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科技
典故 |
第一顆電晶體(Transistor)的由來
第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
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意法半導體最新900V MOSFET提升反激式轉換器之輸出功效 (2017.03.24)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）最新的900V MDmesh K5超接面MOSFET讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高效的系統需求，其擁有同級最好的導通電阻（RDS(ON)）和動態特性。
900V崩潰電壓確保在高匯流排電壓系統應用下具有更高的安全係數 |
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