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從演化到多元整合──淺介Bus規格標準的變遷

一個想要滿足於不同市場需求的通用型Bus標準界面,能否在不斷升級傳輸速度及加大頻寬之外,達到速度、容量、品質等多元整合、提升效能為一體的願望?
關注次世代嵌入式記憶體技術的時候到了 (2018.01.25)
次世代記憶體的產品,如FRAM,MRAM和RRAM,在物聯網與智慧應用的推動下,開始找到利基市場。
物聯網與AI將推升次世代記憶體需求 (2017.12.25)
經過十多年的沉潛,次世代記憶體的產品,包含FRAM(鐵電記憶體),MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)和RRAM(可變電阻式記憶體),在物聯網與智慧應用的推動下,開始找到利基市場
MRAM技術再突破 工研院啟動全新記憶體戰局!!(下) (2013.07.08)
MRAM是一種磁性多層膜的堆疊結構,在這當中最為關鍵的三層,上下兩層為磁性層(一為參考層,一為自由層),中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向是水平排列,並可由電流來控制旋轉方向
MRAM技術再突破 工研院啟動全新記憶體戰局!!(上) (2013.07.02)
在工研院即將進入歡慶40週年院慶之際,工研院電光所的研究團隊所開發出來的「垂直式自旋磁性記憶體技術」榮獲傑出研究金牌獎,此一技術乍看之下並不顯眼,但該記憶體技術的背後,卻也牽動了未來全球半導體大廠的勢力佈局
美科學家展示自旋電子新進展 (2013.05.13)
物聯網(IoT)催生出了一個物物相連,所有設備都搭載資料處理和連線能力的龐大網路,但如何讓電子設備以最少的能源提供強大運算效能?一項科學研究可望為未來的電子技術發展奠定基礎,美國德拉瓦大學(University of Delaware)的科學家們證實了過去僅存在於科學理論中,迄今從未確切證實的由電子產生的磁場
[Tech Spot]四大快閃記憶體替代技術 (2012.12.06)
快閃記憶體仍如日中天,智慧手機消費型設備,例如平板電腦和智慧手機,強勁地推動了快閃記憶體及整個半導體市場。未來幾年,平板電腦的市佔率將不斷增加,目前最常見的快閃記憶體類型是 NAND,一位市場分析師預測:2011 至 2015 年之間, NAND的市場複合年增長率將達到 7%
SSD產業將迎向另一次革命 (2012.08.23)
SSD近來在行動市場相當受到歡迎,平均售價也持續下降,讓這種快速存取且低功耗的儲存裝置成長力道強勁。不過,現在市售的SSD仍存在一些技術問題,例如裝置內的DRAM可能因斷電而流失資料,因而新世代的技術仍在發展中
搶佔MRAM先機 韓政府攜手三星與海力士 (2009.12.01)
外電消息報導,韓國政府日前宣佈,將與三星電子及海力士合作,進行磁性隨機記憶體(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM))的研發,以維持韓國在全球記憶體產業的領先地位
Aviza推出12吋晶圓級離子束沉積系統 (2008.11.14)
半導體設備及製程技術專業供應商Aviza,近日宣佈推出全球第一臺12吋晶圓級離子束沉積系統。第一臺系統已出貨至法國格勒諾伯市的歐洲領先電子學及自旋電子學應用研究中心CEA-LETI-MINATEC
新一代NVM記憶體之爭 MRAM贏面大 (2008.11.12)
全球先進半導體設備及製程技術供應商Aviza今日(11/13)在台表示,MRAM有希望從多家新一代非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory;NVM)技術中脫穎而出,並取代目前主流的SRAM,成為終極的通用型記憶體解決方案
Aviza新品發表媒體聚會 (2008.11.11)
隨著記憶體應用越來越廣泛,並不斷朝向多功能、高效率及永久性的方向演進,半導體設備及製程技術領導廠商Aviza Technology,鎖定使用於硬碟和CMOS金屬閘門應用的磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)裝置,推出了具高生產力的沉積系統產品
革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)
市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能,短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守,長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力(Scalability)、儲存覆寫次數耐久性(Endurance)和資料保存能力(Data Retention)的侷限,使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵
飛思卡爾成立新公司推動MRAM業務 (2008.06.11)
飛思卡爾半導體宣佈,將與幾個頂尖創投公司集資成立一間以MRAM(磁性隨機存取記憶體)為主要產品的獨立新公司。這間新公司名為EverSpin Technologies,將持續提供並擴充現有的獨立MRAM產品線及相關磁性產品
東芝成功開發MRAM專用之新TMR元件 (2007.11.09)
東芝成功開發可達1Gbit以上儲存容量的MRAM新型TMR元件。據了解,東芝透過自旋注入反磁化方式(簡稱自旋注入方式),以及可大幅減小元件體積的垂直磁化技術。東芝並於美國佛羅里達州Tampa所舉辦的第52屆磁學與磁性材料年會(Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials;MMM)上發表這項研究成果
非揮發性記憶體的競合市場 (2007.10.24)
記憶體本身就具有通用與中介的性質,所以發展出來的各類記憶體元件,多能通用於不同系統之間。新一代的記憶體為了更通用之故,所發展的都是非揮發性的記憶體,這樣才能既做為系統隨機存取之用,又能組成各類的儲存裝置,例如嵌入在可攜式裝置中的儲存容量、彈性應用的記憶卡或固態硬碟等
飛思卡爾MRAM元件獲創新類獎項 (2007.03.03)
飛思卡爾其4百萬位元MRAM元件最近榮獲In-Stat的Microprocessor Report年度「創新」類獎項。該元件在同年內也獲得了Electronic Product的「年度產品大獎」、同時還入圍了EDN的創新大獎及EE Times的ACE大獎等獎項的決選
飛思卡爾推出商用MRAM技術 (2006.07.11)
飛思卡爾半導體發表首款商用磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件,並已投入量產。 飛思卡爾的4百萬位元MRAM產品是一款耐用性極佳的高速非揮發性記憶體,這種高速且耐用的特性組合是任何半導體記憶裝置都無法提供的
Cypress將出售MRAM事業部 (2005.02.17)
Cypress Semiconductor宣佈計畫售出旗下專門供應磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory, MRAM)的子公司Silicon Magnetic Systems (SMS)。Cypress執行長T.J. Rodgers表示:「經過三年的努力,Cypress於1月開始供應七家OEM客戶全功能MRAM樣品
Ovonic Unified Memory支援獨立型記憶體與嵌入型裝置應用 (2003.11.05)
OUM的資料儲存作業是透過類似可複寫CD或DVD光碟使用的硫屬合金材料所製成的薄膜,藉由熱引起的相位變化在無規律與多晶排列的狀態之間進行切換。OUM技術被視為高密度、低電壓、高cycle-count的非揮發性記憶體,適合於VLSI獨立型記憶體以及各種嵌入型產品的應用
淺談磁性記憶體技術原理與前景 (2003.11.05)
新一代的磁性隨機存取記憶體不僅擁有flash的非揮發特性,DRAM的高集積度以及SRAM的高速存取特性;同時MRAM還具有相當高的的讀寫次數壽命,幾乎是兼具現有三大記憶體的優點,所以被稱為下一代的夢幻記憶體

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1 物聯網與AI將推升次世代記憶體需求

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