CTIMES - Igbt

意法半導體電隔離柵極驅動器控制並保護SiC、MOSGET、IGBT (2018.08.15)
意法半導體（STMicroelectronics）的STGAP2S單路隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，能讓使用者選擇獨立的導通／關斷輸出或內部主動米勒鉗位功能，其可使用於各種開關拓撲控制碳化矽（SiC）或矽MOSFET和IGBT功率電晶體

英飛凌推出12吋晶圓的TRENCHSTOP 1200 V IGBT6分立元件 (2018.08.09)
英飛凌科技股份有限公司推出新一代1200 V IGBT產品TRENCHSTOP IGBT6，為首款以12吋晶圓生產的分立元件IGBT duopack。此全新 IGBT技術為滿足客戶日益提升的高效率與高功率密度需求所設計

工研院攜手強茂前進電動車功率模組市場 (2018.06.28)
工研院與強茂公司今日簽署合作合約，工研院與強茂宣示攜手共同建立IGBT智慧功率模組試量產線，將生產工研院自行研發的IGBT智慧功率模組，該產品運作上可較傳統產品降低40%熱阻，同時降低晶片運作溫度達20°C，將以電動車市場為主要目標

英飛凌1EDC Compact系列單通道閘極驅動器符合UL 1577認證 (2018.05.31)
英飛凌科技股份有限公司推出EiceDRIVER 1EDC Compact 300 mil系列的單通道閘極驅動器 IC。本系列電氣隔離驅動器可承受60秒的 VISO= 2500V(rms) 隔離電壓測試，符合UL 1577 認證。由於切換頻率高達1,000kHz，不僅能驅動IGBT，也能整合至要求嚴苛的SiC MOSFET拓撲中

英飛凌推出表面黏著 D2PAK 封裝650V IGBT 提供最高功率密度 (2018.05.30)
英飛凌科技股份有限公司擴展TRENCHSTOP 5薄晶圓技術產品組合，推出IGBT與全額定電流 40 A 二極體共同封裝於表面黏著 TO-263-3 外型 (也就是 D2PAK) ，最高達40 A的 650V IGBT。全新的 TRENCHSTOP 5 IGBT 採用 D2PAK 封裝，可滿足自動化表面黏著組裝的電源裝置對於更高功率密度日益增加的需求

貿澤供貨STMicroelectronics ACEPACK IGBT模組 (2018.05.15)
貿澤電子即日起開始供應STMicroelectronics (ST)的ACEPACK IGBT模組。 Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模組屬於專門針對工業應用所設計的最新塑膠功率模組系列，為3 kW至30 kW的工業和電源管理解決方案提供經濟且高整合度的功率轉換

ROHM開發出業界頂級650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列 (2018.04.30)
半導體製造商ROHM新開發出兼具業界頂級低導通損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2 “RGTV系列（同級短路承受※3能力版）”和“RGW系列（高速開關版）”，共計21種型號

Infineon超軟切換IGBT 飛輪二極體提供領先低損耗技術 (2018.04.17)
英飛凌關係企業Infineon Technologies Bipolar公司針對現今IGBT應用推出全新專用二極體系列產品：Infineon Prime Soft，具有改良的5 kA/μs軟關斷功能。Prime Soft 以單晶矽設計且廣受好評的IGCT飛輪二極體做為技術基礎，典型應用包括HVDC/FACT以及使用電壓來源轉換器的中電壓馬達

東芝針對輸出型光耦合器推出新封裝選項SO6L(LF4) (2018.04.03)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社宣布為擴大原輸出型光耦合器陣容，即日起為SO6L系列推出全新封裝類型；新封裝SO6L(LF4)為寬引腳間距封裝，SO6L(LF4)封裝爬電距離為8mm，其符合產業規格標準

英飛凌推出EconoDUAL 3 IGBT 模組搭載整合式分流器 (2018.02.21)
英飛凌科技股份有限公司將 EconoDUAL 3 模組整合度推升至更高境界：推出搭載整合分流器電阻的模組，可在交流路徑進行電流監控。透過該產品，變頻器製造商可降低成本、提升效能，並簡化變頻器的設計

透過IGBT 閘極驅動器的先進裝置簡化高電壓、高電流變頻器 (2017.11.02)
本文聚焦於 EV 變頻器，探討在降低成本的同時，提高系統效率及功能安全性的未來趨勢。

瞭解現代電磁爐的工作原理 (2017.10.18)
電磁鍋是通過電磁感應在鐵磁體鍋具內部產生渦流，從而產生熱量。

電動車時代加速來臨 (2017.09.05)
至2025年，新能源車佔全球車市的比重將來到兩成，這個數據看起來微小，但相較2016年不到3%的占比，已有相當大的成長幅度。

英飛凌分離式IGBT推出TRENCHSTOP先進絕緣封裝版本 (2017.05.18)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出最新的TRENCHSTOP先進絕緣封裝技術，包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 兩種版本，擁有同級最佳的散熱效能以及更簡易的製程

英飛凌新款IGBT模組以62 mm封裝提供更高的功率密度 (2017.03.22)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)擴展旗下62 mm IGBT模組陣容。全新電源模組能在尺寸不變下，滿足對更高功率密度日益增加的需求。業經驗證的62 mm封裝中採用較大的晶片區域及調整過的DCB基板，以實現更高的功率密度

英飛凌閘極驅動 IC 1EDN提供低功耗和高穩定度 (2016.11.09)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）推出 1EDN EiceDRIVER 系列產品。該款 1 通道的低側閘極驅動 IC 適用於驅動 MOSFET、IGBT 以及 GaN 等功率裝置。其腳位輸出與封裝方式完全相容於業界標準，便於直接在現有設計中作替換

英飛凌RC-E獨立式IGBT可直接升級既有設計 (2016.10.24)
【德國慕尼黑訊】電磁爐設備通常運用諧振拓樸，實現電流雙向流動，並且採用切換頻率為18 kHz至40 kHz時可達到最佳效能，且損耗率低的獨立IGBT。英飛凌科技（Infineon）推出全新獨立IGBT系列產品，滿足了上述需求

芯科推新隔離閘極驅動器為IGBT提供先進監測 (2016.09.12)
Silicon Labs(芯科科技) 近日推出ISOdriver產品系列之新型Si828x隔離閘極驅動器系列產品，其專為保護電源逆變器和馬達驅動應用中敏感的絕緣閘雙極電晶體(IGBT)而設計。Si828x ISOdriver系列產品提供了工業隔離等級(5kVrms)和最佳的特性整合，包括選配式DC-DC轉換器、業界最快速的去飽和檢測、良好的時序特性以及卓越的雜訊和瞬變抑制能力

Littelfuse將收購安森美半導體的精選產品組合 (2016.08.26)
Littelfuse(利特)宣佈已經正式達成協議，將以$1億400萬的總價收購安森美半導體（ON Semiconductor）汽車點火應用的產品組合，包括瞬態電壓抑制器（TVS）二極體、雙向晶閘管及絕緣柵型雙極電晶體（IGBT）

不僅功率元件驅動IC將朝向高頻化發展 (2016.08.03)
在功率設計領域中，驅動IC一向是相當重要的角色，它也廣泛出現在許多應用市場，所以也讓不少半導體業者趨之若鶩。然而，隨著雲端運算與物聯網等應用概念的興起，資料量的快速增加，使得資料中心與伺服器的需求快速成長，但畢竟機房的空間十分有限，若能提少功率密度或是減少系統體積，這是應用服務業者相當樂見的事情