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科技
典故
網際網路的引領與規範 - ISOC

ISOC的全名是Internet SOCiety意即為網際網路社團,是一個非營利的網路技術研發機構,由全球182個國家的150個組織與11,000名個別會員所組而成,其作用在於引領網際網路的導向與制定網際網路的規範。
關注次世代嵌入式記憶體技術的時候到了 (2018.01.25)
次世代記憶體的產品,如FRAM,MRAM和RRAM,在物聯網與智慧應用的推動下,開始找到利基市場。
物聯網與AI將推升次世代記憶體需求 (2017.12.25)
經過十多年的沉潛,次世代記憶體的產品,包含FRAM(鐵電記憶體),MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)和RRAM(可變電阻式記憶體),在物聯網與智慧應用的推動下,開始找到利基市場
[Tech Spot]四大快閃記憶體替代技術 (2012.12.06)
快閃記憶體仍如日中天,智慧手機消費型設備,例如平板電腦和智慧手機,強勁地推動了快閃記憶體及整個半導體市場。未來幾年,平板電腦的市佔率將不斷增加,目前最常見的快閃記憶體類型是 NAND,一位市場分析師預測:2011 至 2015 年之間, NAND的市場複合年增長率將達到 7%
革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)
市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能,短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守,長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力(Scalability)、儲存覆寫次數耐久性(Endurance)和資料保存能力(Data Retention)的侷限,使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵
電阻式記憶體技術研發現況 (2008.11.05)
電阻式記憶體的元件結構相當簡單;同時所採用的材料並不特殊,元件所需製程溫度不高,因此相當容易與相關元件或電路製程相整合。本文將介紹電阻式記憶體的元件操作特性
工研院RRAM研發成果獲國際電子元件研討會肯定 (2008.09.22)
工研院研發的電阻式非揮發性記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)的研發成果,獲選在2008國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting, IEDM),向全球電機電子研發菁英發布最新技術進展
快閃IC「RRAM」發展動向 (2005.09.05)
隨著各種可攜式電子產品的記憶容量不斷擴張,傳統的Flash Memory已很難滿足市場需求。雖然FeRAM曾經是各半導體廠商囑目的焦點,不過隨著RRAM的出現,也代表著非揮發性記憶體即將進入嶄新的紀元

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1 物聯網與AI將推升次世代記憶體需求

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