRAM產品採用I2C介面,能以最高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V廣泛的電源電壓運作。此外,其平均電流極低,以3.4 MHz運作時為170 μA;以1 MHz運作時則為80 μA
富士通開發全新FRAM具有4 Mbit記憶容量 (2016.03.01)
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司宣布,富士通成功開發具有4 Mbit記憶容量的全新FRAM(鐵電隨機存取記憶體)產品─MB85RQ4ML,此產品是以高速運算改善網路裝置效能的非揮發性記憶體,於四線SPI介面非揮發性RAM市場中擁有高密度,並開始以樣本量供貨
為1Mb序列FRAM開發超小型封裝 (2015.07.14)
1 Mb FRAM(鐵電隨機存取記憶體)的MB85RS1MT元件,採用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)製程。全新的WL-CSP製程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP(small-outline package)封裝的23%,而厚度也約其五分之一,實現將擁有序列周邊介面SPI的1 Mb FRAM變成業界最小尺寸的FRAM元件
TI推出高整合度NFC感測器轉發器 (2014.12.12)
符合ISO 15693標準的完全可編程設計13.56 MHz感測器轉發器整合超低功耗微控制器和非揮發性鐵電記憶體(FRAM) 德州儀器(TI)推出高靈活高頻13.56 MHz感測器轉發器系列。
Mouser供應TI LaunchPad 評估套件 啟動設計專案新利器 (2014.10.27)
Mouser Electronics即日起開始供應德州儀器(TI)的MSP-EXP430FR5969 LaunchPad評估套件。新款TI LaunchPad是易使用且快速的原型設計套件,適用於具備64KB FRAM(鐵電隨機存取記憶體)的TI MSP430FR5969微控制器
智慧工廠效益全面提升 就看FRAM (2014.10.21)
物聯網的話題相當火熱,除了MCU與網通晶片等業者紛紛大舉進軍的當下,其儲存元件也是相當重要的環結,其中富士通半導體以FRAM(鐵電隨機存取記憶體)投入物聯網應用,有著不少的著墨
德州儀器整合非揮發性FRAM記憶體和LCD控制器至更多應用 (2014.10.21)
德州儀器(TI)推出全新系列超低功耗MSP430 微控制器(MCU)中功耗最低的MSP430 MCU,其中具備晶片內建LCD控制器,以及一款新型低成本LaunchPad原型快速生成套件,可提供記憶體佔用空間很小的非揮發性FRAM的全部優勢
能源採集大不易 突破點就在靜態電流 (2013.11.28)
能源採集這個議題在產業界的討論並不算是相當熱絡,廣泛來看,像是太陽能發電亦可以算是能源採集的一種。若將能源採集作一個簡單的定義,將不同的能量轉化為電能,就可等同視之
[Tech Spot]四大快閃記憶體替代技術 (2012.12.06)
快閃記憶體仍如日中天,智慧手機消費型設備,例如平板電腦和智慧手機,強勁地推動了快閃記憶體及整個半導體市場。未來幾年,平板電腦的市佔率將不斷增加,目前最常見的快閃記憶體類型是 NAND,一位市場分析師預測:2011 至 2015 年之間, NAND的市場複合年增長率將達到 7%
TI 新款 Wolverine 微控制器平台MSP430 功耗僅競品50% (2012.03.05)
德州儀器 (TI) 推出功耗最低的微控制器平台,使更智慧、更環保、免電池的世界能快速成爲現實。該款代號 Wolverine 的超低功耗 MSP430 微控制器平台,正因其強勢節能技術而以超級英雄金鋼狼為名,功耗至少較業界其他微控制器降低 50% (360 nA 即時時脈模式和低於 100 μA/MHz 的運行耗電量)
ST針對低成本黑盒子記錄器 推出快速寫入記憶體 (2011.07.13)
意法半導體(ST)於日前推出新款記憶體產品,其在緊急情況發生時能快速將重要數據記錄的功能。新産品主要用於突然斷電的系統數據恢複以及發現設備故障或事故原因的黑盒子記錄器等應用
Ramtron推出FRAM無線記憶體的商用樣品 (2010.08.12)
Ramtron於前日(8/10)宣佈,開始提供其具有F-RAM特性之MaxArias無線記憶體之商用樣品。Ramtron的MaxArias系列無線記憶體,將非揮發性F-RAM記憶體技術的低功耗、高速度和高耐久性等特性
Ramtron在V系列增添串列512Kb FRAM (2008.11.20)
Ramtron International推出F-RAM系列產品中的第二款串列元件FM25V05,提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串列周邊介面(SPI)的非揮發性RAM,採用8腳SOIC封裝,特點包括快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、1E14讀/寫次數和低功耗
Ramtron推出1Mb並行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新並行和串列FRAM系列中的首款並行產品,提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選元件的特性。Ramtron的V系列FRAM產品中的最新元件FM28V100,是100萬位元、2.0至3.6V的並行非揮發性RAM,採用32腳TSOP-I封裝,具備快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、無乎無限的讀寫次數和低功耗特性
新一代NVM記憶體之爭 MRAM贏面大 (2008.11.12)
全球先進半導體設備及製程技術供應商Aviza今日(11/13)在台表示,MRAM有希望從多家新一代非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory;NVM)技術中脫穎而出,並取代目前主流的SRAM,成為終極的通用型記憶體解決方案
Ramtron百萬位元串列FRAM記憶體 (2008.09.18)
Ramtron宣佈推出新型F-RAM系列中的首款產品,具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選元件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品的首款元件FM25V10,是100萬位元(Mb)、2.0至3.6V、具有串列外設介面(SPI)的非揮發性RAM,採用8腳SOIC封裝,其特點是快速存取、無延遲(NoDelay技術)寫入、1E14讀/寫次數和低功耗

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