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東芝推出新款600V/650V超接面N溝道功率MOSFET (2017.02.06)
東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司推出EMI性能更佳化的600V/650V超接面N溝道功率MOSFET，該產品適用於工業和辦公設備。
該新系列擁有與東芝當前的「DTMOS IV系列」相同水準的低導通電阻、高速開關性能，同時，其最佳化的設計流程使EMI性能提升約3至5dB |
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意法半導體推出1500V超接面功率MOSFET讓電源應用環保又安全 (2015.11.09)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性及安全系數。MDmeshTM K5產品是擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極（drain-to-source）崩潰電壓（breakdown voltage）的電晶體，並已獲亞洲及歐美主要客戶導入於其重要設計中 |
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意法半導體新650V超接面MOSFET提升安全系數 (2014.12.02)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求，同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項 |
ITU最主要的工作就是制定無線傳輸設施的相關規範，例如手機、飛航通訊、航海通訊、衛星通訊系統、廣播電台和電視台等無線傳輸設施，
