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富士通開發全新FRAM具有4 Mbit記憶容量 (2016.03.01)
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司宣布，富士通成功開發具有4 Mbit記憶容量的全新FRAM（鐵電隨機存取記憶體）產品─MB85RQ4ML，此產品是以高速運算改善網路裝置效能的非揮發性記憶體，於四線SPI介面非揮發性RAM市場中擁有高密度，並開始以樣本量供貨 |
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為1Mb序列FRAM開發超小型封裝 (2015.07.14)
1 Mb FRAM（鐵電隨機存取記憶體）的MB85RS1MT元件，採用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝（WL-CSP）製程。全新的WL-CSP製程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP（small-outline package）封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實現將擁有序列周邊介面SPI的1 Mb FRAM變成業界最小尺寸的FRAM元件 |
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